CN208063148U - 2-4g宽带低噪声放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为2‑4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，第二级PHEMT管源极通过扼流电感接第一级PHEMT管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级PHEMT管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级PHEMT管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连，该电路有效降低了整体电流，第一级采用较大PHEMT管芯，降低频带低端的噪声，第二级采用相同的PHEMT管芯，提高工作带宽内的增益，器件采用单电源供电。本实用新型与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为2-4G宽带低噪声放大器。
背景技术
传统的宽带放大电路，为了增加电路的工作带宽，通常采用负反馈等技术来实现宽带；由于反馈电阻会引入噪声，造成噪声系数的恶化，因而不适合超低噪声设计的场合。如果不采用负反馈技术又会造成输入驻波的恶化。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供2-4G宽带低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述2-4G宽带低噪声放大器具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
2-4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连。
优选的，第一级三极管、第二级三极管采用相同的PHEMT管芯。
优选的，第一级三极管、第二级三极管栅宽相同为300um。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：第一级三极管降低低频段的输入驻波和噪声，第二级三极管在兼顾功率容量的情况下提高电路的增益，该 2-4G宽带低噪声放大器电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比，在保证噪声系数的前提下，带宽明显拓宽。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；
图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；
图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；
图6为本实用新型电路的反向隔离测试图；
图7为本实用新型电路的反向隔离输出1dB压缩点测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供技术方案：
2-4G宽带低噪声放大器，采用两级放大器，采用电流复用结构。第一级三极管即Q1、第二级三极管即Q2，Q1漏极通过扼流电L3感接Q2源极；Q2源极接去耦电容C6，Q2栅极通过大电阻接偏置电压；Q1漏极通过隔直电容、匹配电路(电容C8、电感L4)与Q2栅极相连。有效降低了整体电流。Q1采用较大PHEMT 管管芯，降低频带低端的噪声，Q2采用相同尺寸的PHEMT管管芯，提高频带的增益。器件采用单电源供电。射频信号由Q1的栅极输入，由Q2漏极输出。
以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：
1、放大器的输入、输出和级间匹配电路的设计与非电流复用结构的设计方法是相同的。
2、C1-C8为隔直、去耦电容，L1，L3，L6为扼流电感，其他电容电感为匹配器件。R1-R7分压提供偏置电压。
3、Q1漏级和Q2源级之间的扼流电感通过平面螺旋电感实现。
4、Q2的栅极偏置电压为Q1的设计漏压与Q2的栅源电压之和。通过一大电阻R3加到栅极，电阻值应以不影响交流匹配为宜，该电阻也可以用扼流电感代替。
5、Q1，Q2栅宽相同为300um。
6、第一级PHEMT管源极RC负反馈结构提高了电路静态工作点的稳定性，同时也提高了信号传输时电路的稳定性。
根据图1的电路结构，选择适当匹配后，设计的2-4G宽带低噪声放大器的实际测试结果参见图2-7。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.2-4G宽带低噪声放大器，其特征在于：包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连。
2.根据权利要求1所述的2-4G宽带低噪声放大器，其特征在于：第一级三极管、第二级三极管采用相同的PHEMT管芯。
3.根据权利要求1所述的2-4G宽带低噪声放大器，其特征在于：第一级三极管、第二级三极管栅宽相同为300um。
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|---|---|---|---|---|
| CN114978051A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-08-30 | 北京信芯科技有限公司 | 一种基于增强型晶体管的电流复用低噪声放大器 |
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2018
- 2018-04-25 CN CN201820598485.2U patent/CN208063148U/zh active Active
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| CN114978051A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-08-30 | 北京信芯科技有限公司 | 一种基于增强型晶体管的电流复用低噪声放大器 |
| CN114978051B (zh) * | 2022-07-15 | 2022-10-28 | 北京信芯科技有限公司 | 一种基于增强型晶体管的电流复用低噪声放大器 |
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