CN208275820U - 清洗装置 - Google Patents

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CN208275820U CN201721621025.9U CN201721621025U CN208275820U CN 208275820 U CN208275820 U CN 208275820U CN 201721621025 U CN201721621025 U CN 201721621025U CN 208275820 U CN208275820 U CN 208275820U
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万百超
张弢
蒋德念
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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Abstract

本实用新型公开了一种清洗装置,包括自转的刷子,此外还包括一气缸,所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。本实用新型在现有的清洗装置中增加气缸,带动清洗装置中的刷子水平往复做扫掠运动,这样可以实现刷子自转的同时做水平运动,利用刷子中间部位清洗能力较好的特点,对晶圆边缘进行同样的清洗作用,改善晶圆边缘的清洗状况,减少晶圆边缘的缺陷。

Description

清洗装置
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域,具体属于一种清洗装置。
背景技术
随着半导体工业的飞速发展,电子器件的尺寸越来越小,对于晶圆表面平整度的要求也已经达到了纳米级。在晶圆的加工过程中,化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing,简称CMP,也称化学机械抛光)是半导体晶圆表面加工的关键工序之一,并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化。
在CMP工艺中,旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上,研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动,然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下,均匀分布其上,在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应,将不溶的物质转化为易溶物质或者将硬度高的物质进行软化,然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从硅片表面去除,溶入流动的液体中带走。
晶圆经过研磨后,会有研磨液及许多研磨残留,故需要采用清洗装置对研磨液以及残留物进行清洗后才能完成所有制程,从而实现晶圆表面无缺陷。目前,通常采用刷子2对研磨后的晶圆1表面进行清洗,如图1所示,其中刷子2的位置固定且进行自转,而在清洗过程中,晶圆1也进行自转,其相对刷子旋转实现清洗。但是,用于清洗的刷子为固定长度且在固定位置转动,对应晶圆同半径位置也不变,这样的清洗过程针对晶圆中间与边缘的清洗能力是有差异的,虽然能够保证晶圆的中心清洗效果很好,但是晶圆的边缘则清洗效果欠佳,所以在后期查找缺陷时,经常会出现晶圆边缘缺陷的问题,这一般都为清洗不干净造成的。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种清洗装置,可以解决晶圆边缘清洗不彻底的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的清洗装置,包括自转的刷子,此外还包括一气缸,所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。
在上述结构中,所述气缸与刷子平行设置。
在上述结构中,所述刷子安装在一支撑杆上。进一步的,所述气缸通过轴承安装在支撑杆上。
在上述结构中,所述刷子的长度为晶圆直径的1.5-2倍。
其中,所述气缸带动刷子匀速移动。更优的,所述气缸带动刷子低速移动,速度为50-100mm/s。
本实用新型在现有的清洗装置中增加气缸,带动清洗装置中的刷子水平往复做扫掠运动,这样可以实现刷子自转的同时做水平运动,利用刷子中间部位清洗能力较好的特点,对晶圆边缘进行同样的清洗作用,改善晶圆边缘的清洗状况,减少晶圆边缘的缺陷。
附图说明
图1为现有的清洗装置的结构示意图;
图2为本实用新型的清洗装置的主视图;
图3为本实用新型的清洗装置的俯视图。
其中附图标记说明如下:
1为晶圆;2为刷子;3为气缸;4为轴承;5为支撑杆。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
本实用新型的清洗装置,包括自转的刷子2,如图2、图3所示,此外还包括一气缸3,所述气缸3带动刷子2沿刷子2的中心轴左右往复移动,对晶圆进行扫掠。
其中,所述气缸3与刷子2平行设置。
在上述结构中,所述刷子2安装在一支撑杆5上。所述气缸3通过轴承4安装在支撑杆5上。
并且,所述刷子2的长度为晶圆1直径的1.5-2倍,这样可以提高清洗效果。
其中,所述气缸3带动刷子2匀速移动。为了保证晶圆清洗彻底干净,气缸3不宜运动过快,较佳的是带动刷子2以50-100mm/s的速度低速移动。
此外,为了达到最佳的清洗效果,该清洗装置中可以增加反馈系统实时检测晶圆的清洗情况,该反馈系统通常为闭环控制的气缸速度检测系统,其中利用传感器来侦测气缸的位置是否到位,并通过传感器做动时间来确定气缸速度,通过计算误差进行气量补偿,构成一个闭环。
本实用新型在现有的清洗装置中增加气缸,带动清洗装置中的刷子水平往复做扫掠运动,这样可以实现刷子自转的同时做水平运动,利用刷子中间部位清洗能力较好的特点,对晶圆边缘进行同样的清洗作用,改善晶圆边缘的清洗状况,减少晶圆边缘的缺陷。
以上通过具体实施例对本实用新型进行了详细的说明,该实施例仅仅是本实用新型的较佳实施例,本实用新型并不局限于上述实施方式。在不脱离本实用新型原理的情况下,本领域的技术人员对气缸的位置及安装结构、刷子的长度及运动速度做出的等效置换和改进,均应视为在本实用新型所保护的技术范畴内。

Claims (4)

1.一种清洗装置,包括自转的刷子,其特征在于,还包括一气缸和支撑杆,所述刷子安装在支撑杆上,所述气缸与刷子平行设置,且气缸通过轴承安装在支撑杆上,所述气缸带动刷子沿刷子的中心轴左右往复移动。
2.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述刷子的长度为晶圆直径的1.5-2倍。
3.根据权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,所述气缸带动刷子匀速移动。
4.根据权利要求3所述的清洗装置,其特征在于,所述气缸带动刷子移动的速度为50-100mm/s。
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