CN208029168U - 干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，包括刻蚀模块和离子风机，所述刻蚀模块和离子风机传送连接；所述离子风机设置有同一水平面的离子风机进口和离子风机出口，所述离子风机顶端设置有风扇，在高于所述离子风机进口的离子风机内侧面设置有连接的高压发生器和电离器。本实用新型的离子风机能够提供大范围的除静电区域、快速的除静电时间和稳定的离子平衡电压。离子风机可产生大量的带有正负电荷的气流，可以将物体上所带的电荷中和掉。增加离子风机产生带有正负电荷的气流，可以将晶圆表面及表面膜里所带残留电荷中和，增加晶圆产出的可靠性及安全性。

Description

干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，尤其涉及一种干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件。

背景技术

氧化膜刻蚀在整个晶圆的制造过程中，已起到主要的工艺流程。其最基本的作用就是作为绝缘层进行隔离金属层。如图1所示，作为介质层被夹在金属层的中间，相当于形成了一个平行板状的电容装置，容易聚集电荷，却不容易被释放。

在实际应用中，这种情况也经常发生。如图2-4所示，刻蚀机台在刻蚀过程中是需要将晶圆(wafer)通过静电吸附来固定晶圆(wafer)。在刻蚀这个过程完成后，机台也需要通过等离子(plasma)放电，或机台输出反向电压进行电性中和。这个过程中，是一个方向性的问题，无法量化；也就是说，中和电荷这个动作可能会导致电荷中和刚好，或者电荷中和偏少，又或者电荷中和过多。其后果就是晶圆(wafer)表面会残留电荷，随后在传送运输过程中，容易吸附大气中的颗粒物或者在酸槽中吸附颗粒物，形成晶圆的表面缺陷。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的缺陷，提供一种能够清除晶圆表面及表面膜里所带残留电荷中和，增加晶圆产出的可靠性及安全性，减少由于静电吸附颗粒产生缺陷的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

一种干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，包括刻蚀模块和离子风机，所述刻蚀模块和离子风机传送连接；所述离子风机设置有同一水平面的离子风机进口和离子风机出口，所述离子风机顶端设置有风扇，在高于所述离子风机进口的离子风机内侧面设置有连接的高压发生器和电离器。

为了进一步优化上述技术方案，本实用新型所采取的技术措施为：

优选的，所述离子风机还包括传送装置，传送装置穿过所述离子风机进口和离子风机出口。

更优选的，所述传送装置为传送带。

更优选的，所述传送带上设置有晶圆托盘。

更优选的，所述晶圆托盘固定设置于传送带上。

优选的，所述离子风机中在所述电离器上方设置有空气过滤器。

更优选的，所述空气过滤器为滤网。

更优选的，所述空气过滤器为高效空气过滤器。

本实用新型采用以上技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：

本实用新型的离子风机能够提供大范围的除静电区域、快速的除静电时间和稳定的离子平衡电压。离子风机可产生大量的带有正负电荷的气流，可以将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷时，它会吸引气流中的正电荷；当物体表面所带电荷为正电荷时，它会吸引气流中的负电荷。等量正负电荷接触时，即可达到电性中和。增加离子风机产生带有正负电荷的气流，可以将晶圆表面及表面膜里所带残留电荷中和，增加晶圆产出的可靠性及安全性。本实用新型通过在传送平台上增加离子风机装置模块，设备改造及通信方式上较简易，体积小，风量大小可调节，消电空间范围大。

附图说明

图1为现有的干法刻蚀后的晶圆剖面示意图；

图2为现有的干法刻蚀后的吸附颗粒示意图；

图3为现有技术的晶圆的电子显微镜下的结构示意图；

图4为现有技术的晶圆的电子显微镜下的结构示意图；

图5为本实用新型的一种优选实施例的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件的结构示意图；

图6为本实用新型的一种优选实施例的原理示意图；

图7为本实用新型的一种优选实施例的离子风机的结构示意图；

图8为本实用新型的一种优选实施例的离子风机的结构示意图；

其中的附图标记为：

1刻蚀模块；2离子风机；21离子风机进口；22离子风机出口；23风扇；24高压发生器；25电离器；26传送装置；27晶圆托盘；28空气过滤器。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案做进一步的详细说明。

如图5和图7所示，本实用新型的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，包括刻蚀模块1和离子风机2，所述刻蚀模块1和离子风机2传送连接；所述离子风机2设置有同一水平面的离子风机进口21和离子风机出口22，所述离子风机2顶端设置有风扇23，在高于所述离子风机进口21的离子风机2内侧面设置有连接的高压发生器24和电离器25。

优选的，所述高压发生器24可设置在离子风机2内部或者外部均可，优选为将高压发生器24设置在离子风机2外部，只余电离器25设置在离子风机2内部。

更进一步的，在一种优选的实施例中，所述离子风机2还包括传送装置26，传送装置26穿过所述离子风机进口21和离子风机出口22。

再进一步的，在一种优选的实施例中，所述传送装置26为传送带。

再进一步的，在一种优选的实施例中，所述传送装置26上设置有晶圆托盘27。

再进一步的，在一种优选的实施例中，所述晶圆托盘27固定设置于传送装置26上。

如图8所示，在一种优选的实施例中，所述离子风机2中在所述电离器25上方设置有空气过滤器28。

进一步的，在一种优选的实施例中，所述空气过滤器28为滤网。

更进一步的，在一种优选的实施例中，所述空气过滤器28为高效空气过滤器。

本实用新型的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件的流程为：

晶圆在刻蚀模块1中进行干法刻蚀后，放置入晶圆托盘27中，经传送装置26传送到离子风机进口21进入离子风机2，启动风扇23、高压发生器24和电离器25，如图6所示，使产生大量的带有正负电荷的气流，将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷时，它会吸引气流中的正电荷；当物体表面所带电荷为正电荷时，它会吸引气流中的负电荷。等量正负电荷接触时，即可达到电性中和。优选的，在电离器25上方设置空气过滤器28，能进一步的过滤微尘。电性中和后将启动风扇23、高压发生器24和电离器25关闭，再将晶圆通过传送装置26经离子风机出口22传送出离子风机即可。

综上所述，本实用新型的离子风机能够提供大范围的除静电区域、快速的除静电时间和稳定的离子平衡电压。离子风机可产生大量的带有正负电荷的气流，可以将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷时，它会吸引气流中的正电荷；当物体表面所带电荷为正电荷时，它会吸引气流中的负电荷。等量正负电荷接触时，即可达到电性中和。增加离子风机产生带有正负电荷的气流，可以将晶圆表面及表面膜里所带残留电荷中和，增加晶圆产出的可靠性及安全性。本实用新型通过在传送平台上增加离子风机装置模块，设备改造及通信方式上较简易，体积小，风量大小可调节，消电空间范围大。

以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但其只作为范例，本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对该实用进行的等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。

Claims (8)

1.一种干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：包括刻蚀模块(1)和离子风机(2)，所述刻蚀模块(1)和离子风机(2)传送连接；所述离子风机(2)设置有同一水平面的离子风机进口(21)和离子风机出口(22)，所述离子风机(2)顶端设置有风扇(23)，在高于所述离子风机进口(21)的离子风机(2)内侧面设置有连接的高压发生器(24)和电离器(25)。

2.根据权利要求1所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述离子风机(2)还包括传送装置(26)，传送装置(26)穿过所述离子风机进口(21)和离子风机出口(22)。

3.根据权利要求2所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述传送装置(26)为传送带。

4.根据权利要求3所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述传送装置(26)上设置有晶圆托盘(27)。

5.根据权利要求4所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述晶圆托盘(27)固定设置于传送装置(26)上。

6.根据权利要求1所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述离子风机(2)中在所述电离器(25)上方设置有空气过滤器(28)。

7.根据权利要求6所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述空气过滤器(28)为滤网。

8.根据权利要求6所述的干法刻蚀后晶圆上残留静电去除的装置组件，其特征在于：所述空气过滤器(28)为高效空气过滤器。