CN208063145U - 8-12g宽带低噪声放大器 - Google Patents
8-12g宽带低噪声放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208063145U CN208063145U CN201820606110.6U CN201820606110U CN208063145U CN 208063145 U CN208063145 U CN 208063145U CN 201820606110 U CN201820606110 U CN 201820606110U CN 208063145 U CN208063145 U CN 208063145U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- triode
- level
- amplifier
- grid
- connects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为8‑12G低噪声放大器，由三级放大器构成，放大器采用电流复用供电。第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器采用窄栅宽三极管，第三级放大器采用窄栅宽三极管。与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为8-12G宽带低噪声放大器。
背景技术
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供8-12G宽带低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述8-12G宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
8-12G宽带低噪声放大器，包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极管栅极相连。
优选的，第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器、第三级放大器采用窄栅宽三极管，第一级三极管栅宽200um，第二级三极管栅宽100um，第三级三极管栅宽100um。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数；有效降低了整体电流。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；
图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；
图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；
图6为本实用新型电路的输出1dB压缩点测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供技术方案：
8-12G宽带低噪声放大器，采用三级放大器，采用电流复用结构。Q1漏级通过扼流电感L4接Q2源级；Q2源级接去耦电容C4，Q2栅极通过大电阻接偏置电压；Q1漏级通过隔直电容、匹配电路与Q2栅极相连。Q2漏级通过扼流电感接Q3源级；Q3源级接去耦电容，Q3栅极通过大电阻R3接偏置电压；Q2漏级通过隔直电容、匹配电路(电容C10、电感L5)与Q3栅极相连。有效降低了整体电流。Q1源级加入了直流反馈电阻R1，当工艺出现波动，三极管的电流发生变化时，会在反馈电阻上产生一个反馈电压，从而抵消电流的变化。器件采用单电源供电。射频信号由Q1的栅极输入，由Q3漏级输出。
以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：
1、放大器的输入、输出和级间匹配电路的设计与非电流复用结构的设计方法是相同的。
2、C1-C7为隔直、去耦电容，L2，L4，L6，L7为扼流电感，其他电容电感为匹配器件。R1-R7分压提供偏置电压。为了获得好的电流稳定效果，R1上的压降应足够大，即应比工艺漂移大数倍。。
3、Q1漏级和Q2源级之间的扼流电感通过平面螺旋电感实现。
4、Q2的栅极偏置电压为Q1的设计漏压与Q2的栅源电压之和，通过一大电阻R3加到栅极。Q3的栅极偏置电压为Q2的设计漏压与Q3的栅源电压之和，通过一大电阻R4加到栅极。R3，R4电阻值应以不影响交流匹配为宜，该电阻也可以用扼流电感代替；
5、为了获得好的噪声，选取Q1栅宽200um，Q2栅宽100um,Q3栅宽100um。
根据图1的电路结构，选择适当匹配后，设计的8-12G低噪声放大器的实际测试结果参见图2-6。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (2)
1.8-12G宽带低噪声放大器，其特征在于：包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极管栅极相连。
2.根据权利要求1所述的8-12G宽带低噪声放大器，其特征在于：第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器、第三级放大器采用窄栅宽三极管，第一级三极管栅宽200um，第二级三极管栅宽100um，第三级三极管栅宽100um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820606110.6U CN208063145U (zh) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 8-12g宽带低噪声放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820606110.6U CN208063145U (zh) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 8-12g宽带低噪声放大器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208063145U true CN208063145U (zh) | 2018-11-06 |
Family
ID=63982589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820606110.6U Active CN208063145U (zh) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 8-12g宽带低噪声放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208063145U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112165304A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-01 | 西安博瑞集信电子科技有限公司 | 一种毫米波低噪声放大器芯片 |
| CN113271091A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-17 | 北京无线电测量研究所 | 一种放大电路 |
-
2018
- 2018-04-26 CN CN201820606110.6U patent/CN208063145U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112165304A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-01 | 西安博瑞集信电子科技有限公司 | 一种毫米波低噪声放大器芯片 |
| CN113271091A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-08-17 | 北京无线电测量研究所 | 一种放大电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106059505B (zh) | 一种低噪声高输出电阻的跨导放大器 | |
| Mury et al. | Inverse class-E amplifier with transmission-line harmonic suppression | |
| CN106301237B (zh) | 低功耗三频带低噪声放大器 | |
| CN207070016U (zh) | 一种基于增益补偿技术的高线性宽带堆叠低噪声放大器 | |
| CN208063144U (zh) | 4-8GHz宽带低噪声放大器 | |
| CN208063145U (zh) | 8-12g宽带低噪声放大器 | |
| CN110113036A (zh) | 一种高线性低谐波的射频开关电路结构 | |
| US10594274B2 (en) | Power amplifier cell | |
| CN107171647A (zh) | 具有低损耗和温度补偿的自适应偏置电路及无线发射系统 | |
| Rahmani et al. | High Power Two-Stage Class-AB/J Power Amplifier with High Gain and Efficiency | |
| Rahmani et al. | Novel Approach to Design of a Class-EJ Power Amplifier Using High Power Technology | |
| CN101826847A (zh) | 高效率的单端转双端放大器 | |
| CN107306118A (zh) | 功率放大模块 | |
| CN103457555B (zh) | 采用任意耦合系数片上变压器的毫米波放大器单向化网络 | |
| CN106953612A (zh) | 一种基于寄生反馈消除技术的高增益放大电路 | |
| WO2004023646A1 (en) | Class-f doherty amplifier | |
| CN106505901B (zh) | 一种线性-谐振复合式超高频逆变器 | |
| CN105048971B (zh) | 基于开关谐振结构的高效率Doherty功率放大器实现方法 | |
| CN208063143U (zh) | 1-2GHz宽带低噪声放大器 | |
| CN106817094A (zh) | 一种射频低噪声放大器及其实现方法 | |
| CN208063148U (zh) | 2-4g宽带低噪声放大器 | |
| CN208001267U (zh) | 2.7-3.5GHz低噪声放大器 | |
| CN208063146U (zh) | 18-32GHz宽带低噪声放大器 | |
| Hanna et al. | A class-J power amplifier for 5G applications in 28nm CMOS FD-SOI technology | |
| CN110212870B (zh) | 一种电流复用型gm-boost低噪声放大器的集成电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 230088 building e, Anhui scientific and technological achievements transformation demonstration base, No. 425, Chuangxin Avenue, high tech Zone, Hefei, Anhui Patentee after: Hefei Silicon Valley Microelectronics Co.,Ltd. Address before: Room 1001-1002, F1 building, phase II, innovation industrial park, 2800 innovation Avenue, high tech Zone, Hefei City, Anhui Province, 230088 Patentee before: HEFEI IC VALLEY MICROELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |