CN208128765U - 一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置 - Google Patents

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罗华
程雍
高斌
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Abstract

本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,包括屏蔽壳体,屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间,屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层、高导磁复合层和反射层。本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,利用屏蔽层对电磁波进行阻挡隔离,而部分未隔离的电磁波一方面穿过高导磁复合层打到反射层上,当入射的电磁波穿过高导磁复合层后碰到反射层后,在反射层的作用下再次被反射回来,通过控制高导磁复合层内的材料电磁特性,使得电磁波有适当的振幅和相态在高导磁复合层内进行多重反射,从而使得电磁波在高导磁复合层内进行多重吸收,以达到降低电磁波中反射量。

Description

一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置
技术领域
本实用新型涉及磁场屏蔽技术领域,更具体地,涉及一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置。
背景技术
随着电脑、通讯、消费性信息产品功能不断的增加及数位化、高频化、普及化,人体暴露在高强度电磁波的机会越来越多,造成人体健康上的危害,增加了白血病、脑瘤、DNA破坏...等罹患机率。根据研究指出,当电磁波超过60赫兹,对人体的细胞DNA结构会造成伤害,正因为电磁波的负面影响不断地被发掘,因此,抗电磁波的材料已成为全球各方的研究焦点。
一般而言,抗电磁波材的结构,可分为电场遮蔽材与磁场遮蔽材两大类,来达到抗电磁波的功能。然而,目前的各种抗电磁波装置都是厚度大的结构,并且只使用金属材料屏蔽会有产生磁场涡流,不但耗能而且会产生高热的危害,因而限定其应用范围。
目前来说,微型化、高度集成化是电子产品发展的主流趋势,这些产品的内部空间相对狭小。因此,设计开发厚度薄、质量轻、适用于狭小空间的电磁波吸收材料,成为本领域技术人员努力的方向。
实用新型内容
本实用新型提供了一种厚度薄、质量轻且屏蔽效果好的用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,以达到解决现有电磁屏蔽效果差且质量笨重的技术问题。
根据本实用新型的一个方面,提供一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,包括屏蔽壳体,所述屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间,所述屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层、高导磁复合层和反射层。
在上述方案基础上优选,所述反射层的折射率大于该高导磁复合层的折射率。
在上述方案基础上优选,所述屏蔽层为轻质金属板。
在上述方案基础上优选,所述轻质金属板为铝合金板。
在上述方案基础上优选,所述高导磁复合层包括绝缘层和高导磁板,所述绝缘层设置在所述高导磁板两侧。
在上述方案基础上优选,所述高导磁板为矽钢板、坡莫合金板、镀锌的高碳钢板或镀镍的高碳钢板中的一种。
在上述方案基础上优选,所述绝缘层与所述屏蔽层之间和所述绝缘层与所述反射层之间设有非晶质铁高导磁层。
在上述方案基础上优选,所述非晶质铁高导磁层由多个非晶质铁片间隔设置形成栅状结构。
本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,利用屏蔽层对电磁波进行阻挡隔离,而部分未隔离的电磁波一方面穿过高导磁复合层打到反射层上,当入射的电磁波穿过高导磁复合层后碰到反射层后,在反射层的作用下再次被反射回来,通过控制高导磁复合层内的材料电磁特性,使得电磁波有适当的振幅和相态在高导磁复合层内进行多重反射,从而使得电磁波在高导磁复合层内进行多重吸收,以达到降低电磁波中反射量。
本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,利用反射层、高导磁复合层和屏蔽层的特性,构成低磁阻通路所形成的屏蔽电场、磁场的结构,以达到将低频磁场和高频电磁场进行吸收和导引至该屏蔽结构体内进行消减,实现其屏蔽的目的。
附图说明
图1为本实用新型的用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置的结构示意图;
图中:10、屏蔽层;20、高导磁复合层;21、绝缘层;22、高导磁板;23、非晶质铁高导磁层;30、反射层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
请参阅图1所示,本实用新型提供了一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,包括屏蔽壳体,该屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间,该屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层10、高导磁复合层20和反射层30,其中,反射层30的折射率大于该高导磁复合层20的折射率。
本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,利用屏蔽层10对电磁波进行阻挡隔离,而部分未隔离的电磁波一方面穿过高导磁复合层20打到反射层30上,当入射的电磁波穿过高导磁复合层20后碰到反射层30后,在反射层30的作用下再次被反射回来,通过控制高导磁复合层20内的材料电磁特性,使得电磁波有适当的振幅和相态在高导磁复合层20内进行多重反射,从而使得电磁波在高导磁复合层20内进行多重吸收,以达到降低电磁波中反射量。
请继续参阅图1所示,本实用新型的高导磁复合层20包括绝缘层21和高导磁板22,绝缘层21设置在高导磁板22两侧,利用绝缘层21将高导磁板22与两侧的反射层30、屏蔽层10完全隔离开。
本实用新型还在绝缘层21与屏蔽层10之间和绝缘层21与反射层30之间设有非晶质铁高导磁层23,且该非晶质铁高导磁层23由多个非晶质铁片间隔设置形成栅状结构。
将本实用新型用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置套装在交变磁场发生源的外部,产生的磁力线一部分被屏蔽层10阻隔在本实用新型内部,部分穿过屏蔽层10的磁力线通过非晶质铁片之间的缝隙发生干涉,抵消一部分电磁场能量,而经过干涉后的电磁场部分透过高导磁板22到达发射层,在反射层30的作用下再次反射进入绝缘层21与反射层30之间设有非晶质铁高导磁层23,产生干涉消耗其部分能量,而未消耗部分的电磁波再次进入高导磁板22进行内部,电磁波有适当的振幅和相态在高导磁复合层20内进行多重反射,从而使得电磁波在高导磁板22内进行多重吸收,以达到降低消灭电磁波中反射量,实现其屏蔽的目的。
本实用新型的的高导磁板22是矽钢板、坡莫合金板、镀锌的高碳钢板或镀镍的高碳钢板中的一种,且该屏蔽层10为轻质金属板,轻质金属板为铝合金板。
本实用新型的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,利用反射层30、高导磁复合层20和屏蔽层10的特性,构成低磁阻通路所形成的屏蔽电场、磁场的结构,以达到将低频磁场和高频电磁场进行吸收和导引至该屏蔽结构体内进行消减,实现其屏蔽的目的。
最后,本申请的方法仅为较佳的实施方案,并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,包括屏蔽壳体,所述屏蔽壳体的内部围设成一密闭的屏蔽空间,所述屏蔽空间的壁体由内而外包括屏蔽层、高导磁复合层和反射层。
2.如权利要求1所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述反射层的折射率大于该高导磁复合层的折射率。
3.如权利要求1所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述屏蔽层为轻质金属板。
4.如权利要求3所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述轻质金属板为铝合金板。
5.如权利要求1所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述高导磁复合层包括绝缘层和高导磁板,所述绝缘层设置在所述高导磁板两侧。
6.如权利要求5所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述高导磁板为矽钢板、坡莫合金板、镀锌的高碳钢板或镀镍的高碳钢板中的一种。
7.如权利要求6所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述绝缘层与所述屏蔽层之间和所述绝缘层与所述反射层之间设有非晶质铁高导磁层。
8.如权利要求7所述的一种用于屏蔽低频磁场及高频电磁场的装置,其特征在于,所述非晶质铁高导磁层由多个非晶质铁片间隔设置形成栅状结构。
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