CN207445843U - 一种消霾系统次声波水分子共震装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种消霾系统次声波水分子共震装置，包括电连接的调幅波信号发生电路和次声波振子，次声波振子包括屏蔽栅外壳、压电陶瓷圆盘、微喇叭形辐射体、用于精准发射声波的喇叭状辐射体，压电陶瓷圆盘的上表面与屏蔽栅外壳的底面连接，压电陶瓷圆盘的下表面与微喇叭形辐射体的上端面连接，喇叭状辐射体的小端与微喇叭形辐射体的下端面连接；压电晶片的周壁上设有与调幅波信号发生电路连接的正接线端和负接线端。通过在微喇叭形辐射体下方设置喇叭状辐射体，使消霾系统次声波水分子共震装置能更精准的定向发射次声波，水分子与次声波发生共振，自高压喷头喷出的振动雾化水增大了与雾霾小颗粒碰撞的几率，使得高空喷淋除雾霾的效果更好。
Description
技术领域
本实用新型属于声波领域，具体涉及一种消霾系统次声波水分子共震装置。
背景技术
次声波是指能振荡频率为20赫兹以下的机械波纵波，它的波长长，可以在固体、液体和气体中传播次声波，自高压喷头喷出的高压水在次声波的作用下发生共振，共振后的高压雾化水可增大与雾霾颗粒碰撞的几率，从而提高高空喷淋降雾霾的效果。
然而，现有的声波发生器与压电陶瓷连接的声波发射体是柱状，存在发射不精准的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种可精准发射次声波的次声波装置。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种消霾系统次声波水分子共震装置，包括电连接的调幅波信号发生电路和次声波振子，所述次声波振子包括屏蔽栅外壳、压电陶瓷圆盘、微喇叭形辐射体，所述压电陶瓷圆盘的上表面与屏蔽栅外壳的底面连接，所述压电陶瓷圆盘的下表面与微喇叭形辐射体的上端面连接，还包括用于更精准发射声波的喇叭状辐射体，该喇叭状辐射体的小端与微喇叭形辐射体的下端面连接；所述压电晶片的周壁上设有与调幅波信号发生电路连接的正接线端和负接线端；
所述调幅波信号发生电路包括信号发生模块、与所述信号发生模块电连接的变频器、以及与信号发生模块电连接的信号控制模块。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述信号控制模块的输入端连接电源，所述信号控制模块与电源之间连接有变频器，所述信号控制模块的输出端还连接信号发生模块的输入端。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述信号控制模块包括8051单片机、与所述8051单片机电连接的晶振电路、复位电路和电源电路，所述晶振电路用于产生单片机所必须的时钟频率；所述复位电路供调幅波信号发生电路恢复到起始状态；所述电源电路向8051单片机供电，所述电源电路的电能输出至变频器的输入端以控制变频器输出交流电频率。
作为本实用新型的一个优选实施例，所述信号发生模块包括MAX232芯片、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8，所述MAX232芯片的11引脚与8051单片机的39引脚连接，所述MAX232芯片的10引脚与8051单片机的38引脚连接，所述MAX232芯片的2引脚和16引脚分别连接电容C4，所述MAX232芯片的1引脚和3引脚之间连接电容C5，所述MAX232芯片的4引脚和5引脚之间连接电容C6，所述MAX232芯片的6引脚与电容C7连接后接地，所述MAX232芯片的15引脚接地，所述MAX232芯片的16引脚和15引脚之间连接电容C8，所述MAX232芯片的7引脚与压电晶片周壁上的正接线端连接，所述MAX232芯片的14引脚与压电晶片周壁上的负接线端连接。
本实用新型的有益效果：
本实用新型通过在微喇叭形辐射体的下方设置喇叭状辐射体，使消霾系统次声波水分子共震装置能更精准的定向发射次声波，水分子与次声波发生共振，自高压喷头喷出的振动雾化水增大了与雾霾小颗粒碰撞的几率，从而使得高空喷淋除雾霾的效果更好。
以下将结合附图及实施例对本实用新型做进一步详细说明。
附图说明
图1是消霾系统次声波水分子共震装置的结构示意图。
图2是信号控制模块的示意图。
图3是信号发生模块的示意图。
图中：1. 屏蔽栅外壳；2. 压电陶瓷圆盘；21.正接线端；22.负接线端；3. 微喇叭形辐射体；4. 喇叭状辐射体；10. 次声波振子；20. 变频器。
具体实施方式
为进一步阐述本实用新型达成预定目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例对本实用新型的具体实施方式、结构特征及其功效，详细说明如下。
为了解决现有的次声波振子发射不精准的问题，本实施例提供了一种消霾系统次声波水分子共震装置，包括电连接的调幅波信号发生电路和次声波振子10，次声波振子10包括屏蔽栅外壳1、压电陶瓷圆盘2、微喇叭形辐射体3、用于精准发射声波的喇叭状辐射体4，压电陶瓷圆盘2的上表面与屏蔽栅外壳1的底面连接，压电陶瓷圆盘2的下表面与微喇叭形辐射体3的上端面连接，该喇叭状辐射体4的小端与微喇叭形辐射体3的下端面连接；压电晶片的周壁上设有与调幅波信号发生电路连接的正接线端21和负接线端22。
本实施例通过在微喇叭形辐射体3的下方设置喇叭状辐射体4，使消霾系统次声波水分子共震装置能更精准的定向发射次声波，水分子与次声波发生共振，自高压喷头喷出的振动雾化水增大了与雾霾小颗粒碰撞的几率，从而使得高空喷淋除雾霾的效果更好。
为了使本实施例的消霾系统次声波水分子共震装置发出不同频率的次声波，本实施例在调幅波信号发生电路中增加了变频器20，其中，调幅波信号发生电路包括信号发生模块、与信号发生模块电连接的变频器20、以及与信号发生模块电连接的信号控制模块。
信号控制模块的电路连接示意图如图2所示，信号控制模块包括8051单片机、与8051单片机电连接的晶振电路、复位电路和电源电路，晶振电路用于产生单片机所必须的时钟频率；复位电路供调幅波信号发生电路恢复到起始状态；电源电路向8051单片机供电，电源电路的电能输出至变频器20的输入端以控制变频器20输出交流电频率。
信号发生模块的电路图如图3所示，信号发生模块包括MAX232芯片、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8，MAX232芯片的11引脚与8051单片机的39引脚连接，MAX232芯片的10引脚与8051单片机的38引脚连接，MAX232芯片的2引脚和16引脚分别连接电容C4，MAX232芯片的1引脚和3引脚之间连接电容C5，MAX232芯片的4引脚和5引脚之间连接电容C6，MAX232芯片的6引脚与电容C7连接后接地，MAX232芯片的15引脚接地，MAX232芯片的16引脚和15引脚之间连接电容C8，MAX232芯片的7引脚与压电晶片周壁上的正接线端21连接，MAX232芯片的14引脚与压电晶片周壁上的负接线端22连接。
通过在调幅波信号发生电路中增加变频器20，在信号控制模块的控制下，使次声波振子10能够发出不同频率的声波，由于水分子与次声波共振，因此，从雾化喷头喷出的水分子也会产生不断变化的振动，使高空中的水分子增大了与雾霾小颗粒碰撞的几率，通过高空喷淋达到除雾霾的效果。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种消霾系统次声波水分子共震装置，包括电连接的调幅波信号发生电路和次声波振子（10），所述次声波振子（10）包括屏蔽栅外壳（1）、压电陶瓷圆盘（2）、微喇叭形辐射体（3），所述压电陶瓷圆盘（2）的上表面与屏蔽栅外壳（1）的底面连接，所述压电陶瓷圆盘（2）的下表面与微喇叭形辐射体（3）的上端面连接，其特征在于，还包括用于精准发射声波的喇叭状辐射体（4），该喇叭状辐射体（4）的小端与微喇叭形辐射体（3）的下端面连接；所述压电晶片的周壁上设有与调幅波信号发生电路连接的正接线端（21）和负接线端（22）；
所述调幅波信号发生电路包括信号发生模块、与所述信号发生模块电连接的变频器（20）、以及与信号发生模块电连接的信号控制模块。
2.如权利要求1所述的消霾系统次声波水分子共震装置，其特征在于，所述信号控制模块的输入端连接电源，所述信号控制模块与电源之间连接有变频器（20），所述信号控制模块的输出端还连接信号发生模块的输入端。
3.如权利要求1或2所述的消霾系统次声波水分子共震装置，其特征在于，所述信号控制模块包括8051单片机、与所述8051单片机电连接的晶振电路、复位电路和电源电路，所述晶振电路用于产生单片机所必须的时钟频率；所述复位电路供调幅波信号发生电路恢复到起始状态；所述电源电路向8051单片机供电，所述电源电路的电能输出至变频器（20）的输入端以控制变频器（20）输出交流电频率。
4.如权利要求3所述的消霾系统次声波水分子共震装置，其特征在于，所述信号发生模块包括MAX232芯片、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8，所述MAX232芯片的11引脚与8051单片机的39引脚连接，所述MAX232芯片的10引脚与8051单片机的38引脚连接，所述MAX232芯片的2引脚和16引脚分别连接电容C4，所述MAX232芯片的1引脚和3引脚之间连接电容C5，所述MAX232芯片的4引脚和5引脚之间连接电容C6，所述MAX232芯片的6引脚与电容C7连接后接地，所述MAX232芯片的15引脚接地，所述MAX232芯片的16引脚和15引脚之间连接电容C8，所述MAX232芯片的7引脚与压电晶片周壁上的正接线端（21）连接，所述MAX232芯片的14引脚与压电晶片周壁上的负接线端（22）连接。
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