CN207752992U - 一种基于to封装形式的内绝缘半导体器件 - Google Patents
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Abstract
一种基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，属于半导体器件技术领域。包括料片，料片包括料片固定板（1）以及与料片固定板（1）一体的料片焊接板（2），还包括半导体芯片（3），半导体芯片（3）包括焊接面和打线面，半导体芯片（3）通过焊接面与料片焊接板（2）焊接固定，其特征在于：在所述的料片焊接板（2）上固定有覆铜陶瓷片（4），半导体芯片（3）的焊接面焊接在覆铜陶瓷片（4）表面，位于半导体芯片（3）打线面和焊接面的接线端分别通过不同的引脚（6）引出。在本基于TO封装形式的半导体器件中，通过设置覆铜陶瓷片，实现了半导体芯片与料片之间的隔离，因此在保证了料片本身具有良好的绝缘效果的基础上还具有良好的散热特性。
Description
技术领域
一种基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，属于半导体器件技术领域。
背景技术
TO封装形式的半导体器件是半导体器件领域最为常见的器件封装形式之一。如图4~6所示，在现有技术中，TO封装形式的半导体器件包括料片，料片包括料片固定板1和料片焊接板2，半导体芯片3使用焊料焊接于料片焊接板2表面，还包括多条引脚6，引脚6通过铝线5按照预定的引脚定义与半导体芯片2的接线端连接，最后利用环氧树脂进行封装。
目前，TO封装形式包括全包式和半包式两种，其中半包式是指在利用环氧树脂进行封装时，将料片的料片焊接板2、半导体芯片3、铝线5以及一段引脚6进行封装。半包式的TO封装由于料片的一部分为封装在内，因此无论一开自身散热还是与外界散热器进行散热，均具有良好的散热效果。而其缺点在于：由于半导体芯片3直接焊接于料片焊接面2表面，因此半导体芯片3的一个接线端与料片整体直接短路连接，且该接线端通过与料片焊接板2一体的引脚6直接引出，因此半包式的料片固定板工作时为带电状态，因此极易发生触电现象。同时多个半包式器件在共用一个散热器时，需要分别通过绝缘板与散热器绝缘，以免使散热器带电或器件彼此之间发生短路。
而全包式是指在利用环氧树脂进行封装时，将料片整体、半导体芯片3、铝线5以及一段引脚6进行封装。全包式的器件可以起到良好的绝缘效果，但是由于料片整体进行封装，因此散热性能较差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种通过设置覆铜陶瓷片，实现了半导体芯片与料片之间的隔离，因此在保证了料片本身具有良好的绝缘效果的基础上还具有良好的散热特性的基于TO封装形式的内绝缘半导体器件。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：该基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，包括料片，料片包括料片固定板以及与料片固定板一体的料片焊接板，还包括半导体芯片，半导体芯片包括焊接面和打线面，半导体芯片通过焊接面与料片焊接板焊接固定，其特征在于：在所述的料片焊接板上固定有覆铜陶瓷片，半导体芯片的焊接面焊接在覆铜陶瓷片表面，位于半导体芯片打线面和焊接面的接线端分别通过不同的引脚引出。
优选的，在所述的覆铜陶瓷片使用焊锡料将其下表面与料片焊接区连接，上表面与芯片焊接面连接。
优选的，还设置有连接所述半导体芯片和引脚的连接线，一条连接线一端连接半导体芯片的打线面，另一端连接一条引脚，另一条连接线连接所述覆铜陶瓷片的上表面，另一端连接另一条引脚。
优选的，所述的连接线为铝线。
优选的，还包括环氧树脂，环氧树脂同时将所述的料片焊接板、覆铜陶瓷片以及半导体芯片封装在内，使料片的背面裸露在外方便于散热。
优选的，所述的半导体芯片至少设置有一颗，所述的覆铜陶瓷片与半导体芯片一一对应且独立设置。
与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果是：
在本基于TO封装形式的内绝缘半导体器件中，通过设置覆铜陶瓷片，使半导体芯片与料片之间绝缘，因此即使在最终产品采用半包的封装形式，料片本身也不会导电，因此便于本基于TO封装形式的内绝缘半导体器件与外部的散热器相连，提高了散热能力和使用的灵活性。
附图说明
图1为基于TO封装形式的内绝缘半导体器件结构示意图。
图2为基于TO封装形式的内绝缘半导体器件正视图。
图3为基于TO封装形式的内绝缘半导体器件左视图。
图4为现有技术基于TO封装形式的半导体器件结构示意图。
图5为现有技术基于TO封装形式的半导体器件正视图。
图6为现有技术基于TO封装形式的半导体器件左视图。
其中：1、料片固定板 2、料片焊接板 3、半导体芯片 4、覆铜陶瓷片 5、铝线6、引脚。
具体实施方式
图1~3是本实用新型的最佳实施例，下面结合附图1~3对本实用新型做进一步说明。
如图1~3所示，一种基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，包括料片，料片包括料片固定板1以及与料片固定板1一体设置的料片焊接板2。在料片焊接板2上使用焊料焊接有至少一块覆铜陶瓷片4，在覆铜陶瓷片4的上表面焊接有至少一颗半导体芯片3。
半导体芯片3包括焊接面以及打线面，覆铜陶瓷片4的上表面为铜片，半导体芯片3通过焊料使焊接面与覆铜陶瓷片4上表面的铜片焊接固定之后，其焊接面相应的接线端与覆铜陶瓷片4上表面的铜片短路连接。铝线5一端与半导体芯片3的打线面连接，另一端连接引脚6，另一条引脚6通过另一条铝线5直接与覆铜陶瓷片4上表面的铜片连接，因此通过两条引脚6以及相对应的两条铝线5将半导体芯片3的两个面的接线端分别引出。
在完成上述连接之后，利用环氧树脂进行封装，优选采用半包式封装。在本基于TO封装形式的内绝缘半导体器件中，通过在料片焊接板2表面设置覆铜陶瓷片4，因此半导体芯片3与料片之间绝缘，因此即使在最终产品采用半包的封装形式，料片本身也不会导电，因此便于本基于TO封装形式的内绝缘半导体器件与外部的散热器相连，提高了散热能力和使用的灵活性。
在本基于TO封装形式的内绝缘半导体器件中，以覆铜陶瓷片4为例进行说明，但不限于覆铜陶瓷片4，其他绝缘材料（如氮化铝、碳化硅）与导体（如镍、钛、银等）复合而成的片状材料均可使用。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (5)
1.一种基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，包括料片，料片包括料片固定板（1）以及与料片固定板（1）一体的料片焊接板（2），还包括半导体芯片（3），半导体芯片（3）包括焊接面和打线面，半导体芯片（3）通过焊接面与料片焊接板（2）焊接固定，其特征在于：在所述的料片焊接板（2）上固定有覆铜陶瓷片（4），半导体芯片（3）的焊接面焊接在覆铜陶瓷片（4）表面，位于半导体芯片（3）打线面和焊接面的接线端分别通过不同的引脚（6）引出。
2.根据权利要求1所述的基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，其特征在于：还设置有连接所述半导体芯片（3）和引脚（6）的连接线，一条连接线一端连接半导体芯片（3）的打线面，另一端连接一条引脚（6），另一条连接线连接所述覆铜陶瓷片（4）上表面，另一端连接另一条引脚（6）。
3.根据权利要求2所述的基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，其特征在于：所述的连接线为铝线（5）。
4.根据权利要求1所述的基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，其特征在于：还包括环氧树脂，环氧树脂同时将所述的料片焊接板（2）、覆铜陶瓷片（4）以及半导体芯片（3）封装在内。
5.根据权利要求1所述的基于TO封装形式的内绝缘半导体器件，其特征在于：所述的半导体芯片（3）至少设置有一颗，所述的覆铜陶瓷片（4）与半导体芯片（3）一一对应且独立设置。
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| CN201820102180.8U CN207752992U (zh) | 2018-01-22 | 2018-01-22 | 一种基于to封装形式的内绝缘半导体器件 |
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