CN203951442U - 微波单片集成宽带低噪声放大器 - Google Patents
微波单片集成宽带低噪声放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203951442U CN203951442U CN201420346522.2U CN201420346522U CN203951442U CN 203951442 U CN203951442 U CN 203951442U CN 201420346522 U CN201420346522 U CN 201420346522U CN 203951442 U CN203951442 U CN 203951442U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- inductance
- capacitor
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 34
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003412 degenerative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种微波单片集成宽带低噪声放大器，其包括输入阻抗电路、输出阻抗电路、并联反馈电路、偏置电路以及串联耦接的第一晶体管M1和第二晶体管M2；偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路；输入阻抗电路分别与第一晶体管M1、自偏置电路和信号输入端连接；第一晶体管M1和第二晶体管M2之间设置有级间匹配电路；第二晶体管M2分别与并联反馈电路和输出阻抗电路连接，输出阻抗电路的输出端与信号输出端连接；电流复用偏置电路分别与第一晶体管M1和第二晶体管M2连接。本实用新型提供的微波单片集成宽带低噪声放大器能够同时保证低功耗和高增益。
Description
技术领域
本实用新型涉及一个放大器，具体涉及一种微波单片集成宽带低噪声放大器。
背景技术
低噪声放大器位于无线接收系统的前端，其主要功能是将天线的低电压信号进行小信号放大。传统的两级低噪声宽带放大器有两种电路方案：
共源-共源低噪声宽带放大器，包括两个串联连接的晶体管，前级晶体管和末级晶体管的栅极偏置在合适的栅压，前级晶体管输出功率要求不大，能够驱动末级即可，前级晶体管通过一降压电阻获得合适的漏压。末级晶体管为了获得更大输出功率，偏置在尽可能高的漏压。
共源-共栅低噪声宽带放大器，前级晶体管为共源结构，末级晶体管为共栅结构，前级晶体管的漏极与所述末级晶体管的源极直接相连，用于将末级晶体管的直流电流提供给前级晶体管。前级晶体管的栅极偏置在合适的栅压，末级晶体管栅极接通过电阻连接电源实现降压，使末级晶体管工作在合适的偏置点。
共源-共源低噪声宽带放大器的缺点是两级电路通过电源分别馈电，前级晶体管通过电阻降压获得合适的漏压，造成功耗增加；共源-共栅低噪声宽带放大器的缺点是虽然共栅晶体管大幅度提高了放大器的输出阻抗匹配，拓宽了频段，但是对增益放大贡献很小，增益主要由前级共源晶体管提供，后级共栅晶体管主要用来提供电路的反向隔离度。
实用新型内容
针对现有技术中低噪声宽带放大器存在的上述不足，本实用新型提供的微波单片集成宽带低噪声放大器解决低功耗和高增益难以同时满足的问题。
为了达到上述发明目的，本实用新型提供的微波单片集成宽带低噪声放大器的技术方案为：包括输入阻抗电路、输出阻抗电路、并联反馈电路、偏置电路以及串联耦接的第一晶体管M1和第二晶体管M2；偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路；输入阻抗电路分别与第一晶体管M1、自偏置电路和信号输入端连接；第一晶体管M1和第二晶体管M2之间设置有级间匹配电路；第二晶体管M2分别与并联反馈电路和输出阻抗电路连接，输出阻抗电路的输出端与信号输出端连接；电流复用偏置电路分别与第一晶体管M1和第二晶体管M2连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
本微波单片集成宽带低噪声放大器采用的两级级联的共源放大器的电路形式，输入信号经过两次放大，实现了低噪声、高增益的性能要求。由于该放大器采用电流复用技术，只消耗了一路直流电流，节省了功耗；其是采用堆叠式结构，在增益、噪声和功耗等方面有较好的折衷。
附图说明
图1为本实用新型的微波单片集成宽带低噪声放大器的电路图。
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本实用新型，但应该清楚，本实用新型不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本实用新型的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本实用新型构思的发明创造均在保护之列。
参考图1，图1示出了本实用新型的微波单片集成宽带低噪声放大器的电路图；如图1所示，本实施例采用的技术方案为：
包括输入阻抗电路、输出阻抗电路、并联反馈电路、偏置电路以及串联耦接的第一晶体管M1和第二晶体管M2；偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路；输入阻抗电路分别与第一晶体管M1、自偏置电路和信号输入端连接；第一晶体管M1和第二晶体管M2之间设置有级间匹配电路；第二晶体管M2分别与并联反馈电路和输出阻抗电路连接，输出阻抗电路的输出端与信号输出端连接；电流复用偏置电路分别与第一晶体管M1和第二晶体管M2连接。第二晶体管的漏极经负载电感Ld2与电源连接。
本实用新型的微波单片集成宽带低噪声放大器采用MMIC工艺制造。由于MMIC工艺的衬底材料电子迁移率较禁带宽度宽、工作温度范围大、微波传输性能好，所以MMIC具有电路插损小、噪声低、频带宽、动态范围大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。第一晶体管M1和第二晶体管M2为PHEMT场效应晶体管，第一晶体管M1的栅宽为4×50 um，第二晶体管M2的栅宽为4×75 um。
级间匹配电路包括第四电容C1、第五电感L1；所述第五电感L1一端与第二晶体管M2的栅极连接，另一端与第四电容C1连接；所述第四电容C1另一端与第一晶体管M1漏极的栅极连接。其中第四电容C1还可以相当于一个耦合电路，其为级间匹配电路提供一个低阻抗通路，将第一晶体管M1的输出信号耦合到第二晶体管M2的输出端。
由第一晶体管M1和第二晶体管M2构成的两级级联电路中，第一晶体管M1主要实现低噪声和输入驻波匹配，同时兼顾提高增益，减小后级噪声的影响。与第二晶体管M2连接的并联反馈电路用于改善所述的放大器的增益平坦性，并获得较好的输入和输出匹配，有效地拓宽放大器的带宽。并联反馈电路包括依次串联在一起的第一反馈电阻Rf、第一反馈电感Lf和第一反馈电容Cf，第一反馈电容Cf的另一端与第二晶体管M2的栅极连接，第一反馈电阻Rf的另一端与第二晶体管M2的漏极连接。
偏置电路用于向第一晶体管M1和第二晶体管M2提供偏置电压，偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路，自偏置电路包括第二电感Lg1、第二电容Cg1和第一电阻Rg1，第二电感Lg1一端与第一电感Lin连接，另一端分别与第二电容Cg1和第一电阻Rg1连接；第二电容Cg1和第一电阻Rg1并联后接地。
自偏置电路还包括第三电感Ls1、第三电容Cs1和第二电阻Rs1；第三电感Ls1一端与第一晶体管M1连接，另一端分别与第三电容Cs1和第二电阻Rs1连接；第三电容Cs1和第二电阻Rs1并联后接地。
电流复用偏置电路包括连接于第一晶体管M1漏极和第二晶体管M2源极之间的第四电感L2。
输入阻抗电路包括第一电容Cin和第一电感Lin，第一电容Cin一端与信号输入端连接，一端与第一电感Lin连接；第一电感Lin的另一端与第一晶体管M1的栅极连接。
输出阻抗电路包括第五电容Cout和第六电感Lout，第五电容Cout一端与第二晶体管M2的漏极连接，另一端与第六电感Lout连接；第六电感Lout另一端与信号输出端连接。
LS1为第一晶体管M1源极负反馈电感，为输入阻抗Zin提供实部，Lin和第一晶体管M1一起形成谐振电路，用来抵消输入阻抗Zin的虚部，Cin主要目的为隔离直流。第一晶体管M1的输入阻抗如下：
其中，gm1是第一晶体管M1的跨导，Cgs1是第一晶体管M1的栅源电容，S为拉氏变换的数学表达形式。从上式中可以看出由于源极负反馈电感的引入，给放大器输入部分增加了一个实部，这样就缩小了最佳噪声阻抗Zopt和Zin之间的差量。虽然最小噪声系数随Ls1增大而减小，但过大的Ls1会严重降低增益，容易引入后级噪声的影响。
第一晶体管M1采用自偏置技术来实现单电源供电。第一晶体管M1的栅极通过一个大电感Lg1接地，让第一晶体管M1的栅极偏置在零电位，同时阻断射频信号进入交流地。在第一晶体管M1的源端插入一个小电阻Rs1，其值等于第一晶体管M1所需栅压Vgs除以希望的第一晶体管M1漏极电流，将第一晶体管M1源端电位提高到一个正的直流电位，幅度等于所需的栅-源极间的电压，为了防止损失射频增益，源端通过一个大的去耦电容Cs1接地。为了提高低频稳定性，第一晶体管M1栅极的偏置电感Lg1通过由电阻Rg1和电容Cg1组成的并联支路再接地，Cg1对射频信号起到旁路的作用，低频信号经过Rg1的衰减，可以提高稳定性。
为了减小功耗，放大器采用电流复用技术。它将第一晶体管M1和第二晶体管M2放在一条偏置支路中，共用偏置电流，射频信号从第一晶体管M1的栅极进入，一路由于受到输入阻抗电路和输出阻抗电路的隔离而无法通过，还有一路从第四电容C1进入第二晶体管M2栅极，最后从第二晶体管M2的漏极流出，这样从交流信号来讲，电路仍然保持级联的结构，但是直流功耗相对于单级共源电路没有发生改变，射频性能却相当于是第一晶体管M1和第二晶体管M2的并联，等效跨导Gm=g1+g2，换句话说，也就是电路在直流功耗相同的情况下，增益变为原来的两倍，所以电流复用这种技术保证增益不变的情况下降低了电路的功耗。
偏置电路还包括第一分压电阻Rd1、第二分压电阻Rd2和第一隔离电阻R1，第一分压电阻Rd1一端与电源连接，另一端分别与第二分压电阻Rd2和第一隔离电阻R1连接；第二分压电阻Rd2另一端接地，第一隔离电阻R1另一端与第二晶体管M2的栅极连接。
第一分压电阻Rd1和第二分压电阻Rd2起分压的作用，为第二晶体管M2提供合适的偏置点。为了阻止所需的射频信号进入公共地，第二晶体管M2的栅极通过的10k欧姆的第一隔离电阻R1连接到电源。
第二晶体管M2的负载电感Ld2和第二晶体管M2栅源的寄生电容Cgs2构成并联峰值结构，通过负载电感Ld2引入零点，补偿因寄生电容Cgs2引起的增益下降，同时增加放大器的带宽。
第二晶体管M2从漏极到栅极之间连接的第一反馈电阻Rf，相当于加载了一个负反馈回路。负反馈的作用是稳定器件，能够使输入和输出阻抗接近于50欧姆。为了获得最佳响应，一些附加元件需要加入放大器中，每个元件都对获得最佳性能起到了特别的作用。第一反馈电阻Rf是关键反馈元件，其值决定了互相制约的增益和带宽，第一反馈电感Lf反馈回路引进一定程度的频率依赖性：在最低频率点，第一反馈电感Lf不起作用，第一反馈电阻Rf控制增益大小；在高频端，第一反馈电感Lf的电抗值增大，从而降低了负反馈深度，因此，第一反馈电感Lf的作用是保持增益平坦，使放大器工作在一个较高的频率。第一反馈电容Cf是一个隔直流元件，用于将漏极偏置和栅极偏置隔离开来。尽管反馈网络获得了相当接近于50欧姆的输入输出阻抗，但仍需要其他匹配元件去获得好的输入输出回路损耗特性。
该放大器还包括对电源进行滤波的滤波电容Cd2，滤波电容Cd2一端与电源输出端连接，另一端接地；第二晶体管M2的源极还设置有去耦电容CS2，去耦电容CS2一端与第二晶体管M2源极连接，另一端接地。
与现有技术相比，本微波单片集成宽带低噪声放大器采用的两级级联的共源放大器的电路形式，输入信号经过两次放大器，实现了低噪声、高增益的性能要求。由于该放大器采用电流复用技术，只消耗了一路直流电流，节省了功耗；其是采用堆叠式结构，在增益、噪声和功耗等方面有较好的折衷。
Claims (10)
1.一种微波单片集成宽带低噪声放大器，包括串联耦接的第一晶体管M1和第二晶体管M2，其特征在于：还包括输入阻抗电路、输出阻抗电路、并联反馈电路和偏置电路；所述偏置电路包括自偏置电路和电流复用偏置电路；所述输入阻抗电路分别与所述第一晶体管M1、所述自偏置电路和信号输入端连接；所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2之间设置有级间匹配电路；所述第二晶体管M2分别与所述并联反馈电路和所述输出阻抗电路连接，所述输出阻抗电路的输出端与信号输出端连接；所述电流复用偏置电路分别与所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2连接。
2.根据权利要求1所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述第二晶体管的漏极经负载电感Ld2与电源连接。
3.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述输入阻抗电路包括第一电容Cin和第一电感Lin，所述第一电容Cin一端与信号输入端连接，一端与第一电感Lin连接；所述第一电感Lin的另一端与第一晶体管M1的栅极连接。
4.根据权利要求3所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述自偏置电路包括第二电感Lg1、第二电容Cg1和第一电阻Rg1，所述第二电感Lg1一端与第一电感Lin连接，另一端分别与第二电容Cg1和第一电阻Rg1连接；所述第二电容Cg1和第一电阻Rg1并联后接地。
5.根据权利要求4所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述自偏置电路还包括第三电感Ls1、第三电容Cs1和第二电阻Rs1；所述第三电感Ls1一端与第一晶体管M1连接，另一端分别与第三电容Cs1和第二电阻Rs1连接；所述第三电容Cs1和第二电阻Rs1并联后接地。
6.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述电流复用偏置电路包括连接于所述第一晶体管M1漏极和所述第二晶体管M2源极之间的第四电感L2。
7.根据权利要求2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述级间匹配电路包括第四电容C1、第五电感L1；所述第五电感L1一端与第二晶体管M2的栅极连接，另一端与第四电容C1连接；所述第四电容C1另一端与第一晶体管漏极M1的栅极连接。
8.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述并联反馈电路包括依次串联在一起的第一反馈电阻Rf、第一反馈电感Lf和第一反馈电容Cf，所述第一反馈电容Cf的另一端与第二晶体管M2的栅极连接，第一反馈电阻Rf的另一端与第二晶体管M2的漏极连接。
9.根据权利要求2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述偏置电路还包括第一分压电阻Rd1、第二分压电阻Rd2和第一隔离电阻R1，所述第一分压电阻Rd1一端与电源连接，另一端分别与第二分压电阻Rd2和第一隔离电阻R1连接；所述第二分压电阻Rd2另一端接地，所述第一隔离电阻R1另一端与第二晶体管M2的栅极连接。
10.根据权利要求1或2所述的微波单片集成宽带低噪声放大器，其特征在于：所述输出阻抗电路包括第五电容Cout和第六电感Lout，所述第五电容Cout一端与第二晶体管M2的漏极连接，另一端与第六电感Lout连接；所述第六电感Lout另一端与信号输出端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420346522.2U CN203951442U (zh) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | 微波单片集成宽带低噪声放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420346522.2U CN203951442U (zh) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | 微波单片集成宽带低噪声放大器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203951442U true CN203951442U (zh) | 2014-11-19 |
Family
ID=51893457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420346522.2U Expired - Lifetime CN203951442U (zh) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | 微波单片集成宽带低噪声放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203951442U (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107359863A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 集成放大器 |
| CN108649911A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-10-12 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种毫米波宽带高效率晶体管堆叠功率放大器 |
| CN109756199A (zh) * | 2017-11-06 | 2019-05-14 | 恩智浦美国有限公司 | 采用多种半导体技术实施的多级功率放大器 |
| CN110011626A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-12 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
| CN110868197A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-06 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种基于非线性传输线的超宽带微波取样电路及取样方法 |
| CN112865712A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-28 | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 | 一种低噪声放大器 |
| CN115085677A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-09-20 | 电子科技大学 | 一种多谐振频率点的宽带型低噪声放大器 |
| CN116094469A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-05-09 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种共栅放大电路、低噪声放大器以及一种超宽带接收机 |
| CN117081523A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-17 | 四川益丰电子科技有限公司 | 一种宽带衰减低噪声放大多功能芯片 |
-
2014
- 2014-06-27 CN CN201420346522.2U patent/CN203951442U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107359863B (zh) * | 2017-07-18 | 2020-08-18 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 集成放大器 |
| CN107359863A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-17 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 集成放大器 |
| CN109756199A (zh) * | 2017-11-06 | 2019-05-14 | 恩智浦美国有限公司 | 采用多种半导体技术实施的多级功率放大器 |
| CN110011626B (zh) * | 2017-12-27 | 2023-01-17 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
| CN110011626A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-12 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路 |
| CN108649911A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-10-12 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种毫米波宽带高效率晶体管堆叠功率放大器 |
| CN108649911B (zh) * | 2018-06-15 | 2023-10-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种毫米波宽带高效率晶体管堆叠功率放大器 |
| CN110868197A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-06 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种基于非线性传输线的超宽带微波取样电路及取样方法 |
| CN112865712A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-05-28 | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 | 一种低噪声放大器 |
| CN112865712B (zh) * | 2020-12-28 | 2023-09-15 | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 | 一种低噪声放大器 |
| CN115085677A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-09-20 | 电子科技大学 | 一种多谐振频率点的宽带型低噪声放大器 |
| CN116094469A (zh) * | 2023-04-11 | 2023-05-09 | 南京米乐为微电子科技有限公司 | 一种共栅放大电路、低噪声放大器以及一种超宽带接收机 |
| CN117081523A (zh) * | 2023-10-18 | 2023-11-17 | 四川益丰电子科技有限公司 | 一种宽带衰减低噪声放大多功能芯片 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203951442U (zh) | 微波单片集成宽带低噪声放大器 | |
| CN107332517B (zh) | 一种基于增益补偿技术的高线性宽带堆叠低噪声放大器 | |
| CN103117711B (zh) | 一种单片集成的射频高增益低噪声放大器 | |
| CN106059505B (zh) | 一种低噪声高输出电阻的跨导放大器 | |
| CN106571780A (zh) | 一种自适应偏置的射频功率放大器 | |
| CN108336978B (zh) | 一种级联的分布式低噪声放大器 | |
| CN207869070U (zh) | 有源偏置达林顿结构放大器 | |
| CN104617905B (zh) | 射频放大器及射频放大方法 | |
| CN109245734A (zh) | 一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器 | |
| CN104539242B (zh) | 电流复用低噪声放大器 | |
| CN209330069U (zh) | 一种有源偏置Cascode射频放大器 | |
| CN109167578B (zh) | 一种带有源电感的超宽带低噪声放大器 | |
| TW201507348A (zh) | 超寬頻低雜訊低功率損耗放大器電路 | |
| CN213027963U (zh) | 一种5g通信wifi平台抗失配低噪声放大器 | |
| CN105680802A (zh) | 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器 | |
| CN104242830A (zh) | 基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器 | |
| CN103633947A (zh) | 一种无电感高增益cmos宽带低噪声放大器 | |
| CN108736847B (zh) | 基于精确谐振回路控制的高效率逆d类堆叠功率放大器 | |
| CN112564640B (zh) | 一种负反馈型放大器 | |
| CN106817094B (zh) | 一种射频低噪声放大器及其实现方法 | |
| CN103888083B (zh) | 宽带低噪声放大器 | |
| CN107623496A (zh) | 一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器 | |
| CN204993260U (zh) | 宽带功率放大器 | |
| CN108599730B (zh) | 一种基于紧凑型谐振器的高效率f类堆叠功率放大器 | |
| CN114531121B (zh) | 一种对温度不敏感的线性功率放大器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20141119 |