CN207418859U - 一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架，支架均包括相互连接的承载段和限位段，限位段的自由端与弧形支撑杆连接，且限位段的上端面高于承载段的上端面。将现有传输臂与晶圆中间位置接触的方式改为与晶圆的边缘位置进行接触，并且采用支架与晶圆边缘进行接触，减小了接触面积，有效提高了三五族化合物晶圆上镀膜的均匀性，避免出现传输臂在三五族化合物晶圆中间留下镀膜阴影的情况。

Description

一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂

技术领域

本实用新型属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。

背景技术

目前半导体行业的主流设备是8寸或12寸设备，很多主流半导体设备厂商已不再制作6寸设备。但三五族化合物半导体行业的主流设备仍是6寸晶圆机台，因此一些从事三五族化合物半导体生产的企业从设备状况和成本节约的角度考虑，会购买一些原6寸硅厂使用过的二手设备。

使用这些二手设备进行三五族化合物晶圆镀膜时，将晶圆放置在传输臂上，传输臂底部的加热盘对三五族化合物晶圆进行加热。现有的传输臂结构如图1所示，由两个相互平行的支撑片1构成，使用时将晶圆2放置在两个支撑片1上，两个支撑片1与晶圆2的中间位置接触。由于三五族化合物晶圆的热传导性较硅晶圆差，现有传输臂与晶圆中间接触的方式造成传输臂与晶圆接触位置的工艺温度有所降低，从而导致三五族化合物晶圆镀膜均匀性差，且所镀的SiN或SiO₂薄膜上留有传输臂造成的镀膜阴影。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可以改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。

为达到上述要求，本实用新型采取的技术方案是：提供一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆与连接杆一一对应，且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架，所述支架均包括相互连接的承载段和限位段，限位段的自由端与弧形支撑杆连接，且限位段的上端面高于承载段的上端面；弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径，承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径，承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。

优选的，承载段和限位段一体成型。

优选的，连接杆的长度为4-10mm。

优选的，弧形支撑杆的内径为153-159mm，圆心角为120-150°。

优选的，承载段的长度为2.5-3mm，承载段的厚度为3-5mm，限位段的长度为3-5mm，限位段的上端面比承载段的上端面高出0.8-1.3mm。

优选的，两个弧形支撑杆上均设置有2个支架，当然，支架的数量可以根据需要进行调整。

优选的，每个弧形支撑杆上的两个支架之间的夹角α为90°，这个角度可以更好地支撑晶圆，并且可以避免晶圆滑落。当然，支架的位置可以根据需要进行调整。

优选的，连接段和支撑段均采用陶瓷或铝合金制成。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

(1)将现有传输臂与晶圆中间位置接触的方式改为与晶圆的边缘位置进行接触，并且采用支架与晶圆边缘进行接触，减小了接触面积，边缘温度变化较小，有效提高了三五族化合物晶圆上镀膜的均匀性，避免出现传输臂在三五族化合物晶圆中间留下镀膜阴影的情况；

(2)支架的承载段和限位段形成台阶型，在使用过程中，晶圆与承载段接触，周围的限位段可以对晶圆进行限位，防止晶圆传输过程中滑动；

(3)传输臂采用陶瓷或铝合金制成，使传输臂具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化的优点。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中传输臂的结构示意图；

图2为本实用新型的结构示意图；

图3为本实用新型支架的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。

如图2-3所示，本实施例提供一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆3，连接段的自由端与二手设备的旋转盘连接，连接段采用现有传输臂的设计方式，该方式可使旋转盘直接兼容新旧传输臂，降低机台改造费用；支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆5，弧形支撑杆5与连接杆3一一对应，且弧形支撑杆5的一端与对应的连接杆3的一端连接；两个弧形支撑杆5的内部各设置有2个朝向圆心的支架4，每个弧形支撑杆5上的两个支架4之间的夹角α为90°；所述支架4均包括一体成型的承载段41和限位段42，限位段42的自由端与弧形支撑杆5连接，且限位段42的上端面高于承载段41的上端面。弧形支撑杆5的内径大于晶圆的直径，承载段41的自由端到圆心O的距离小于晶圆的半径，承载段41的连接端到圆心O的距离大于晶圆的半径，这样晶圆可以放置在4个承载段41上。

连接段和支撑段的宽度w均为7mm，厚度均为6mm；连接杆3的长度L为7mm。

当用于承载6寸晶圆时，6寸晶圆的直径为150mm，弧形支撑杆5的内径为158mm，圆心角为140°；承载段41和限位段42均为长方体型，承载段41的长度a为3mm，限位段42的长度c为3mm，则承载段41的自由端到圆心的距离为73mm，小于晶圆的半径75mm；承载段41的连接端到圆心的距离为76mm，大于晶圆的半径75mm，满足使用承载段41进行支撑的条件。承载段41和限位段42的宽度相同，且两者的下端面齐平，左端面齐平，右端面齐平，承载段41的厚度b为4mm，限位段42的上端面比承载段41的上端面高出1mm，即限位段42的厚度5mm。

连接段和支撑段均采用陶瓷或铝合金制成。

以上实施例仅表示本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以权利要求为准。

Claims (7)

1.一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆与连接杆一一对应，且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架，所述支架均包括一体成型的承载段和限位段，承载段和限位段均为长方体型，且承载段和限位段的宽度相同，且两者的下端面齐平，左端面齐平，右端面齐平；限位段的自由端与弧形支撑杆连接，且限位段的上端面高于承载段的上端面；弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径，承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径，承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。

2.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，所述连接杆的长度为4-10mm。

3.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，所述弧形支撑杆的内径为153-159mm，圆心角为120-150°。

4.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，所述承载段的长度为2.5-3mm，承载段的厚度为3-5mm，限位段的长度为3-5mm，限位段的上端面比承载段的上端面高出0.8-1.3mm。

5.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，两个所述弧形支撑杆上均设置有2个支架。

6.根据权利要求5所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，每个弧形支撑杆上的两个支架之间的夹角为90°。

7.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，其特征在于，所述连接段和支撑段均采用陶瓷或铝合金制成。