CN207924642U - 一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片 - Google Patents
一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片 Download PDFInfo
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Abstract
一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片，其中均衡通道阻抗结构包括若干块丝印银浆，每块丝印银浆上设有若干个蚀刻线，该蚀刻线将丝印银浆分割成若干个通道单元；相邻丝印银浆上相距距离最近的通道单元通过一条连续蚀刻线相连；其中触控屏功能片包括从上向下以此粘贴在一起的玻璃盖板、光学胶、ITO层和保护膜，所述ITO层包括上述结构的均衡通道阻抗结构。本实用新型通过在相邻丝印银浆上相距距离最近的通道单元设计一条连续蚀刻线可进一步分割位于丝印银浆边缘的通道单元，使其具有与内侧通道单元基本一致的宽度，保证通道阻抗的一致性和均衡性；采用该结构的触控屏功能片的性能得到显著提升。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示触控领域，尤其涉及一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片。
背景技术
目前的触摸屏功能片主要采用三种结构：分别为双面双层(多点)、单面双层(多点)和单面单层(单点+手势)的类型结构。
前面两种可实现多点触摸，ITO层被制成驱动线路(X线)和感测线路(Y线)，X线与Y线的边缘以及X/Y中间设计有GND地线，它用于抗干扰，排除杂讯。地线宽度一般0.3-0.5mm，其它走线随线路加长或减短，通道阻抗呈均匀递增或递减状态。
而第三种采用单面单层(单点+手势)的ITO层，两相邻银浆的最接近的两个通道(如5所示的Y8、Y9)阻抗很小，与其相邻通道阻抗相差两倍多，如图6所示。主要原因为：Y8和Y9中间不能增加GND地线，如增加GND,边缘通道的容值会比其他的通道大，一致性不好；且为了保证相邻银浆的安全，位于最外侧的两个通道与内侧的通道宽度相差两倍；因此，优化设计ITO层的丝印银浆结构，使其通道阻抗更加均衡，对提高触摸屏功能片的性能具有重要意义。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片，它具有结构简单实用和通道阻抗一致性的优点。
本实用新型是这样来实现的，一种均衡通道阻抗结构，它包括若干块丝印银浆，其特征在于，每块丝印银浆上设有若干个蚀刻线，该蚀刻线将丝印银浆分割成若干个通道单元；相邻丝印银浆上相距距离最近的通道单元通过一条连续蚀刻线相连。
相邻丝印银浆相背离的一侧还设有GND地线。
优选的是：丝印银浆设有与连续蚀刻线并行的虚拟蚀刻线，且该虚拟蚀刻线上具有若干个凸块。
优选的是：蚀刻线、连续蚀刻线以及虚拟蚀刻线均为激光镭射走线；蚀刻线与蚀刻线之间以及蚀刻线与连续蚀刻线之间的距离为0.15mm。
本实用新型还记载了一种触控屏功能片，它包括从上向下以此粘贴在一起的玻璃盖板、光学胶、ITO层和保护膜，其特征在于，所述ITO层包括上述结构的均衡通道阻抗结构。
本实用新型的有益效果为：本实用新型通过在相邻丝印银浆上相距距离最近的通道单元设计一条连续蚀刻线可进一步分割位于丝印银浆边缘的通道单元，使其具有与内侧通道单元基本一致的宽度，保证通道阻抗的一致性和均衡性；同时还优化设计了丝印银浆的蚀刻线布局，通过增加虚拟蚀刻线，可减小中间过程中的偏差，提高加工可靠性；采用该结构的触控屏功能片的性能得到显著提升。
附图说明
图1本实用新型均衡通道阻抗结构一个实施例的结构示意图。
图2为图1的局部放大图。
图3为采用本实用新型后的通道阻抗测试参数图。
图4为本实用新型触控屏功能片的结构示意图。
图5为现有通道阻抗的结构示意图。
图6为采用图5所示的通道阻抗测试参数图。
在图中，1、丝印银浆 2、通道单元 3、蚀刻线 4、连续蚀刻线 5、GND地线 6、虚拟蚀刻线 7、玻璃盖板 8、光学胶 9、ITO层 10、保护膜。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。
如图1-3所示，本实用新型是这样实现的，所述均衡通道阻抗结构包括若干块丝印银浆1，其结构特点是，每块丝印银浆1上设有若干个蚀刻线3，该蚀刻线3将丝印银浆1分割成若干个通道单元2；相邻丝印银浆1上相距距离最近的通道单元2通过一条连续蚀刻线4相连；位于丝印银浆1边缘的通道单元2相比内侧的通道单元2更宽，这使得位于丝印银浆1上的阻抗变化较大；通过在相邻丝印银浆1上相距距离最近的通道单元2设计一条连续蚀刻线4，可进一步分割位于丝印银浆1边缘的通道单元2，使其具有与内侧通道单元2基本一致的宽度，保证通道阻抗的一致性和均衡性。
在具体实施时，相邻丝印银浆1相背离的一侧还设有GND地线5；丝印银浆1设有与连续蚀刻线4并行的虚拟蚀刻线6，且该虚拟蚀刻线6上具有若干个凸块601，通过设计虚拟蚀刻线6(dummy layer)，增加一些与电路匹配近似的图形，可减小中间过程中的偏差，可防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度，当然该虚拟蚀刻线6的设计预留好连线以方便局部改版，以改善电路性能。
如图4所示，本实用新型还公开了一种触控屏功能片，该触控屏功能片为单面单层设计，它包括从上向下以此粘贴在一起的玻璃盖板7、光学胶8、ITO层9和保护膜10，所述ITO层9包括上述结构的均衡通道阻抗结构；以附图1为例，在实际加工时，蚀刻线3、连续蚀刻线4以及虚拟蚀刻线6均为激光镭射走线；蚀刻线3与蚀刻线3之间以及蚀刻线3与连续蚀刻线4之间的距离为0.15mm，其中排布在其中丝印银浆1上的通道单元2为Y1-Y8，对应的蚀刻线3为X1-X8；排布在另一丝印银浆1上的通道单元2为Y9-Yn，对应的蚀刻线3为X9-Xn，在相邻丝印银浆1最近的通道单元Y8和Y9之间设置连续蚀刻线4，使得位于同一丝印银浆1上的通道单元2的宽度均保持0.15mm，这样随线路加长或减短，通道阻抗呈均匀递增或递减状态，实际测得Y6、Y7和Y8的阻抗值如图3所示，相比原来采用图5和图6所示的通道阻抗，其性能得到显著提升。
Claims (6)
1.一种均衡通道阻抗结构，它包括若干块丝印银浆(1)，其特征在于，每块丝印银浆(1)上设有若干个蚀刻线(3)，该蚀刻线(3)将丝印银浆(1)分割成若干个通道单元(2)；
相邻丝印银浆(1)上相距距离最近的通道单元(2)通过一条连续蚀刻线(4)相连。
2.如权利要求1所述的均衡通道阻抗结构，其特征在于，相邻丝印银浆(1)相背离的一侧还设有GND地线(5)。
3.如权利要求1所述的均衡通道阻抗结构，其特征在于，丝印银浆(1)设有与连续蚀刻线(4)并行的虚拟蚀刻线(6)，且该虚拟蚀刻线(6)上具有若干个凸块(601)。
4.如权利要求1所述的均衡通道阻抗结构，其特征在于，蚀刻线(3)、连续蚀刻线(4)以及虚拟蚀刻线(6)均为激光镭射走线。
5.如权利要求1所述的均衡通道阻抗结构，其特征在于，蚀刻线(3)与蚀刻线(3)之间以及蚀刻线(3)与连续蚀刻线(4)之间的距离为0.15mm。
6.一种触控屏功能片，它包括从上向下以此粘贴在一起的玻璃盖板(7)、光学胶(8)、ITO层(9)和保护膜(10)，其特征在于，所述ITO层(9)包括权利要求1-5中任意一项所述的均衡通道阻抗结构。
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| CN201820319952.3U CN207924642U (zh) | 2018-03-08 | 2018-03-08 | 一种均衡通道阻抗结构以及触控屏功能片 |
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Publications (1)
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Country Status (1)
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2018
- 2018-03-08 CN CN201820319952.3U patent/CN207924642U/zh active Active
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