CN207368872U - 一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及抗干扰设备领域，尤其是一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，包括正极铜排、负极铜排、三极管IGBT1、三极管IGBT2、电容1、电容2、电容3、电容4、电容5、电容6、电阻R1和电阻R2，所述正极铜排和负极铜排之间设置有绝缘层，所述正极铜排与三极管IGBT1、三极管IGBT2的集电极相连，负极铜排与三极管IGBT1、三极管IGBT2的发射极相连，所述电容1、电容3、电容5并联之后再通过连接板与电容2、电容4、电容6串联，电阻R1和电阻R2与电容并联后再与正极铜排和负极铜排相连。本实用新型能够有效地吸收功率变换器件产生的干扰信号，保证电机的正常工作。

Description

一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排

技术领域

本实用新型涉及抗干扰设备领域，尤其是一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排。

背景技术

开关磁阻电机可用于电动汽车及工业生产中需要电机驱动的机械中。由于它具有起动电流小，起动力矩大，调速范围宽等诸多优点，所以特别适用于负载变化大的场合，如油田的抽油机、各种搅拌机、锻锤等。但该电机工作需要功率变换器件，功率变换器件会产生干扰，影响电机的正常工作。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，避免功率变换器件影响电机的正常运行。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，包括正极铜排、负极铜排、三极管IGBT1、三极管IGBT2、电容1、电容2、电容3、电容4、电容5、电容6、电阻R1和电阻R2，所述正极铜排和负极铜排之间设置有绝缘层，所述正极铜排与三极管IGBT1、三极管IGBT2的集电极相连，负极铜排与三极管IGBT1、三极管IGBT2的发射极相连，所述电容1、电容3、电容5并联之后再通过连接板与电容2、电容 4、电容6串联，电阻R1和电阻R2与电容并联后再与正极铜排和负极铜排相连。

进一步地，所述绝缘层为绝缘纸。

本实用新型的有益效果是：将本实用新型的三极管IGBT1、三极管IGBT2与电机相连，能够有效地吸收功率变换器件产生的干扰信号，保证电机的正常工作。

附图说明

图1是本实用新型的连接示意图。

图2是本实用新型的电路示意图。

图3是本实用新型正极铜排的示意图。

图4是本实用新型负极铜排的示意图。

图5是本实用新型连接板的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

如图1、图2、图3、图4和图5所示，本实用新型的一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，包括正极铜排1、负极铜排2、三极体管IGBT1、三极体管IGBT2、电容1、电容2、电容3、电容4、电容5、电容6、电阻R1和电阻R2。所述正极铜排1和负极铜排2之间设置有绝缘层3，绝缘层3为绝缘纸。正极铜排1与三极体管IGBT1和三极体管IGBT2的集电极相连，负极铜排2与三极体管IGBT1和三极体管IGBT2的发射极相连。电容1、电容3、电容5并联后通过连接板与电容2、电容4、电容6串联。电阻R1和电阻R2与电容并联后再与正极铜排1和负极铜排2相连。

电容1、电容2、电容3、电容4、电容5和电容6采用3300mfd、450vdc的电容，电容与电阻并联连接，形成抗干扰回路，能够很好地吸收功率变换器件产生的干扰信号，保证电机的正常工作。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，其特征在于：包括正极铜排(1)、负极铜排(2)、三极管IGBT1、三极管IGBT2、电容1、电容2、电容3、电容4、电容5、电容6、电阻R1和电阻R2，所述正极铜排(1)和负极铜排(2)之间设置有绝缘层(3)，所述正极铜排(1)与三极管IGBT1、三极管IGBT2的集电极相连，负极铜排(2)与三极管IGBT1、三极管IGBT2的发射极相连，所述电容1、电容3、电容5并联之后再通过连接板与电容2、电容4、电容6串联，电阻R1和电阻R2与电容并联后再与正极铜排(1)和负极铜排(2)相连。

2.如权利要求1所述的一种衰减干扰源的电容串并联型叠层母排，其特征在于：所述绝缘层(3)为绝缘纸。