CN207502696U - 一种led负载模拟电路 - Google Patents

Abstract

一种LED负载模拟电路，应用于LED驱动电源老化测试，包括多个串联的功率电阻，第一二极管，场效应晶体管。采用场效应晶体管和稳压管二极管以及功率电阻组成的电路能够模拟LED灯具负载，使其工作属性满足二极管的正向工作电压曲线中20％CR和80％CV不同模式。

Description

一种LED负载模拟电路

技术领域

本实用新型应用于LED驱动电源老化测试，尤其涉及一种LED负载模拟电路。

背景技术

在LED灯产业中，驱动电源器件是非常重要的一环。驱动电源器件的稳定对于LED灯产品的耐用性极为重要。

目前相关LED驱动电源测试过程中，老化LED驱动电源需要带载LED灯具进行测试，然而驱动电源测试中存在光污染严重，大批量生产老化使用LED老化成本高，更换率高。因此，需要通过采用模拟负载的方式，改变上述测试成本发高，光污染的问题。

现有的LED模拟装置，一般采用简单的负载电阻的结构。但是，技术人员通过研究LED灯的正向工作电压曲线，可以得到LED在不同电压环境下的工作特性包含20％CR模式和80％CV模式。在20％CR模式中，随着正向电压的不断升高，正向电流缓慢的增加，在电压升高到临界值时，进入80％CV模式，此时，随着正向输入电压的升高，正向电流快速的增加。

因此，现有的电阻模拟负载无法很好的模拟正常使用过程中的LED灯的电路特性，无法满足通过模拟LED灯负载的方式实现对LED电源电路的检测。

实用新型内容

针对现有技术中在LED驱动电源老化测试存在的上述问题，现提供一种LED负载模拟电路。

具体技术方案如下：

一种LED负载模拟电路，应用于LED驱动电源老化测试，包括：

功率电阻组，包括多个相互串联的功率电阻，所述功率电阻组的一端连接所述LED负载模拟电路的电源输入端，另一端连接一第一节点；

第一二极管，所述第一二极管的负极连接所述第一节点，所述第一二极管的正极连接一第二节点；

场效应晶体管，所述场效应晶体管的漏极连接所述第一节点；所述场效应晶体管的源极连接所述LED负载模拟电路的接地端；所述场效应晶体管的栅极连接所述第二节点；

第二电阻，连接在所述接地端和所述第二节点之间。

优选的，所述LED负载模拟电路还包括：第二二极管，串联在所述功率电阻组和所述电源输入端之间的导线上，所述第二二极管正极连接所述电源输入端，第二二极管负极连接功率电阻组。

优选的，所述第二二极管为高频整流二极管。

优选的，所述场效应晶体管为N沟道耗尽型场效应晶体管。

优选的，所述第一二极管为稳压二极管。

优选的，所述LED负载模拟电路还包括：第一电容，连接在所述接地端和所述第二节点之间，并与所述第二电阻并联。

优选的，所述功率电阻组和所述第一节点之间还设置有一可调电阻。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

采用场效应晶体管和稳压管二极管以及功率电阻组成的电路能够模拟LED灯具负载，使其工作属性满足二极管的正向工作电压曲线中20％CR和80％CV不同模式。

附图说明

图1为本实用新型LED负载模拟电路的实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

本实用新型的一种较佳的实施例中，根据图1所示，一种LED负载模拟电路，应用于LED驱动电源老化测试，包括：

功率电阻组，包括多个相互串联的功率电阻R1，所述功率电阻组的一端连接所述LED负载模拟电路的电源输入端，另一端连接一第一节点N1；

第一二极管D1，第一二极管D1负极连接第一节点N1，第一二极管正极连接第二节点N2；

场效应晶体管Q1，场效应晶体管Q1的漏极连接第一节点N1；场效应晶体管Q1的源极连接LED负载模拟电路的接地端；场效应晶体管Q1的栅极连接第二节点N2；

第二电阻R2，连接接地端和第二节点N2之间。

具体地，本实施例中，通过功率电阻组与场效应晶体管Q1串联实现模拟LED电路的效果。场效应晶体管Q1的漏极和栅极接第一二极管D1稳定电压，场效应晶体管Q1处于半导通状态，相当于一个整体的功率电阻，来达到CV模式正向输入电压的效果。

本实用新型的一种较佳的实施例中，LED负载模拟电路还包括：第二二极管D2，串联在功率电阻组和电源输入端之间的导线上，第二二极管D2正极连接电源输入端，第二二极管D2负极连接功率电阻组。

具体地，本实施例中，在负载电阻组和电源之间串联第二二极管D2，来防止电源输入反接，破坏模拟LED负载电路。

本实用新型的一种较佳的实施例中，针对60W功率的模拟负载电路，电源输入端输入的电压为24V，功率电阻R1的数目为5个。普通LED灯满载工作为3.3V，对于24V输入电压需要串联6颗LED灯，即需要产生了一个19.8V的正常工作电压。因此，模拟电路中还需要串连一等效的功率电阻，等效的功率电阻的压降为4.2V。第一二极管D1为12V，在30W的负载下电流为1.25A。第二二极管D2的压降为0.9V。五个功率电阻R1的总电阻值为5.8欧姆，在电流为1.25A时电压为7.25V。场效应晶体管Q1上源极和漏极的压降为15.85V。在LED正向工作电压曲线中，CV模式为15.85V/19.8V＝80％，另外的20％即为电阻CR模式。

本实用新型的一种较佳的实施例中，第二二极管D2为高频整流二极管。具体地，本实施例中，第二二极管D2采用的MUR460型二极管为MOTOROLA公司生产的超快恢复整流二极管。高频整流二极管为一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，对于输入反接的的情况下，可以很好的保护电路，并且快速回复，使得LED模拟负载电路能够被反复的使用。

本实用新型的一种较佳的实施例中，LED负载模拟电路还包括：第一电容C1，连接在接地端和第二节点N2之间，并与所述第二电阻并联。

具体地，本实施例中采用第一电容C1连接在场效应晶体管Q1上源极和栅极之间，可以有效防止电路误触发，并且过滤掉不需要的噪音干扰信号。

本实用新型的一种较佳的实施例中，场效应晶体管Q1为N沟道耗尽型场效应晶体管。具体地，本实施例中，采用N沟道耗尽型场效应晶体管可以在栅极电压大于一定的值就会使得源极和漏极之间导通，适合用于源极接地时的情况，且栅极电压达到只要4V即可完成导通。

本实用新型的一种较佳的实施例中，第一二极管D1为稳压二极管。具体地，本实施例中，采用稳压二极管在反向击穿状态下，电流可在很大范围内变化而电压基本不变，具有较好的稳压效果。

本实用新型的一种较佳的实施例中，功率电阻组和第一节点1之间还设置有一可调电阻R3。具体地，本实施例中，采用可调电阻R3可以在对LED模拟负载电路中负载电阻的电阻值进行调整保证LED负载模拟电路在模拟负载过程中其效果更接近于80％CV模式和20％CR模式分布。

以上仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (7)

1.一种LED负载模拟电路，应用于LED驱动电源老化测试，其特征在于，包括：

功率电阻组，包括多个相互串联的功率电阻，所述功率电阻组的一端连接所述LED负载模拟电路的电源输入端，另一端连接一第一节点；

第一二极管，所述第一二极管的负极连接所述第一节点，所述第一二极管的正极连接一第二节点；

场效应晶体管，所述场效应晶体管的漏极连接所述第一节点；所述场效应晶体管的源极连接所述LED负载模拟电路的接地端；所述场效应晶体管的栅极连接所述第二节点；

第二电阻，连接在所述接地端和所述第二节点之间。

2.根据权利要求1所述LED负载模拟电路，其特征在于，还包括：第二二极管，串联在所述功率电阻组和所述电源输入端之间的导线上，所述第二二极管正极连接所述电源输入端，第二二极管负极连接功率电阻组。

3.根据权利要求2所述LED负载模拟电路，其特征在，所述第二二极管为高频整流二极管。

4.根据权利要求1所述LED负载模拟电路，其特征在于，所述场效应晶体管为N沟道耗尽型场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述LED负载模拟电路，其特征在于，所述第一二极管为稳压二极管。

6.根据权利要求1所述LED负载模拟电路，其特征在，还包括：第一电容，连接在所述接地端和所述第二节点之间，并与所述第二电阻并联。

7.根据权利要求1所述LED负载模拟电路，其特征在于，所述功率电阻组和所述第一节点之间还设置有一可调电阻。