CN207442815U - 一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路 - Google Patents

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李敏
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Abstract

本实用新型提供了一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,包括晶体管Q10、三极管Q12、二极管D9、开关SW11和电容C83,所述晶体管Q10的漏极与电容C83连接,其栅极与三极管Q12连接,其源极与电池电源连接,所述三极管Q12的基极通过二极管D9的阴级连接至开关SW11,本实用新型在使用常用的MCU的情况下,能做到待机电流几乎为0,既满足电池供电设备对待机时间的要求,又能使整体的电路设计成本降低,通过利用三极管和场效应管的导通状态和截至状态,并利用微控制器输入检测端口KEY1的电平检测和控制端口VCC_EN的电平输出控制,即可实现电路的开关控制。

Description

一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,具体涉及到一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路。
背景技术
目前很多手持设备都是用电池供电,为了满足设备的关机待机时间,通常设备在设计时都采用低功耗的微控制器(MCU),以达到关机待机时功耗处于最低,从而满足达到延长待机时间的目的。然后低功耗的MCU价格相对较高,并且软件开发比起常用的MCU开发稍微繁琐。
实用新型内容
针对现有技术存在上述的不足,本实用新型提供了一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,在使用常用的MCU的情况下,能做到待机电流几乎为0,既满足电池供电设备对待机时间的要求,又能使整体的电路设计成本降低。
本实用新型的技术方案为,一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,包括晶体管Q10、三极管Q12、二极管D9、开关SW11和电容C83,所述晶体管Q10的漏极与电容C83连接,其栅极与三极管Q12连接,其源极与电池电源连接,所述三极管Q12的基极通过二极管D9的阴级连接至开关SW11。
上述的电路,其中,还包括若干电阻,所述若干电阻包括电阻R138和电阻R141,所述三极管Q12的基极通过电阻R138和二极管D9的阴级连接至开关SW11且通过电阻R141连接至微控制器的控制端口VCC_EN。
上述的电路,其中,所述晶体管Q10为金属-氧化物半导体场效应晶体管构成。
上述的电路,其中,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管为PMOS管。
上述的电路,其中,所述晶体管Q10的栅极与电池电源之间还设有上拉电阻R200。
上述的电路,其中,所述晶体管Q10的棚极通过电阻R201连接至三极管Q12的集电极。
上述的电路,其中,所述三极管Q12的基极通过电阻R138连接至二极管D9的阴极及电阻R141。
上述的电路,其中,所述开关SW11连接在二极管D9的阳极和电池电源之间。
上述的电路,其中,所述二极管D9的阳极连接至微控制器的KEY1控制口,并通过电阻R142下拉接地。
本实用新型提供的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路具有以下有益效果:1、在使用常用的MCU的情况下,能做到待机电流几乎为0,既满足电池供电设备对待机时间的要求,又能使整体的电路设计成本降低,通过利用三极管和场效应管的导通状态和截至状态,并利用微控制器输入检测端口KEY1的电平检测和控制端口VCC_EN的电平输出控制,即可实现电路的开关控制。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型及其特征、外形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图,重点在于示出本实用新型的主旨。
图1为本实用新型提供的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路的电路图。
具体实施方式
在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本实用新型更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本实用新型可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本实用新型发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本实用新型,将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构,以便阐释本实用新型的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本实用新型还可以具有其他实施方式。
参照图1所示,本实用新型提供了一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,包括晶体管Q10、三极管Q12、二极管D9、开关SW11和电容C83,其中晶体管Q10的漏极与电容C83连接,其栅极与三极管Q12连接,其源极与电池电源连接,三极管Q12的基极通过二极管D9的阴级连接至开关SW11。进一步优选,还包括若干电阻,所述若干电阻包括电阻R138和电阻R141,所述三极管Q12的基极通过电阻R138和二极管D9的阴级连接至开关SW11且通过电阻R141连接至微控制器的控制端口VCC_EN。本实用新型通过利用三极管和场效应管的导通状态和截至状态,并利用微控制器输入检测端口KEY1的电平检测和控制端口VCC_EN的电平输出控制,即可实现电路的开关控制。
在本实用新型一优选但非限制的实施例中,通过利用电阻、电容、二、三极管和场效应管组成的简单电路,即可实现电路电源的开关。但是并不限于用来控制电源的开关,在多种需要开关控制的场合都适用。
在本实用新型一优选但非限制的实施例中,晶体管Q10为金属-氧化物半导体场效应晶体管构成,进一步优选,金属-氧化物半导体场效应晶体管为PMOS管,其中PMOS管是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。工作过程为:当按下开关SW11后,使得三极管Q12处于导通状态,从而使得场效应管Q10的栅极与源极产生电压差,从而使得Q10也处于导通状态,从而电池电源给系统电源供电。当系统供电后,微控制器处于工作状态,并使控制端口VCC_EN输出高电平,当松开开关SW11时,三极管Q12原本会处于截至状态而导致Q10也处于截至状态,从而关断系统供电。然而由于蓄能电容C83的存在,微控制器并不会立马掉电,控制端口VCC_EN也会维持一段时间高电平,从而使得三极管Q12还处于导通状态,从而使得Q10也还处于导通状态,这样系统供电就不会断掉。这样就实现了系统电源的开。同理,再次按下开关SW11,微控制器检测到KEY1的状态为高,控制VCC_EN输出低电平,当松开开关SW11时,三极管Q12原本会处于截至状态而导致Q10也处于截至状态,经过一段时间的延时(用于保存掉点前的数据)关断系统供电。同样实现了系统电源的关。此时的关断状态的关机待机电流几乎为0。
在本实用新型一优选但非限制的实施例中,晶体管Q10的栅极与电池电源之间还设有上拉电阻R200。
在本实用新型一优选但非限制的实施例中,晶体管Q10的棚极通过电阻R201连接至三极管Q12的集电极。
在本实用新型一优选但非限制的实施例中,三极管Q12的基极通过电阻R138连接至二极管D9的阴极及电阻R141。以及开关SW11连接在二极管D9的阳极和电池电源之间。二极管D9的阳极连接至微控制器的KEY1控制口,并通过电阻R142下拉接地。
以上对本实用新型的较佳实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例,这并不影响本实用新型的实质内容。因此,凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

Claims (9)

1.一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,包括晶体管Q10、三极管Q12、二极管D9、开关SW11和电容C83,所述晶体管Q10的漏极与电容C83连接,其栅极与三极管Q12连接,其源极与电池电源连接,所述三极管Q12的基极通过二极管D9的阴级连接至开关SW11。
2.如权利要求1所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,还包括若干电阻,所述若干电阻包括电阻R138和电阻R141,所述三极管Q12的基极通过电阻R138和二极管D9的阴级连接至开关SW11且通过电阻R141连接至微控制器的控制端口VCC_EN。
3.如权利要求2所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述晶体管Q10为金属-氧化物半导体场效应晶体管构成。
4.如权利要求3所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管为PMOS管。
5.如权利要求4所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述晶体管Q10的栅极与电池电源之间还设有上拉电阻R200。
6.如权利要求5所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述晶体管Q10的棚极通过电阻R201连接至三极管Q12的集电极。
7.如权利要求6所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述三极管Q12的基极通过电阻R138连接至二极管D9的阴极及电阻R141。
8.如权利要求7所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述开关SW11连接在二极管D9的阳极和电池电源之间。
9.如权利要求8所述的一种利用自锁电路和电容蓄能进行开关控制的电路,其特征在于,所述二极管D9的阳极连接至微控制器的KEY1控制口,并通过电阻R142下拉接地。
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