CN203326865U - 一种同步整流管驱动装置 - Google Patents
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Abstract
一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流MOSFET的驱动信号，包括：电压采集电路，获取所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压；比较电路，比较同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；供电电路，分别与同步整流MOSFET的漏极、比较电路以及驱动电路连接，当同步整流MOSFET的漏极电压为正、源极为负时储存电能，当同步整流MOSFET的漏极电压为负、源极为正时以储存的电能为比较电路和驱动电路供电；驱动电路，根据比较电路的比较结果生成驱动信号并输出至所述同步整流MOSFET的栅极。本实用新型通过流经同步整流MOSFET的能量对比较电路及驱动电路进行自供电，结构简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及同步整流领域，具体涉及一种同步整流管驱动装置。
背景技术
整流电路作为功率变换器的重要组成部分，对其整体性能有较大影响，传统的整流电路采用功率二极管，由于二极管的通态压降较高，因此整流损耗较大，从而导致功率变换器整机的效率变低。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术，其按驱动信号类型可以分为电压驱动型和电流驱动型。
电压驱动型同步整流电路虽然结构简单，但其驱动信号多直接取自主变压器，其缺点是门极驱动电压不稳定，且应用环境有限。
电流型同步整流电路是通过检测流过自身的电流来获得同步整流驱动信号。同步整流管流过正向电流时导通，在电流为零时关断，使反向电流不能流过整流管，可应用在各类变换器拓扑结构中，但现有的电流型同步整流电路，结构复杂，成本较高。
实用新型内容
为解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型提供一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流MOSFET的驱动信号，包括：
电压采集电路，其分别与所述同步整流MOSFET的漏极、源极连接，用于获取所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压；
比较电路，与所述电压采集电路连接，用于比较所述同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；
供电电路，分别与所述同步整流MOSFET的漏极、比较电路以及驱动电路连接，当同步整流MOSFET的漏极电压为正、源极电压为负时储存电能，当同步整流MOSFET的漏极电压为负、源极电压为正时以储存的电能为比较电路和驱动电路供电；
驱动电路，分别与所述比较电路和同步整流MOSFET的栅极连接，用以根据所述比较电路的比较结果生成驱动信号并输出至所述同步整流MOSFET的栅极。
本实用新型与现有的电流型同步整流电路相比，通过流经同步整流MOSFET的能量对比较电路及驱动电路进行自供电，不需要额外的电源，结构简单，成本较低。
附图说明
图1是本实用新型的实施例的一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图2是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图3是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图4是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图5是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图6是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
图7是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1是本实用新型的实施例的一种同步整流管驱动装置的电路结构图；如图1所示的一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流MOSFET SR的驱动信号，包括：
电压采集电路，其分别与所述同步整流MOSFET的漏极、源极连接，用于获取所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压；
比较电路，与所述电压采集电路连接，用于比较所述同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；
供电电路，分别与所述同步整流MOSFET的漏极、比较电路以及驱动电路连接，当同步整流MOSFET的漏极电压为正、源极电压为负时储存电能，当同步整流MOSFET的漏极电压为负、源极电压为正时以储存的电能为比较电路和驱动电路供电；
驱动电路，分别与所述比较电路和同步整流MOSFET的栅极连接，用以根据所述比较电路的比较结果生成驱动信号并输出至所述同步整流MOSFET的栅极。
图2是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；
如图2所示，所述的比较电路具体包括比较器C1，所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压分别与比较器的反向输入端和同向输入端连接，所述比较器的输出端与驱动电路连接，所述比较器的电源端与供电电路连接，所述比较器的接地端与同步整流MOSFET的源极连接。
图3是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；其具体为图2所述实施例的进一步细化，如图3所示，所述供电电路包括第一二极管D1、电容Ca1，所述第一二极管的阳极所述与同步整流MOSFET的漏极连接，所述第一二极管的阴极通过电容与所述同步整流MOSFET的源极连接，所述比较器的电源端连接于第一二极管和电容之间，所述驱动电路连接于所述第一二极管和电容之间，当同步整流MOSFET的漏极电压为正、源极电压为负时电容Ca1储存电能，当同步整流MOSFET的漏极电压为负、源极电压为正时电容Ca1以储存的电能为比较电路和驱动电路供电；。
图4是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；其具体为图3所述实施例的进一步改进，如图4所示，本实施例所述的供电电路在图3所述的实施例的基础上还包括第一电阻R1和稳压二极管D2，所述第一电阻连接于第一二极管和电容之间，所述稳压二极管的阴极连接于所述第一电阻和电容之间，所述稳压二极管的阳极连接于电容和同步整流MOSFET的源极之间，所述比较器的电源端和驱动电路均连接于第一电阻和电容Ca1之间。本实施例可在待整流电压过大时，对供电电压进行稳压。
图5是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；其具体为图4所述实施例的进一步改进，如图4所示，所述供电电路还包括恒流源I1和三级管Q1，所述恒流源连接于所述第一二极管D1和第一电阻R1之间，所述三极管的基极连接于第一电阻和电容之间，所述三极管的集电极连接于所述第一二极管和恒流源之间，所述三级管的发射极分别与所述比较器C1的电源端和驱动电路连接，所述稳压二极管D2的阴极与三极管的基极连接。本实施例可有效减小供电电路的电流损耗。
图6是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；其具体为图3至图5所述实施例中电压采集电路的进一步细化，如图6所示，所述电压采集电路包括第二电阻R2、第三电阻R3以及第二二级管D3，所述第二电阻连接于同步整流MOSFET的漏极与比较器的反向输入端之间，所述第三电阻连接于同步整流MOSFET的源极与比较器的同向输入端之间，所述第二二极管的阳极连接于第一电阻和比较器的反向输入端之间，所述第二二极管的阴极连接于第二电阻和比较器的同向输入端之间。
图7是本实用新型的实施例的又一种同步整流管驱动装置的电路结构图；其具体为图3至图5所述实施例中电压采集电路的又一细化，如图7所示，所述电压采集电路包括第四电阻R4及导线，所述第四电阻连接于所述同步整流MOSFET的漏极和第一二极管之间，所述导线连接于所述比较器的同向输入端和同步整流MOSFET的源极之间，所述比较器的反向输入端连接于第四电阻和第一二极管之间。本实施例对电压采集电路进行了精简，使其结构更为简单。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (2)
1.一种同步整流管驱动装置，用于产生同步整流MOSFET的驱动信号，其特征在于，包括：
电压采集电路，其分别与所述同步整流MOSFET的漏极、源极连接，用于获取所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压；
比较电路，与所述电压采集电路连接，用于比较所述同步整流MOSFET漏极和源极的电压大小；
供电电路，分别与所述同步整流MOSFET的漏极、比较电路以及驱动电路连接，当同步整流MOSFET的漏极电压为正、源极电压为负时储存电能，当同步整流MOSFET的漏极电压为负、源极电压为正时以储存的电能为比较电路和驱动电路供电；
驱动电路，分别与所述比较电路和同步整流MOSFET的栅极连接，用以根据所述比较电路的比较结果生成驱动信号并输出至所述同步整流MOSFET的栅极。
2.根据权利要求1所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述的比较电路包括比较器，所述同步整流MOSFET的漏极、源极电压分别与比较器的反向输入端和同向输入端连接，所述比较器的输出端与驱动电路连接，所述比较器的电源端与供电电路连接，所述比较器的接地端与同步整流MOSFET的源极连接。
3．根据权利要求2所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述供电电路包括第一二极管、电容，所述第一二极管的阳极与所述同步整流MOSFET的漏极连接，所述第一二极管的阴极通过电容与所述同步整流MOSFET的源极连接，所述比较器的电源端连接于第一二极管和电容之间，所述驱动电路连接于所述第一二极管和电容之间。
4．根据权利要求3所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述供电电路还包括第一电阻和稳压二极管，所述第一电阻连接于第一二极管和电容之间，所述稳压二极管的阴极连接于所述第一电阻和电容之间，所述稳压二极管的阳极连接于电容和同步整流MOSFET的源极之间，所述比较器的电源端和驱动电路均连接于第一电阻和电容之间。
5．根据权利要求4所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述供电电路还包括恒流源和三级管，所述恒流源连接于所述第一二极管和第一电阻之间，所述三极管的基极连接于第一电阻和电容之间，所述三极管的集电极连接于所述第一二极管和恒流源之间，所述三级管的发射极分别与所述比较器的电源端和驱动电路连接，所述稳压二极管的阴极与三极管的基极连接。
6．根据权利要求3至5任一项所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述电压采集电路包括第二电阻、第三电阻以及第二二级管，所述第二电阻连接于同步整流MOSFET的漏极与比较器的反向输入端之间，所述第三电阻连接于同步整流MOSFET的源极与比较器的同向输入端之间，所述第二二极管的阳极连接于第二电阻和比较器的反向输入端之间，所述第二二极管的阴极连接于第三电阻和比较器的同向输入端之间。
7．根据权利要求3至5任一项所述的同步整流管驱动装置，其特征在于，所述电压采集电路包括第四电阻及导线，所述第四电阻连接于所述同步整流MOSFET的漏极和第一二极管之间，所述导线连接于所述比较器的同向输入端和同步整流MOSFET的源极之间，所述比较器的反向输入端连接于第四电阻和第一二极管之间。
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