CN208270097U - 一种半导体温度传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半导体温度传感器，包括依次连接的输入光纤、半导体晶片、输出光纤，所述传感器还包括芯管和外管，所述输入光纤、半导体晶片、输出光纤呈线性设置于所述芯管内，所述芯管置于外管内，所述外管的两端还分别固定连接有管盖，所述输入光纤和所述输出光纤两端分别向外延伸伸出至所述管盖外，其特点是所述芯管与所述外管之间还设有电磁干扰屏蔽结构，所述电磁干扰屏蔽结构包括与所述外管内壁相连接的电磁屏蔽结构板和覆盖连接于所述电磁屏蔽结构板内侧的吸波层。该技术方案电磁干扰屏蔽性能好，可以提高温度传感器测试准确性。
Description
技术领域
本实用新型涉及温度传感器，特别是一种半导体温度传感器。
背景技术
半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料，通常意义上讲，半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用，而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展，我们认为可以有更多的应用和推广。
如图1所示，中国专利201320288844.1(公开号：CN 203323902U)公开了一种半导体温度传感器，包括依次连接的输入光纤(1)、半导体晶片(2)、输出光纤(3)，传感器还包括芯管(4)和外管(5)，所述输入光纤(1)、半导体晶片(2)、输出光纤(3)置于所述芯管(4)内，所述芯管(4)置于外管(5)内，所述芯管(4)和外管(5)之间还填充有导热硅脂(6)。其提供的半导体温度传感器与传统的装置相比，本实用新型提供的半导体温度传感器结构简单、体积小、安装方便、成本低廉、采用了非金属的陶瓷材料可以免受电磁干扰，适应各种领域。但是，随着技术的发展，其电磁干扰屏蔽性能可进一步增强。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种电磁干扰屏蔽性能好，以提高温度传感器测试准确性的一种半导体温度传感器。
为解决上述技术问题，本实用新型技术方案为：
一种半导体温度传感器，包括依次连接的输入光纤、半导体晶片、输出光纤，所述传感器还包括芯管和外管，所述输入光纤、半导体晶片、输出光纤呈线性设置于所述芯管内，所述芯管置于外管内，所述外管的两端还分别固定连接有管盖，所述输入光纤和所述输出光纤两端分别向外延伸伸出至所述管盖外，其特征在于：
所述芯管与所述外管之间还设有电磁干扰屏蔽结构，所述电磁干扰屏蔽结构包括与所述外管内壁相连接的电磁屏蔽结构板和覆盖连接于所述电磁屏蔽结构板内侧的吸波层。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述电磁屏蔽结构板包括泡沫铝板。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述电磁屏蔽结构板还包括设置于所述泡沫铝板外层的导热硅胶层。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述电磁屏蔽结构板还包括设置于所述导热硅胶层外层的镀锌钢板。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述吸波层包括第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述第一频段电磁波吸波层为设置于所述电磁屏蔽结构板内侧的铁氧体吸波层，所述第二频段电磁波吸波层为设置于所述铁氧体吸波层内侧的吸波棉层。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述吸波棉层的外层表面凹凸相间，其包括凸出部和设置于相邻凸出部之间的凹槽部。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述凸出部呈三角形状。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述外管为陶瓷外管，其外侧还覆盖连接有防水材料层。
优选地，上述的一种半导体温度传感器，其中所述管盖与所述输入光纤和所述输出光纤分别对应处设有小孔，所述小孔连接处贴附有防漏磁金属箔片。
本实用新型带来的有益效果主要体现在以下几个方面：
(1)该技术方案在芯管与外管之间设置电磁干扰屏蔽结构，具体的，电磁干扰屏蔽结构包括与外管内壁相连接的电磁屏蔽结构板和覆盖连接于电磁屏蔽结构板内侧的吸波层，电磁屏蔽结构板对外界的电磁波具有屏蔽作用，同时吸波层对电磁波具有吸收作用，相比现有技术，采用该电磁干扰屏蔽结构，可以大大减少外界电子设备的电磁辐射对输入光纤、输出光纤，以及半导体晶片的电磁干扰，从而提高了温度传感器数据感应检测的准确性。
(2)该技术方案电磁屏蔽结构板包括里层的泡沫铝板和外层的镀锌钢板以及设置在中间层的导热硅胶层。泡沫铝板和镀锌钢板都具有电磁屏蔽的功能，双层防护能更有效地防止外界对内的电磁干扰，此外镀锌钢板还能加强温度传感器的整体强度，提高其防撞性能。而导热硅胶层的采用，除了能起到导热、散热的作用外，还具有减震的功能。当然，除了三层板的电磁屏蔽结构板，直接由泡沫铝板构成电磁屏蔽结构板也是可行的。或者采用泡沫铝板和导热硅胶层的双层结构的电磁屏蔽结构板也是可行的。
(3)该技术方案中吸波层可以为单层结构，也可以为双层或多层结构。如吸波层包括第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层。第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层所吸收电磁波的频段不同，例如，第一频段电磁波吸波层主要用于吸收频率小于600MHz的电磁波，第二频段电磁波吸波层主要用于吸收频率在200MHz～1000MHz的电磁波。第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层组合使用，可以使得电磁波在全频段范围内最大限度地被吸收，从而可以进一步提高温度传感器数据感应检测的准确性。
(4)该技术方案中吸波棉层的外层表面凹凸相间，其包括凸出部和设置于相邻凸出部之间的凹槽部，较为优选地，凸出部呈三角形状，如此结构设计，可以增大吸波层与电磁波的接触面积，提高电磁波屏蔽性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1：本实用新型现有技术结构示意图；
图2：本实用新型具体实施例结构示意图；
图3；本实用新型实施例中电磁屏蔽结构板结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
如图2～图3所示，一种半导体温度传感器，包括依次连接的输入光纤1、半导体晶片2、输出光纤3，所述传感器还包括芯管4和外管5，所述输入光纤1、半导体晶片2、输出光纤3呈线性设置于所述芯管4内，所述芯管4置于外管5内，所述外管5的两端还分别固定连接有管盖8，所述输入光纤1和所述输出光纤3两端分别向外延伸伸出至所述管盖8外，所述芯管4与所述外管5之间还设有电磁干扰屏蔽结构，所述电磁干扰屏蔽结构包括与所述外管5内壁相连接的电磁屏蔽结构板6和覆盖连接于所述电磁屏蔽结构板6内侧的吸波层7。
其中所述电磁屏蔽结构板6包括泡沫铝板62。
其中所述电磁屏蔽结构板6还包括设置于所述泡沫铝板外层62的导热硅胶层61。
其中所述电磁屏蔽结构板6还包括设置于所述导热硅胶层外层61的镀锌钢板60。
其中所述吸波层7包括第一频段电磁波吸波层70和第二频段电磁波吸波层71。
其中所述第一频段电磁波吸波层70为设置于所述电磁屏蔽结构板内侧的铁氧体吸波层，所述第二频段电磁波吸波层71为设置于所述铁氧体吸波层内侧的吸波棉层。
其中所述吸波棉层的外层表面凹凸相间，其包括凸出部710和设置于相邻凸出部710之间的凹槽部711。
其中所述凸出部710呈三角形状。
其中所述外管5为陶瓷外管，其外侧还覆盖连接有防水材料层。
其中所述管盖8与所述输入光纤1和所述输出光纤3分别对应处设有小孔，所述小孔连接处贴附有防漏磁金属箔片9。
(1)该技术方案在芯管与外管之间设置电磁干扰屏蔽结构，具体的，电磁干扰屏蔽结构包括与外管内壁相连接的电磁屏蔽结构板和覆盖连接于电磁屏蔽结构板内侧的吸波层，电磁屏蔽结构板对外界的电磁波具有屏蔽作用，同时吸波层对电磁波具有吸收作用，相比现有技术，采用该电磁干扰屏蔽结构，可以大大减少外界电子设备的电磁辐射对输入光纤、输出光纤，以及半导体晶片的电磁干扰，从而提高了温度传感器数据感应检测的准确性。
(2)该技术方案电磁屏蔽结构板包括里层的泡沫铝板和外层的镀锌钢板以及设置在中间层的导热硅胶层。泡沫铝板和镀锌钢板都具有电磁屏蔽的功能，双层防护能更有效地防止外界对内的电磁干扰，此外镀锌钢板还能加强温度传感器的整体强度，提高其防撞性能。而导热硅胶层的采用，除了能起到导热、散热的作用外，还具有减震的功能。当然，除了三层板的电磁屏蔽结构板，直接由泡沫铝板构成电磁屏蔽结构板也是可行的。或者采用泡沫铝板和导热硅胶层的双层结构的电磁屏蔽结构板也是可行的。
(3)该技术方案中吸波层可以为单层结构，也可以为双层或多层结构。如吸波层包括第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层。第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层所吸收电磁波的频段不同，例如，第一频段电磁波吸波层主要用于吸收频率小于600MHz的电磁波，第二频段电磁波吸波层主要用于吸收频率在200MHz～1000MHz的电磁波。第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层组合使用，可以使得电磁波在全频段范围内最大限度地被吸收，从而可以进一步提高温度传感器数据感应检测的准确性。
(4)该技术方案中吸波棉层的外层表面凹凸相间，其包括凸出部和设置于相邻凸出部之间的凹槽部，较为优选地，凸出部呈三角形状，如此结构设计，可以增大吸波层与电磁波的接触面积，提高电磁波屏蔽性能。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种半导体温度传感器，包括依次连接的输入光纤、半导体晶片、输出光纤，所述传感器还包括芯管和外管，所述输入光纤、半导体晶片、输出光纤呈线性设置于所述芯管内，所述芯管置于外管内，所述外管的两端还分别固定连接有管盖，所述输入光纤和所述输出光纤两端分别向外延伸伸出至所述管盖外，其特征在于：
所述芯管与所述外管之间还设有电磁干扰屏蔽结构，所述电磁干扰屏蔽结构包括与所述外管内壁相连接的电磁屏蔽结构板和覆盖连接于所述电磁屏蔽结构板内侧的吸波层。
2.根据权利要求1所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述电磁屏蔽结构板包括泡沫铝板。
3.根据权利要求2所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述电磁屏蔽结构板还包括设置于所述泡沫铝板外层的导热硅胶层。
4.根据权利要求3所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述电磁屏蔽结构板还包括设置于所述导热硅胶层外层的镀锌钢板。
5.根据权利要求1所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述吸波层包括第一频段电磁波吸波层和第二频段电磁波吸波层。
6.根据权利要求5所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述第一频段电磁波吸波层为设置于所述电磁屏蔽结构板内侧的铁氧体吸波层，所述第二频段电磁波吸波层为设置于所述铁氧体吸波层内侧的吸波棉层。
7.根据权利要求6所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述吸波棉层的外层表面凹凸相间，其包括凸出部和设置于相邻凸出部之间的凹槽部。
8.根据权利要求7所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述凸出部呈三角形状。
9.根据权利要求7所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述外管为陶瓷外管，其外侧还覆盖连接有防水材料层。
10.根据权利要求1所述的一种半导体温度传感器，其特征在于：所述管盖与所述输入光纤和所述输出光纤分别对应处设有小孔，所述小孔连接处贴附有防漏磁金属箔片。
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