CN208112500U - 一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极；利用ARM微处理器和低压大电流的MOS管Q1和MOS管Q2，具有较高的可控度和较高的可靠性；具有脉宽频率可调的优点，且调节无死区，具有较高的驱动能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及驱动电路技术领域，具体来说，涉及一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路。
背景技术
半桥驱动电路的作用主要是通过功率管产生交流电触发信号，从而产生大电流进一步驱动下级电路。目前的半桥驱动电路具有可控度低、并且具有脉宽频率无法调节的缺点，因此，目前的驱动电路具有驱动能力差的缺点。
实用新型内容
针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，能够克服现有技术的上述不足。
为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，所述电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，所述变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，所述电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，所述二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，所述的电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极，所述三极管VM30的集电极连接变压器T2的另一个输出端、二极管ZM6的正极和电阻RM69的另一端；所述ARM微处理器的12脚连接电阻RM11的一端，所述电阻RM11的另一端连接MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极连接变压器T1的一个输入端，所述变压器T1的一个输出端连接电阻RM49的一端和电阻RM50的一端，所述电阻RM49的另一端连接二极管DM4的正极，所述二极管DM4的负极连接三极管VM1的发射极、二极管ZM1的负极、电阻RM67的一端和电阻RM66的一端，所述的电阻RM50的另一端连接三极管VM1的基极，所述三极管VM1的集电极连接变压器T1的另一个输出端、二极管ZM1的正极和电阻RM66的另一端；所述ARM微处理器的16脚接VCC电源。
进一步的，所述MOS管Q1的源极和MOS管Q2的源极均接地。
进一步的，所述ARM微处理器的15脚接地。
进一步的，所述变压器T1的另一个输入端和变压器T2的另一个输入端均连接V15电源。
本实用新型的有益效果：本实用新型具有脉宽频率可调的优点，且调节无死区，具有较高的驱动能力；另外本实用新型由微处理器驱动，具有较高的可控度和较高的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例所述的利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示，根据本实用新型实施例所述的一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，所述电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，所述变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，所述电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，所述二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，所述的电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极，所述三极管VM30的集电极连接变压器T2的另一个输出端、二极管ZM6的正极和电阻RM69的另一端；所述ARM微处理器的12脚连接电阻RM11的一端，所述电阻RM11的另一端连接MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极连接变压器T1的一个输入端，所述变压器T1的一个输出端连接电阻RM49的一端和电阻RM50的一端，所述电阻RM49的另一端连接二极管DM4的正极，所述二极管DM4的负极连接三极管VM1的发射极、二极管ZM1的负极、电阻RM67的一端和电阻RM66的一端，所述的电阻RM50的另一端连接三极管VM1的基极，所述三极管VM1的集电极连接变压器T1的另一个输出端、二极管ZM1的正极和电阻RM66的另一端；所述ARM微处理器的16脚接VCC电源。
在一具体实施例中，所述MOS管Q1的源极和MOS管Q2的源极均接地。
在一具体实施例中，所述ARM微处理器的15脚接地。
在一具体实施例中，所述变压器T1的另一个输入端和变压器T2的另一个输入端均连接V15电源。
为了方便理解本实用新型的上述技术方案，以下通过具体使用方式上对本实用新型的上述技术方案进行详细说明。
根据本实用新型所述的一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，利用ARM微处理器进行控制，ARM微处理器分别连接低压大电流的MOS管Q1和MOS管Q2，低压大电流的MOS管Q1和MOS管Q2用于把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化，然后通过变压器T1和变压器T2后分别输出高频驱动信号和低频驱动信号。
本实用新型采用ARM微处理器具有较高的可控度和较高的可靠性；另外可以输出高频驱动信号和低频驱动信号，具有脉宽频率可调的优点，且调节无死区，具有较高的驱动能力。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，其特征在于，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，所述电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，所述变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，所述电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，所述二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，所述的电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极，所述三极管VM30的集电极连接变压器T2的另一个输出端、二极管ZM6的正极和电阻RM69的另一端；所述ARM微处理器的12脚连接电阻RM11的一端，所述电阻RM11的另一端连接MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极连接变压器T1的一个输入端，所述变压器T1的一个输出端连接电阻RM49的一端和电阻RM50的一端，所述电阻RM49的另一端连接二极管DM4的正极，所述二极管DM4的负极连接三极管VM1的发射极、二极管ZM1的负极、电阻RM67的一端和电阻RM66的一端，所述的电阻RM50的另一端连接三极管VM1的基极，所述三极管VM1的集电极连接变压器T1的另一个输出端、二极管ZM1的正极和电阻RM66的另一端；所述ARM微处理器的16脚接VCC电源。
2.根据权利要求1所述的一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q1的源极和MOS管Q2的源极均接地。
3.根据权利要求1所述的一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，其特征在于，所述ARM微处理器的15脚接地。
4.根据权利要求1所述的一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，其特征在于，所述变压器T1的另一个输入端和变压器T2的另一个输入端均连接V15电源。
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| CN201820705419.0U CN208112500U (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路 |
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2018
- 2018-05-14 CN CN201820705419.0U patent/CN208112500U/zh active Active
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