CN207517732U - 大功率发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率发光二极管，包括基座、引脚、发光芯片、透镜和透明材料制成的封装体；基座的中部设有凹槽；凹槽的底部设有散热片；凹槽两个相对应的侧壁上设有均匀分布的加强槽；基座的底部与散热片对应处设有均匀分布的散热孔；两个引脚镶嵌在基座的两端；引脚通过延伸片延伸到凹槽内；两个延伸片不接触；发光芯片固定在凹槽内与其中一个延伸片电连接；发光芯片通过引线与另一个延伸片电连接；封装体将发光芯片封装在凹槽内，将透镜封装在凹槽的顶部，透镜的顶面与基座的顶面在同一平面上。采用本技术方案后，大功率发光二极管的散热及厚度问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管，尤其涉及一种大功率发光二极管。
背景技术
近来，随着照明应用范围的进一步拓展，越来越多的灯光工程采用色彩丰富的LED作为点缀光源。LED由于其工作寿命长，省电节能，工作电压低，所以是一种非常好的光源。但是传统的LED存在功率小、亮度低的缺点，难以胜任某些应用场合。为此，选用大功率LED就成为必然的选择，但是这种大功率LED器件与一般的功率器件一样，需要解决散热的问题。另外，市场对产品扁平化的需求就要求大功率发光二极管的厚度较薄。
如何解决大功率发光二极管的散热及厚度问题是本案的申请人一致致力于研究的课题。
实用新型内容
为了解决现有技术存的问题，本实用新型提供一种散热良好且厚度薄的大功率发光二极管。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率发光二极管，包括基座、引脚、发光芯片、透镜和透明材料制成的封装体；基座的中部设有凹槽；凹槽的底部设有散热片；凹槽两个相对应的侧壁上设有均匀分布的加强槽；基座的底部与散热片对应处设有均匀分布的散热孔；两个引脚镶嵌在基座的两端；引脚通过延伸片延伸到凹槽内；两个延伸片不接触；发光芯片固定在凹槽内与其中一个延伸片电连接；发光芯片通过引线与另一个延伸片电连接；封装体将发光芯片封装在凹槽内，将透镜封装在凹槽的顶部，透镜的顶面与基座的顶面在同一平面上。
采用本方案后，散热片讲发光芯片产生的热量快速扩散出去，基座底部设置的散热片起到能够与外界进行快速热量交换的目的，实现了大功率发光二极管的快速散热。侧壁上的加强槽起到了扩大接触面积的作用，使封装体能够充分与基座进行接触，达到充分固定的目的。透镜的顶面与基座的顶面在同一平面上，使得整个大功率发光二极管的厚度的与基座的厚度相同，实现了大功率发光二极管尽可能薄的目的。
进一步的改进，基座、引脚、散热板一体成型。采用一体成型设计，极大地优化了后期的封装工艺，提高了加工效率。
进一步的改进，基座在引脚处设有内凹的弧形槽。采用弧形槽的设计，使原本需要外扩才能定位的方式尽可能地向内收缩，满足市场对产品扁平化的需求。
进一步的改进，引脚相对应的两侧边上设有加强块。加强块的设置解决了大功率发光二极管产生的热量对引脚的影响，保证了产品在长时间使用时的稳定性。
附图说明
图1大功率发光二极管的立体示意图。
图2是大功率发光二极管的后视图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型优选的方案做进一步的阐述。
如图1和图2所示，一种大功率发光二极管，包括基座1、引脚2、发光芯片3、透镜4和透明材料制成的封装体；基座的中部设有凹槽5；凹槽的底部设有散热片6；基座、引脚、散热板一体成型；凹槽两个相对应的侧壁上设有均匀分布的加强槽7；基座的底部与散热片对应处设有均匀分布的散热孔8；两个引脚镶嵌在基座的两端；引脚相对应的两侧边上设有加强块9；引脚通过延伸片10延伸到凹槽内；两个延伸片不接触；基座在引脚处设有内凹的弧形槽11。发光芯片固定在凹槽内与其中一个延伸片电连接；发光芯片通过引线12与另一个延伸片电连接；封装体将发光芯片封装在凹槽内，将透镜封装在凹槽的顶部；透镜的顶面与基座的顶面在同一平面上。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人在本实用新型的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种大功率发光二极管，其特征在于：包括基座、引脚、发光芯片、透镜和透明材料制成的封装体；基座的中部设有凹槽；凹槽的底部设有散热片；凹槽两个相对应的侧壁上设有均匀分布的加强槽；基座的底部与散热片对应处设有均匀分布的散热孔；两个引脚镶嵌在基座的两端；引脚通过延伸片延伸到凹槽内；两个延伸片不接触；发光芯片固定在凹槽内与其中一个延伸片电连接；发光芯片通过引线与另一个延伸片电连接；封装体将发光芯片封装在凹槽内，将透镜封装在凹槽的顶部，透镜的顶面与基座的顶面在同一平面上。
2.根据权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：基座、引脚、散热板一体成型。
3.根据权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：基座在引脚处设有内凹的弧形槽。
4.根据权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：引脚相对应的两侧边上设有加强块。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201721615835.3U CN207517732U (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 大功率发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201721615835.3U CN207517732U (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 大功率发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN207517732U true CN207517732U (zh) | 2018-06-19 |
Family
ID=62541904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201721615835.3U Active CN207517732U (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | 大功率发光二极管 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN207517732U (zh) |
-
2017
- 2017-11-28 CN CN201721615835.3U patent/CN207517732U/zh active Active
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