CN203377852U - 一种igbt驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种IGBT驱动电路,包括光电耦合器、IGBT模块、正负电极和推挽电路,推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,N沟道MOS管的集电极与正负电极的正电极连接,P沟道MOS管的集电极与正负电极的负电极连接,N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与光电耦合器的输出端VOUT连接,N沟道MOS管通过第二电阻与IGBT模块的栅极输入端连接,P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接。本实用新型通过推挽电路使光电耦合器驱动能力增大,能够驱动容量更大的IGBT模块,便于开发更大功率的工业变频器。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种驱动电路,特别涉及一种IGBT驱动电路。
背景技术
随着电动汽车,太阳能发电,风力发电等新能源产业的快速发展,绝缘栅双极型晶体管IGBT作为其变换的核心元件扮演着重要的角色,而大功率IGBT可靠工作的前提必须具备高性能的IGBT驱动电路,满足IGBT的开通瞬间充放电的电流大,开通速度快,IGBT的损耗小的特点。
IGBT驱动电路有变压器隔离和光耦隔离两种隔离形式,目前的IGBT驱动电路存在驱动能力低,不能驱动容量更大的IGBT,不利于开发更大功率的工业变频器。
实用新型内容
本实用新型主要目的在于解决上述问题和不足,提供能够增大驱动能力,可驱动更大容量IGBT的一种IGBT驱动电路。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是:
一种IGBT驱动电路,包括光电耦合器和IGBT模块,还包括正负电极和推挽电路,所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接,所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接,所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端VOUT连接,所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述IGBT模块的发射极接地。
进一步,IGBT模块的发射极与所述正负电源中点连接,所述正负电源中点接地。
进一步,还包括饱和压降保护电路,所述光电耦合器的DESAT接口与所述饱和压降保护电路连接,所述饱和压降保护电路与IGBT模块的集电极连接。
进一步,饱和压降保护电路包括稳压管、二极管、第四电阻,所述IGBT模块的集电极依次经过稳压管、二极管的阴极、二极管的阳极和第四电阻与所述光电耦合器的DESAT接口连接。
综上内容,本实用新型所述的一种IGBT驱动电路具有如下优点:
1、通过推挽电路使光电耦合器驱动能力增大,能够驱动容量更大的IGBT模块,便于开发更大功率的工业变频器。
2、通过负极电源,P沟道MOS管在接通时,IGBT模块UGE为负值,使IGBT模块能够良好的实现负压快速关断。
3、通过饱和压降保护电路,保护了IGBT模块和驱动电路的安全。
附图说明
图1 是本实用新型IGBT驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述:
如图1所示,一种IGBT驱动电路,包括产生脉冲信号的控制电路,用于隔离控制电路和驱动电路的光电耦合器,与驱动电路连接的IGBT模块,正负电源以及推挽电路。控制电路包括单片机,单片机产生的PWM信号通过光电耦合器实现信号隔离耦合至驱动电路,光电耦合器输出的PWM信号控制IGBT模块的通断。推挽电路设置在光电耦合器与IGBT模块之间,正负电源的正极为15V,负极为-9V。
推挽电路包括一个N沟道MOS管Q1和一个P沟道MOS管Q2,它们并联,光电耦合器的输出端VOUT通过第一电阻R1与N沟道MOS管Q1和P沟道MOS管Q2的栅极G连接,正负电源的正电极与N沟道MOS管Q1的集电极C连接,正负电源的负电极与P沟道MOS管Q2的集电极C连接,N沟道MOS管Q1的发射极E通过第二电阻R2与IGBT模块的栅极G输入端连接,P沟道MOS管Q2的发射极E通过第三电阻R3与IGBT模块的栅极G输入端连接,IGBT模块的发射极E与正负电源的中点连接,正负电源中点接地,IGBT模块的栅极G和发射极E与第五电阻R5并联。
当光电耦合器输出端VOUT输出一个高电平,N沟道MOS管Q1接通,正电极、N沟道MOS管Q1的集电极C和发射极E、第二电阻R2、IGBT模块的栅极G和发射极E、正负电源中点形成一个回路,此时IGBT模块的UGE为15V,驱动IGBT模块的导通。驱动电流经过N沟道MOS管Q1的增大,使得驱动电流具有更大的驱动电流,便于开发更大功率的变频器。
当光电耦合器输出端VOUT输出一个低电平,P沟道MOS管Q2接通,负电极、IGBT模块的栅极G和发射极E、第三电阻R3、P沟道MOS管Q2的集电极C和发射极E、正负电源中点形成一个回路,此时IGBT模块的UGE为-9V,不驱动IGBT模块,IGBT模块关断。由于UGE为-9V,IGBT模块为负压关断,使IGBT模块能够快速关断,关断损耗减少。
驱动电路还包括饱和压降保护电路,饱和压降保护电路连接IGBT模块的集电极C与光电耦合器的DESAT接口,饱和压降保护电路包括一个稳压管D1、一个二极管D2和第四电阻R4,IGBT模块的集电极C依次经过稳压管D1、二极管D2的阴极、二极管D2的阳极和第四电阻R4与光电耦合器的DESAT接口连接。当IGBT模块的UCE大于饱和压降时,光电耦合器将停止输出电平信号,停止IGBT模块的驱动。光电耦合器发出信号到控制电路单片机,使之停止工作,从而保护了整个驱动电路。
本方案所述的IGBT驱动电路,通过推挽电路,使光电耦合器驱动能力从1.5A提升到8A以上,能够驱动容量更大的IGBT模块,便于开发更大功率的工业变频器。通过负极电源,P沟道MOS管在接通时,IGBT模块UGE为负值,使IGBT模块能够良好的实现负压快速关断。通过饱和压降保护电路,保护了IGBT模块和驱动电路的安全。
如上所述,结合附图所给出的方案内容,可以衍生出类似的技术方案。但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (4)
1.一种IGBT驱动电路,包括光电耦合器和IGBT模块,其特征在于:还包括正负电极和推挽电路,所述推挽电路包括并联的一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管,所述N沟道MOS管的集电极与所述正负电极的正电极连接,所述P沟道MOS管的集电极与所述正负电极的负电极连接,所述N沟道MOS管和P沟道MOS管的栅极通过第一电阻与所述光电耦合器的输出端VOUT连接,所述N沟道MOS管通过第二电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述P沟道MOS管的发射极通过第三电阻与所述IGBT模块的栅极输入端连接,所述IGBT模块的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路,其特征在于:所述IGBT模块的发射极与所述正负电源中点连接,所述正负电源中点接地。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动电路,其特征在于:还包括饱和压降保护电路,所述光电耦合器的DESAT接口与所述饱和压降保护电路连接,所述饱和压降保护电路与IGBT模块的集电极连接。
4.根据权利要求3所述的一种IGBT驱动电路,其特征在于:所述饱和压降保护电路包括稳压管、二极管、第四电阻,所述IGBT模块的集电极依次经过稳压管、二极管的阴极、二极管的阳极和第四电阻与所述光电耦合器的DESAT接口连接。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN105940453A (zh) * | 2014-01-28 | 2016-09-14 | 施耐德电气It公司 | 双极栅极驱动器 |
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2013
- 2013-06-19 CN CN201320354347.7U patent/CN203377852U/zh not_active Expired - Lifetime
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