CN201533253U - 高频充电机的mos管驱动电路 - Google Patents

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Abstract

一种高频充电机的MOS管驱动电路，包括MOS管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、三极管，第一二极管的正极和第二二极管的负极一起接高频变压器次级的一端，第三电阻的一端与第三二极管的负极一起接高频变压器次级的另一端，第一二极管的负极接第一电阻的一端，第二二极管的正极接第二电阻的一端，第一电阻另一端和第二电阻的另一端接三极管的集电极及MOS管的栅极，第三二极管的另一端接三极管的基极，第三二极管的正极接接三极管的发射极及MOS管的源极，第四电阻的一端接三极管的集电极，另一端接三极管的发射极。本实用新型提高了高频充电机的效率和能源利用率，取得了稳定可靠、控制灵活、节能等有益效果。

Description

高频充电机的MOS管驱动电路
技术领域
本实用新型涉及高频充电机技术领域，特别是高频充电机的MOS管驱动电路。
背景技术
参见图1，目前高频充电机的MOS管驱动电路一般由二个电阻R1、R2和二个二极管D1、D2构成，电阻R1的一端接高频变压器的次级一端，电阻R1的另一端与二极管D1的正极、电阻R2的一端一起接MOS管的栅极，电阻R2和二极管D2的正极以及MOS管的源极。由上述MOS管驱动电路可以看出，其MOS管为P型功率MOS管，由于功率MOS管的栅源、栅漏和漏源之间存有寄生电容效应，其充放电的时间不仅延迟了MOS管的开通和截止时间，而且增加了功率损耗。而P型功率MOS管作为功率开关管在电路中高速开通和关断的过程中，不仅需要在栅源之间施加负脉冲电压，还必须在P型功率MOS管栅极注入和抽出足够大的电荷，才能使P型功率MOS管在开关电路中迅速的开通和截止，使得P型功率MOS管极间电容的电压在极短时间内快速上升和下降到期望的电压值，从而减少P型功率MOS管在开关过程中的功率损耗。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种高频充电机的MOS管驱动电路，以解决现有高频充电机的管驱动电路所存在的诸多问题。
本实用新型所需要解决的技术问题可以通过以下技术方案来进行：
一种高频充电机的MOS管驱动电路，其特征在于，包括MOS管BG1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管BG2，第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极一起接高频变压器次级的一端，第三电阻R3的一端与第三二极管D3的负极一起接高频变压器次级的另一端，第一二极管D1的负极接第一电阻R1的一端，第二二极管D2的正极接第二电阻R2的一端，第一电阻R1另一端和第二电阻R2的另一端接三极管BG2的集电极及MOS管BG1的栅极，第三二极管D3的另一端接三极管BG2的基极，第三二极管D3的正极接接三极管BG2的发射极及MOS管BG1的源极，第四电阻R4的一端接三极管BG2的集电极，另一端接三极管BG2的发射极；MOS管BG1为P型功率MOS管。
由于采用上述技术方案，本实用新型由于使用了浮动电压控制和三极管的导通和截止对MOS管BG1进行开关控制，从而改善了MOS管BG1的动态特性和开关工作效率，它通过电容的电路特性对MOS管BG1的栅极关断提供电荷输出回路和浮动电压，从而降低了MOS管BG1驱动电路的控制复杂度，提高了高频充电机的效率和能源利用率，取得了稳定可靠、控制灵活、节能等有益效果。
附图说明
图1为现有高频充电机的MOS管驱动电路的电原理示意图。
图2为本实用新型高频充电机的MOS管驱动电路的电原理示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。
参见图2，一种高频充电机的MOS管驱动电路，包括MOS管BG1、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、三极管BG2，第一二极管D1的正极和第二二极管D2的负极一起接高频变压器次级的一端，第三电阻R3的一端与第三二极管D3的负极一起接高频变压器次级的另一端，第一二极管D1的负极接第一电阻R1的一端，第二二极管D2的正极接第二电阻R2的一端，第一电阻R1另一端和第二电阻R2的另一端接三极管BG2的集电极及MOS管BG1的栅极，第三二极管D3的另一端接三极管BG2的基极，第三二极管D3的正极接接三极管BG2的发射极及MOS管BG1的源极，第四电阻R4的一端接三极管BG2的集电极，另一端接三极管BG2的发射极，MOS管BG1为P型功率MOS管。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (1)

1.一种高频充电机的MOS管驱动电路，其特征在于，包括MOS管(BG1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(BG2)，第一二极管(D1)的正极和第二二极管(D2)的负极一起接高频变压器次级的一端，第三电阻(R3)的一端与第三二极管(D3)的负极一起接高频变压器次级的另一端，第一二极管(D1)的负极接第一电阻(R1)的一端，第二二极管(D2)的正极接第二电阻(R2)的一端，第一电阻(R1)另一端和第二电阻(R2)的另一端接三极管(BG2)的集电极及MOS管(BG1)的栅极，第三二极管(D3)的另一端接三极管(BG2)的基极，第三二极管(D3)的正极接接三极管(BG2)的发射极及MOS管(BG1)的源极，第四电阻(R4)的一端接三极管(BG2)的集电极，另一端接三极管(BG2)的发射极。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103107683A (zh) * 2011-11-09 2013-05-15 上海施能电器设备厂 一种功率管的半桥驱动电路
CN104833817A (zh) * 2015-05-06 2015-08-12 成都诚邦动力测试仪器有限公司 一种基于线性驱动的电机测速系统
CN104897920A (zh) * 2015-05-06 2015-09-09 成都诚邦动力测试仪器有限公司 一种基于双场效应管振荡电路的电机转速测试系统

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