CN207289796U - 化学机械式研磨装置 - Google Patents

化学机械式研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207289796U
CN207289796U CN201721327245.0U CN201721327245U CN207289796U CN 207289796 U CN207289796 U CN 207289796U CN 201721327245 U CN201721327245 U CN 201721327245U CN 207289796 U CN207289796 U CN 207289796U
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
grinding layer
measurement
thickness
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721327245.0U
Other languages
English (en)
Inventor
禹相政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Case Polytron Technologies Inc
KC Tech Co Ltd
KCTech Co Ltd
Original Assignee
Case Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Case Polytron Technologies Inc filed Critical Case Polytron Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of CN207289796U publication Critical patent/CN207289796U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/463—Mechanical treatment, e.g. grinding, ultrasonic treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，包括：研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与基板接触；测量部，其配置于研磨垫的下部，测量包含研磨层的厚度信息的信号；温度测量部，其测量研磨层的温度；厚度检测部，将由所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差反映在所述测量部测量的信号中，从而检测所述研磨层的厚度，通过对温度变化导致的测量误差进行补偿，可以获得准确地检测研磨层厚度的效果。

Description

化学机械式研磨装置
技术领域
本实用新型涉及化学机械式研磨装置，更详细而言，涉及一种能够准确测量由导电性材料形成的晶片的研磨层厚度的化学机械式研磨装置。
背景技术
一般而言，化学机械式研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)工序是使晶片等基板以接触的状态在旋转的研磨盘上旋转并进行机械研磨而达到预先确定的厚度，使基板表面平坦的工序。
为此，如图1所示，化学机械式研磨装置1在将研磨垫11覆盖于研磨盘12上的状态下使研磨盘12自转，利用研磨头20，使晶片W被加压于研磨垫11的表面并旋转，平坦地研磨晶片W的表面。为此，具备调节器30，所述调节器30在旋转30r的同时使研磨垫11重整，以便研磨垫11的表面保持既定的状态；通过浆料供应管40，向研磨垫11的表面供应执行化学研磨的浆料。
与此同时，在研磨垫11上安装有测量晶片W的研磨层厚度的厚度传感器50，与研磨垫11一同旋转，从穿过晶片W下侧后接收的接收信号，测量晶片W的研磨层厚度。根据情况，在晶片W的下侧安装贯通研磨垫11和研磨盘的透明窗，在透明窗的下部，从晶片W接收包含研磨层厚度信息的输出信号，测量晶片W的研磨层厚度。
其中，所谓测量研磨层厚度，还包括只监视研磨层的厚度是否达到目标厚度。
在晶片W的研磨层以作为导电性材质的钨等金属材质形成的情况下，厚度传感器50具备铜等邻接研磨层配置的传感器线圈，借助于接入(Si)交流电流，向晶片研磨层射出形成涡电流的涡电流输入信号，如图3所示，从导电性研磨层中感应的涡电流50E的合成阻抗及相位差的变动值，感知晶片W的研磨层厚度。
另一方面，在化学机械式研磨工序中，晶片W的研磨层Le的温度进行变化。可是，在导电性研磨层Le中感应的涡电流受到周边温度的极大影响，因此，如果研磨层Le发生温度变化，则根据研磨层Le的温度，发生涡电流信号的测量误差，存在难以准确感知晶片W的研磨层Le的厚度的问题。
特别是在化学机械式研磨工序中，借助于研磨垫11的温度偏差，在晶片W的研磨层Le中也发生温度偏差，因此存在的问题是，研磨层的不同区间(或不同地点)，涡电流信号的测量误差发生得更大。
进一步地，晶片研磨层Le的目标厚度调节的允许误差非常小，为数十～数百，因而存在的问题是，由于研磨层Le温度变化导致的涡电流信号的测量误差，错误认知晶片研磨层Le的厚度分布及研磨结束时间点的可能性很大。
另外，厚度传感器50测量的涡电流测量信号虽然也随着晶片研磨层Le的厚度变化(研磨量)而变化，但也随着厚度传感器50与晶片研磨层Le之间距离50d变化而变化。
可是，在化学机械式研磨工序中，在晶片W的研磨层Le被研磨的同时，由磨损材质构成的研磨垫11也被细微磨损，厚度发生变化，因而存在的问题是，由于研磨垫11的厚度变动导致的误差，错误认知晶片研磨层Le的厚度分布及研磨结束时间点的可能性很大。
因此，在化学机械式研磨工序中，在实时感知晶片W的研磨层厚度的同时，也实时感知研磨垫11的厚度变动的必要性极大突显。
实用新型内容
所要解决的技术问题
本实用新型目的在于，提供一种可在化学机械式研磨工序中准确测量由导电性材料形成的基板研磨层的厚度的化学机械式研磨装置。
特别是本实用新型目的在于，能够反映研磨层温度变化导致的测量误差，准确测量研磨层的厚度变化。
另外，本实用新型目的在于，能够在化学机械式研磨工序中反映研磨垫的厚度变动，更准确地测量由导电性材料形成的基板研磨层厚度。
另外，本实用新型目的在于，能够在与测量信号的地点相同的地点，一同测量研磨层的温度和研磨垫的厚度变动量，以提高研磨层厚度的测量可靠性。
技术方案
为了达到所述本实用新型目的，本实用新型的优选实施例中的一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，其特征在于，包括：研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与基板接触；测量部，其配置于研磨垫的下部，测量包含研磨层的厚度信息的信号；温度测量部，其测量研磨层的温度；厚度检测部，厚度检测部，将由温度测量部测量的研磨层的温度变化导致的测量误差反映在测量部测量的信号中，从而检测研磨层的厚度。
这是为了在测量包含导电性材质的研磨层的厚度信息的信号并测量研磨层的厚度方面，补偿研磨环境变数导致的测量误差，使得能够更准确地测量研磨层的厚度。
尤其是，本实用新型在包含由测量部测量的厚度信息的信号中，反映温度测量部测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，来检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得准确测量不因研磨层的温度而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
优选地，本实用新型中，所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差，按照研磨垫的不同的温度条件，预先存储于数据库。借助于此，可以获得迅速获得研磨层的不同温度的测量误差、迅速检测研磨层的厚度的有利效果。具体而言，研磨层的不同温度的测量误差可以为0.07％/1℃，在数据库中可以按1℃存储测量误差信息。
作为本实用新型的测量部，可以使用测量包含研磨层的厚度信息的涡电流信号的涡电流测量部。
另外，本实用新型还包括距离测量部，距离测量部测量测量部与研磨层之间的距离；厚度检测部在反映由距离测量部获得的研磨垫的厚度变动量的基础上，检测出研磨层的厚度。借助于此，可以获得准确地检测不因研磨垫的厚度变动量而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
优选地，所述距离测量部包括：超声波传感器，其配置于研磨垫的下部，向研磨垫的上部方向发射超声波；检测器，其感知从研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，从而测量测量部与研磨层之间的距离。
如上所述，从研磨垫的下部发射超声波，感知在基板的研磨层的底面反射的超声波反射信号，检测涡电流传感器与研磨层之间距离，借助于此，可以获得在没有研磨层与距离测量部之间残留的液态流体导致的信号干扰(信号失真)的情况下准确检测涡电流传感器与研磨层之间距离的效果。
另外，测量部、温度测量部、距离测量部安装于研磨盘，或在所述研磨盘形成有贯通部，测量部和温度测量部配置于贯通部的下部。由此，可以获得准确测量基板板面的半径方向或圆周方向的二维厚度分布的有利效果。
另外，所述测量部测量包含所述研磨层的厚度信息的涡电流信号。
根据本实用新型的另一实施例，一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，其特征在于，包括：研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与所述基板接触；测量部，其配置于研磨垫的下部，在沿着研磨层的半径方向的多个地点，测量包含研磨层的厚度信息的信号；厚度检测部，向按照测量信号的多个地点由测量部所测量的所述信号中，对与信号一同测量的研磨环境变数导致的测量误差进行补偿，从而检测研磨层的厚度。
这是为了在测量包含导电性材质的研磨层的厚度信息的信号并测量研磨层的厚度方面，补偿研磨环境变数导致的测量误差，使得能够更准确地测量研磨层的厚度。
尤其是，本实用新型在穿过研磨层的轨迹的多个地点，分别补偿因研磨环境变数导致的误差并检测厚度，借助于此，可以获得准确测量基板板面的二维厚度分布的有利效果。
另外，包括测量所述研磨层的温度的温度测量部，所述厚度检测部在反映所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差的基础上，检测所述研磨层的厚度。
特别是本实用新型补偿可使信号发生误差的研磨层温度、研磨垫厚度变动量(涡电流传感器与研磨层之间距离)导致的误差，借助于此，可以获得准确检测不因研磨环境变数导致的测量误差而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
优选地，本实用新型中，研磨层的温度变化导致的测量误差，按照研磨垫的不同的温度条件预先存储于数据库。借助于此，可以获得迅速获得研磨层不同温度的测量误差、迅速检测研磨层的厚度的有利效果。具体而言，研磨层不同温度的测量误差可以为0.07％/1℃，在数据库中可以按1℃存储测量误差信息。
另外，包括测量测量部与研磨层之间的距离的距离测量部，厚度检测部在反映由距离测量部获得的研磨垫的厚度变动量的基础上，检测研磨层的厚度。
另外，本实用新型的化学机械式研磨装置，包括：温度测量部，其测量所述研磨层的温度；距离测量部，其测量测量部与研磨层之间的距离；厚度检测部在反映温度测量部测量的研磨层的温度变化导致的测量误差、以及由距离测量部获得的研磨垫的厚度变动量的基础上，检测研磨层的厚度。
另外，距离测量部包括：超声波传感器，其配置于研磨垫的下部，向研磨垫的上部方向发射超声波；检测器，其感知从研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，从而测量涡电流传感器与研磨层之间距离。
如上所述，从研磨垫下部发射超声波，感知在基板的研磨层的底面反射的超声波反射信号，检测涡电流传感器与研磨层之间距离，借助于此，可以获得在没有研磨层与距离测量部之间残留的液态流体导致的信号干扰(信号失真)的情况下准确检测涡电流传感器与研磨层之间距离的效果。
根据本实用新型又一优选实施例，一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，其特征在于，包括：研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与基板接触；测量部，其配置于研磨垫的下部，测量包含研磨层的厚度信息的信号；温度测量部，其测量研磨层的温度；距离测量部，其测量测量部与研磨层之间的距离；厚度检测部，其将温度测量部测量的研磨层的温度变化导致的测量误差、以及从距离测量部获得的研磨垫的厚度变动量反映在测量部测量的信号中，以检测研磨层的厚度；测量部、温度测量部、距离测量部构成一组(group)，并同时对同一地点进行测量。
由此，可以获得将实际测量地点的研磨环境变数(例如，研磨层温度、涡电流传感器与研磨层之间距离)导致的误差实时反映于实际测量值，在实际测量地点更准确地检测研磨层的厚度的有利效果。
特别是本实用新型对因可使信号发生误差的研磨层温度、研磨垫厚度变动量(涡电流传感器与研磨层之间距离)导致的误差进行补偿，借助于此，可以获得准确检测不因研磨环境变数导致的测量误差而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
还包括将测量部、温度测量部、距离测量部连接成一体的连接构件。
优选地，本实用新型中，研磨层的温度变化导致的测量误差，按照研磨垫的不同的温度条件，预先存储于数据库。借助于此，可以获得迅速获得研磨层的不同温度的测量误差、迅速检测研磨层的厚度的有利效果。具体而言，研磨层的不同温度的测量误差可以为0.07％/1℃，在数据库中可以按1℃存储测量误差信息。
另外，距离测量部包括：超声波传感器，其配置于研磨垫的下部，向研磨垫的上部方向发射超声波；检测器，其感知在研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，测量测量部与研磨层之间的距离。如上所述，从研磨垫的下部发射超声波，感知在基板的研磨层的底面反射的超声波反射信号，检测涡电流传感器与研磨层之间距离，借助于此，可以获得在没有研磨层与距离测量部之间残留的液态流体导致的信号干扰(信号失真)的情况下准确检测涡电流传感器与研磨层之间距离的效果。
另外，测量部、温度测量部、距离测量部安装于研磨盘。
另外，在研磨盘形成有贯通部，测量部、温度测量部、距离测量部配置于贯通部的下部。
实用新型效果
综上所述，根据本实用新型，可以获得对研磨环境变数导致的测量误差进行补偿而更准确地测量研磨层的厚度的有利效果。
特别是根据本实用新型，在反映研磨层的温度变化导致的测量误差的基础上，测量研磨层的厚度，借助于此，可以获得准确测量不因研磨层温度而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
进一步地，根据本实用新型，在反映研磨垫的厚度变动量的基础上，检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得准确检测不因研磨垫的厚度变动量而失真的纯粹的基板研磨层厚度的有利效果。
另外，根据本实用新型，在穿过研磨层的轨迹的多个地点，分别补偿研磨环境变数导致的误差并检测厚度，借助于此，可以获得准确测量基板板面的二维厚度分布的有利效果。
另外，根据本实用新型，可以获得将实际测量地点的研磨环境变数导致的误差实时反映于实际测量值，在实际测量地点更准确地检测研磨层的厚度的有利效果。
由此，本实用新型可以获得准确检测基板的研磨结束时间点并能够准确控制基板研磨厚度的效果。
附图说明
图1是现有的化学机械式研磨装置的结构的主视图。
图2是图1的俯视图。
图3是图1中使用的研磨头的半剖面图。
图4及图5是用于说明本实用新型的化学机械式研磨装置的图。
图6是用于说明图4的距离测量部的图。
图7是用于说明图5的数据库的图。
图8～图10是用于说明借助于图4的化学机械式研磨装置的研磨层厚度测量过程的图。
图11是用于说明图4的化学机械式研磨装置的厚度测量地点的图。
图12及13是用于说明本实用新型另一实施例的化学机械式研磨装置的图。
[附图标记]
100：研磨盘 110：研磨垫
120：承载头 130：调节器
140：浆料供给部 200：传感器模块
210：测量部 220：温度测量部
230：距离测量部 232：超声波传感器
234：检测器 240：厚度检测部
250：数据库(DB)
具体实施方式
下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但并非本实用新型由实施例限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标记指称实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用在不同附图中记载的内容进行说明，可以省略判断认为从业人员不言而喻的或重复的内容。
如果参照图4及图5，本实用新型一个实施列的化学机械式研磨装置10配备用于对形成有导电性材质的研磨层的基板12进行研磨，包括：研磨垫110，其配置于研磨盘100的上面，供基板12接触；测量部210，其配置于研磨垫110的下部，测量包含研磨层的厚度信息的信号；温度测量部220，其测量研磨层的温度；厚度检测部240，其在测量部210测量的信号中，反映温度测量部220测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
研磨垫110可以具有圆盘形态，设置在进行旋转的研磨盘100的上面。
在浆料从后述浆料供给部供应到研磨垫110上面的状态下，借助于承载头120，将基板12加压于研磨垫110的上面，从而可以执行化学机械式研磨工序，在利用研磨垫110及浆料的化学机械式研磨工序结束后，可以将基板12移送到洗涤装置。
另外，在研磨垫110的上面，形成有具有预定深度的多个磨纹(groove pattern)112。
磨纹112可以以直线、曲线、圆形形态中至少任意一种形态形成。下面，列举在研磨垫110的上面，形成以研磨垫110的中心为基准具有同心圆形态的多个磨纹112，各磨纹112具有相同宽度、以相同间隔隔开形成的示例进行说明。根据情况，磨纹也可以具有不同的形态或以不同的宽度及间隔形成，本实用新型不因磨纹的形态及排列而得到限制或限定。
做为参考，在本实用新型中，所谓基板12，可以理解为形成有导电性材质的研磨层并可在研磨垫110上研磨的研磨对象物，本实用新型不由基板12的种类及特性所限制或限定。作为一个示例，作为基板12，可以使用形成有导电性研磨层的晶片。
所述承载头120可以根据要求的条件及设计样式而以多样的结构提供。作为一个示例，所述承载头120可以包括：底座部122，其设置成能够旋转；弹性隔膜121，其设置在底座部122的下面。
弹性隔膜121在中央部形成有开口部，弹性隔膜121的邻接中央部的内侧端可以固定于底座部122，弹性隔膜121的外侧端可以借助结合于底座部122的边缘部的卡环123而固定于底座部122。
弹性隔膜121可以根据要求的条件及设计样式而以多样的结构提供。作为一个示例，在弹性隔膜121上可以形成有多个翻板(例如，环形态的翻板)，借助于多个翻板，在底座部与弹性隔膜之间，可以提供沿着底座部的半径方向划分的多个压力腔。
在底座部122与弹性隔膜121之间的各压力腔，可以分别提供用于测量压力的压力传感器。各压力腔的压力可以根据压力腔调节部125的控制而个别地调节，可以调节各压力腔的压力，个别地调节基板12被加压的压力。
另外，在所述承载头120的中心部，可以形成有借助于弹性隔膜的开口而贯通形成的中心部压力腔。中心部压力腔与基板直接连通，不仅在磨光工序中对基板加压，而且，吸入压进行作用，使基板12贴紧承载头120的弹性隔膜，从而还可以发挥以把持基板12的状态，使之移动到第三位置(例如，清洗装置)的作用。
另外，在研磨垫110的上面另一侧，可以配置有用于对研磨垫110表面进行重整的调节器130。
所述调节器130设置成以臂的旋转中心为基准进行回旋运动，借助于调节器130的机械式修整工序，研磨垫110可以保持既定的研磨面。
另外，在研磨垫110的上面的又一侧，可以配置有向研磨垫110的表面供应浆料(CMP slurry)的浆料供给部140。
测量部210配置于研磨垫110的下部，配置得测量包含研磨层的厚度信息的信号。作为一个示例，作为测量部210，使用测量包含研磨层的厚度信息的涡电流信号的涡电流测量部。
其中，所谓测量部210配置于研磨垫110的下部，理解为全部包括测量部210安装于研磨盘100并与研磨盘100一同旋转的结构、测量部210配置于在研磨盘100上形成的贯通部(图13的102)的下部且不与研磨盘100一同旋转的结构的概念。
作为测量部210，可以使用通常的涡电流传感器。
测量部210接入涡电流，接收来自研磨层的输出信号(例如，共振频率或合成阻抗)，以便感知基板12的研磨层的厚度。
涡电流传感器包括缠绕n次的中空螺旋形状的传感器线圈(图中未示出)，从控制部接入交流电流，以磁通量形态从传感器线圈接入输入信号，向导电体(导电性材质的研磨层)接入涡电流，在导电体的厚度变动或与导电体的距离变动的情况下，将导电体中发生的涡电流导致的共振频率或合成阻抗接收为输出信号，从输出信号的变化，检测导电体的厚度变化或至导电体的距离。
作为一个示例，测量部210可以沿着研磨垫110的半径方向隔开地配置多个。下面列举配备5个测量部210的示例进行说明。根据情况，也可以使用4个以下或6个以上的测量部。而且，温度测量部与距离测量部也可以与测量部个数对应。
作为参考，涡电流传感器接收的输出信号在没有导电性材料的情况下，没有合成阻抗的减少成分，因而原则上测量为基准值(default)或0，在有导电性材料的情况下，由于合成阻抗的减少成分，输出为从基准值或0减小了合成阻抗减少成分的大小。涡电流传感器的输出值可以显示为电压(voltage)。
而且，测量部210可以在穿过研磨层下侧的轨迹T1～T3的多个地点(例如，P1～P7)，分别测量包含研磨层的厚度信息的信号(参照图11)。
温度测量部220配置于研磨垫110的下部，测量研磨层的温度。
作为温度测量部220，可以使用能测量研磨层的温度的通常的温度传感器。作为一个示例，作为温度测量部220，可以使用红外线(IR)温度传感器。根据情况，作为温度测量部，可以使用其他不同的非接触温度传感器。不同地，还可以以接触式温度传感器构成温度测量部，能够通过测量研磨层接触的研磨垫的温度而间接测量研磨层的温度。
而且，测量部210与温度测量部220模块化成传感器模块200，以便与测量涡电流传感器与研磨层之间距离的距离测量部230一同构成一组(group)。作为一个示例，可以在管形连接构件202的内部使测量部210、温度测量部220、距离测量部230模块化。
如上所述，将测量部210、温度测量部220、距离测量部230模块化成一体，使得测量部210、温度测量部220、距离测量部230同时测量同一地点，借助于此，可以获得将实际测量地点的研磨环境变数(例如，研磨层温度、涡电流传感器与研磨层之间距离)导致的误差反映于实际测量值，在实际测量地点更准确地检测研磨层厚度的有利效果。
根据情况，测量部、温度测量部、距离测量部也可以分别隔开地配置，但是，优选将测量部210、温度测量部220、距离测量部230模块化成一体，以便能够提高测量准确度。
距离测量部230配置于与涡电流传感器相同的高度。而且，作为距离测量部230，可以使用能够测量涡电流传感器与研磨层之间距离的多样的距离传感器。作为一个示例，如果参照图6，距离测量部230可以包括：超声波传感器232，其配置于研磨垫110的下部，向研磨垫110的上部方向发射超声波；检测器234，其感知在研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，测量涡电流传感器与研磨层之间距离。
作为超声波传感器232，可以使用能发射超声波的通常的超声波发生装置，本实用新型不因超声波传感器232的种类而所限制或限定。
检测器234感知在超声波传感器232发生后从介质界面(研磨层的底面)返回的超声波反射信号R1。
因此，可以利用超声波传感器232发生的超声波的速度和超声波反射信号被检测器234感知的时间，检测涡电流传感器与研磨层之间距离(距离＝时间(t)×速度(v))。
如上所述，本实用新型从研磨垫110的下部发射超声波，感知在基板12的研磨层的底面反射的超声波反射信号，检测涡电流传感器与研磨层之间距离，借助于此，可以获得在没有研磨层与距离测量部230之间残留的液态流体导致的信号干扰(信号失真)的情况下准确检测涡电流传感器与研磨层之间距离的效果。根据情况，距离测量部也可以包括光传感器或其他不同的近距离传感器构成。
厚度检测部240在测量部210测量的信号中补偿研磨环境变数导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
其中，所谓研磨环境变数，理解为会使信号发生误差的因子。例如，研磨环境变数包括会使信号发生误差的研磨层的温度、与研磨层的距离(涡电流传感器与研磨层之间距离)中至少任意一种。
作为一个示例，厚度检测部240在测量部210测量的信号中，反映温度测量部220测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
优选地，研磨层的温度变化导致的测量误差的数据可以按研磨层的温度，预先存储于数据库250并提供。
例如，如果参照图7，测量误差E1～En按研磨层的不同的温度条件实际测量并预先存储于查对表(Lookup Table)，可以利用查对表中预先存储的信息，迅速地获得研磨层各温度的测量误差(E1～En)。
具体而言，研磨层的各温度的测量误差为0.07％/1℃，在查对表中，可以按1℃存储测量误差信息。即，研磨层的温度每升高(或降低)1℃，测量部210测量的信号会发生0.07％的误差。
而且，查对表中未预先存储的研磨层温度(例如，50.5℃)下的测量误差，可以以利用了预先存储的邻接研磨层温度(例如，50℃和51℃)下的测量误差的插值法(interpolation)算出。
如上所述，本实用新型在测量部210测量的信号中，反映温度测量部220测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度，从而可以获得无误差地准确测量研磨层厚度的有利效果。
另外，本实用新型的测量部210在穿过研磨层下侧的轨迹(例如，T1)的多个地点(接收信号的地点，例如，P1～P7)，分别测量包含研磨层厚度信息的信号，在各地点的信号中，反映与信号一同测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，从而可以获得准确测量基板12板面的二维厚度分布的有利效果。
作为另一示例，厚度检测部240反映借助于距离测量部230而获得的研磨垫110的厚度变动量，检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得无误差地更准确测量研磨层的厚度的有利效果。
如果与研磨层的距离(涡电流传感器与研磨层之间距离)变动，则信号变化，因此，如果知道涡电流传感器与研磨层之间的距离，则可获知研磨垫110的厚度变动量。
因此，通过在测量部210测量的信号中，反映通过涡电流传感器与研磨层之间的距离测量值获得的研磨垫110的厚度变动量，从而可以获得更准确地测量基板12的研磨层的厚度值的效果。
例如，在图11的P2位置测量的信号S1可如图8所示。
此时，实际测量的信号S1可以是随着研磨层的温度而失真的信号。因此，如图9所示，厚度检测部240在信号S1中反映预先存储的研磨层温度变化导致的测量误差E而生成补正信号S2，通过补正信号S2来检测研磨层的厚度，借助于此，可以检测不因研磨层温度而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。
更优选地，如图10所示，厚度检测部240在补正信号S2中反映研磨垫110的厚度变动量LE，生成厚度补偿信号S3，通过厚度补偿信号S3来检测研磨层的厚度，借助于此，可以准确地检测不因研磨垫110的厚度变动量而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。
作为参考，在本实用新型的实施例中，列举在补正信号S2中反映研磨垫110的厚度变动量LE的示例进行了说明，但根据情况，也可以在反映研磨垫的厚度变动量LE后，反映研磨层的温度变化导致的测量误差E。
另一方面，图12及13是用于说明本实用新型另一实施例的化学机械式研磨装置的图。而且，对于与前述构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对其的详细说明。
参照图12及图13，根据本实用新型的另一实施例，在化学机械式研磨装置10的研磨盘100上形成有贯通部102，测量部210、温度测量部220、距离测量部230可以配置于贯通部102的下部，研磨盘100旋转时，测量部210、温度测量部220、距离测量部230不旋转。
如上所述，在测量部210、温度测量部220、距离测量部230配置于贯通部102下部的结构中，测量部210、温度测量部220、距离测量部230可以在研磨层的下侧，沿着环形轨迹T1～T3穿过。因此，在沿研磨层的外周方向的多个地点，分别测量包含研磨层的厚度信息的信号，在各地点的信号中反映研磨层的温度变化导致的测量误差、研磨垫110的厚度变动量，借助于此，可以获得准确测量基板12板面的沿外周方向的二维厚度分布的有利效果。
根据本实用新型一个实施例，使形成有导电性材质的研磨层的基板12接触研磨垫110而进行研磨的化学机械式研磨装置按如下运转：测量包含研磨层的厚度信息的信号，测量研磨层的温度，在测量步骤测量的信号中，反映温度测量步骤测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
步骤1：首先，测量包含研磨层的厚度信息的信号。
在测量步骤中，利用配置于研磨垫110下部的测量部210，测量包含研磨层的厚度信息的信号。作为一个示例，在测量步骤中，测量包含研磨层的厚度信息的涡电流信号。
在测量步骤中，测量部210向基板12的研磨层接入涡电流，接收来自研磨层的输出信号。
步骤2：然后，测量研磨层的温度。
在温度测量步骤中，利用配置于研磨垫110下部的温度测量部220，测量与测量信号地点相同的地点的研磨层温度。
另外，在进行温度测量步骤的同时，可以进行测量研磨垫110的厚度变动量的厚度变动量测量步骤。
在厚度变动量测量步骤中，利用距离测量部230测量涡电流传感器与研磨层之间距离，可以获知研磨垫110的厚度变动量。换句话说，如果与研磨层的距离(涡电流传感器与研磨层之间距离)变动，则信号发生变化，因此，如果知道涡电流传感器与研磨层之间的距离，则可获知研磨垫110的厚度变动量。
步骤3：然后，在测量步骤测量的信号中，反映温度测量步骤测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
在厚度检测步骤中，在测量部210测量的信号中，反映温度测量部220测量的研磨层的温度变化导致的测量误差，检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得无误差地准确测量研磨层的厚度的有利效果。
优选地，研磨层的温度变化导致的测量误差可以按研磨层的温度，预先存储于数据库250。具体而言，研磨层各温度的测量误差可以为0.07％/1℃，在预先存储的查对(look-up)表中，可以按1℃存储测量误差信息(参照图7)。
另外，在厚度检测步骤中，反映借助于距离测量部230而获得的研磨垫110的厚度变动量，检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得无误差地更准确测量研磨层的厚度的有利效果。
更具体而言，测量步骤测量的信号S1可以如图8所示。
此时，实际测量的信号S1可以是随着研磨层的温度而失真的信号。因此，如图9所示，在厚度检测步骤中，在信号S1中反映预先存储的研磨层的温度变化导致的测量误差E，生成补正信号S2，通过补正信号S2检测研磨层的厚度，借助于此，可以检测不因研磨层温度而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。
更优选地，如图10所示，在厚度检测步骤中，在补正信号S2中反映研磨垫110的厚度变动量LE，生成厚度补偿信号S3，通过厚度补偿信号S3来检测研磨层的厚度，从而可以更准确地检测不因研磨垫110的厚度变动量而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。根据情况，在厚度检测步骤中，也可以在信号S1中反映研磨垫的厚度变动量LE。
根据本实用新型的另一实施例，使形成有导电性材质的研磨层的基板12接触研磨垫110并进行研磨的化学机械式研磨装置的运转包括：测量步骤，在沿研磨层的半径方向的多个地点，测量包含研磨层的厚度信息的信号；厚度检测步骤，在测量步骤中按多个地点测量的信号中，补偿研磨环境变数导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
步骤1：首先，测量包含研磨层的厚度信息的信号。
在测量步骤中，利用配置于研磨垫110的下部的测量部210，测量包含研磨层的厚度信息的信号。
在测量步骤中，测量部210向基板12的研磨层接入涡电流，接收来自于研磨层的输出信号。
步骤2：然后，在测量步骤中按多个地点(接收信号的地点)测量的信号中，补偿研磨环境变数导致的测量误差，检测研磨层的厚度。
其中，所谓研磨环境变数，理解为会使信号发生误差的因子。具体而言，研磨环境变数包括会使信号发生误差的研磨层温度、与研磨层的距离(涡电流传感器与研磨层之间距离)中至少任意一种。
作为一个示例，在厚度检测步骤中，在测量部210测量的信号中，反映温度测量部220测量的研磨层的温度变化导致的测量误差并检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得无误差地准确测量研磨层厚度的有利效果。
优选地，研磨层的温度变化导致的测量误差的数据可以按研磨层的温度，预先存储于数据库250。具体而言，研磨层各温度的测量误差可以为0.07％/1℃，在查对表(look-up table)，可以按1℃存储测量误差信息。
另外，在厚度检测步骤中，反映借助于距离测量部230而获得的研磨垫110的厚度变动量，检测研磨层的厚度，借助于此，可以获得无误差地更准确测量研磨层厚度的有利效果。
更具体而言，测量步骤测量的信号S1可以如图8所示。
此时，实际测量的信号S1可以是随着研磨层的温度而失真的信号。因此，如图9所示，在厚度检测步骤中，在信号S1中反映预先存储的研磨层的温度变化导致的测量误差E，生成补正信号S2，通过补正信号S2，检测研磨层的厚度，借助于此，可以检测不因研磨层的温度而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。
更优选地，如图10所示，在厚度检测步骤中，在补正信号S2中反映研磨垫110的厚度变动量LE，生成厚度补偿信号S3，通过厚度补偿信号S3来检测研磨层的厚度，从而可以更准确地检测不因研磨垫110的厚度变动量而失真的纯粹的基板12研磨层厚度。
如上所述，本实用新型将为了研磨层厚度检测而测量涡电流的实际测量地点的研磨环境变数(例如，研磨层温度、涡电流传感器与研磨层之间距离)导致的误差E、LE反映于实际测量值(S1)，可以获得在实际测量地点更准确地检测研磨层厚度的有利效果，在研磨工序中，可以按多个测量地点分别实时补偿研磨环境变数导致的误差，因而可以获得更准确地测量基板12板面的二维厚度分布的有利效果。
如上所述，参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但只要是相应技术领域的熟练的从业人员便会理解，在不超出本实用新型的权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内，可以多样地修改及变更本实用新型。

Claims (19)

1.一种化学机械式研磨装置，用于对基板进行研磨，其特征在于，包括：
研磨垫，其与基板接触；
测量部，其配置于所述研磨垫的下部，测量包含所述研磨层的厚度信息的信号；
温度测量部，其测量所述研磨层的温度；
厚度检测部，将由所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差反映在所述测量部测量的信号中，从而检测所述研磨层的厚度。
2.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差，按照所述研磨垫的不同的温度条件，预先存储于数据库。
3.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
还包括距离测量部，所述距离测量部测量所述测量部与所述研磨层之间的距离；
所述厚度检测部在反映由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上，检测出所述研磨层的厚度。
4.根据权利要求3所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述距离测量部包括：
超声波传感器，其配置于所述研磨垫的下部，向所述研磨垫的上部方向发射超声波；
检测器，其感知从所述研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，从而测量所述测量部与所述研磨层之间的距离。
5.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述测量部和所述温度测量部安装于所述研磨盘上。
6.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
在所述研磨盘形成有贯通部，
所述测量部和所述温度测量部配置于所述贯通部的下部。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述测量部测量包含所述研磨层的厚度信息的涡电流信号。
8.一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，其特征在于，包括：
研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与所述基板接触；
测量部，其配置于所述研磨垫的下部，在沿着所述研磨层的半径方向的多个地点，测量包含所述研磨层的厚度信息的信号；
厚度检测部，向按照测量所述信号的所述多个地点由所述测量部所测量的所述信号中，对与所述信号一同测量的研磨环境变数导致的测量误差进行补偿，从而检测所述研磨层的厚度。
9.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
包括测量所述研磨层的温度的温度测量部，
所述厚度检测部在反映所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差的基础上，检测所述研磨层的厚度。
10.根据权利要求9所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差，按照所述研磨层的不同的温度条件，预先存储于数据库。
11.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
包括测量所述测量部与所述研磨层之间距离的距离测量部，
所述厚度检测部在反映由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上，检测所述研磨层的厚度。
12.根据权利要求8所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，包括：
温度测量部，其测量所述研磨层的温度；
距离测量部，其测量所述测量部与所述研磨层之间的距离；
所述厚度检测部在反映所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差、以及由所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量的基础上，检测所述研磨层的厚度。
13.根据权利要求11或12所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述距离测量部包括：
超声波传感器，其配置于所述研磨垫的下部，向所述研磨垫的上部方向发射超声波；
检测器，其感知从所述研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，从而测量所述测量部与所述研磨层之间的距离。
14.一种化学机械式研磨装置，用于对形成有导电性材质的研磨层的基板进行研磨，其特征在于，包括：
研磨垫，其配置于研磨盘的上面，与所述基板接触；
测量部，其配置于所述研磨垫的下部，测量包含所述研磨层的厚度信息的信号；
温度测量部，其测量所述研磨层的温度；
距离测量部，其测量所述测量部与所述研磨层之间的距离；
厚度检测部，其将所述温度测量部测量的所述研磨层的温度变化导致的测量误差、以及从所述距离测量部获得的所述研磨垫的厚度变动量反映在所述测量部测量的信号中，以检测所述研磨层的厚度；
所述测量部、所述温度测量部、所述距离测量部构成一组，并同时对同一地点进行测量。
15.根据权利要求14所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
包括将所述测量部、所述温度测量部、所述距离测量部连接成一体的连接构件。
16.根据权利要求14所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述研磨层的温度变化导致的所述测量误差，按照所述研磨层的不同的温度条件，预先存储于数据库。
17.根据权利要求14所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述距离测量部包括：
超声波传感器，其配置于所述研磨垫的下部，向所述研磨垫的上部方向发射超声波；
检测器，其感知从所述研磨层的底面向下部方向反射的超声波反射信号，从而测量所述测量部与所述研磨层之间的距离。
18.根据权利要求14所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
所述测量部、所述温度测量部、所述距离测量部安装于所述研磨盘。
19.根据权利要求14所述的化学机械式研磨装置，其特征在于，
在所述研磨盘形成有贯通部，
所述测量部、所述温度测量部、所述距离测量部配置于所述贯通部的下部。
CN201721327245.0U 2016-11-16 2017-10-16 化学机械式研磨装置 Active CN207289796U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160152524A KR102626038B1 (ko) 2016-11-16 2016-11-16 화학 기계적 연마장치
KR10-2016-0152524 2016-11-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207289796U true CN207289796U (zh) 2018-05-01

Family

ID=62299438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721327245.0U Active CN207289796U (zh) 2016-11-16 2017-10-16 化学机械式研磨装置

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102626038B1 (zh)
CN (1) CN207289796U (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109015335A (zh) * 2018-09-27 2018-12-18 德淮半导体有限公司 化学机械研磨装置及其工作方法
CN109530845A (zh) * 2018-10-29 2019-03-29 陕西航空电气有限责任公司 一种去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具
CN111055212A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 凯斯科技股份有限公司 化学机械式研磨装置的调节器
CN111230729A (zh) * 2018-11-28 2020-06-05 凯斯科技股份有限公司 基板处理装置
CN113894696A (zh) * 2021-10-29 2022-01-07 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光监测装置和抛光监测方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023030756A (ja) * 2021-08-24 2023-03-08 株式会社荏原製作所 研磨装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6872132B2 (en) * 2003-03-03 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces
US9636797B2 (en) * 2014-02-12 2017-05-02 Applied Materials, Inc. Adjusting eddy current measurements
KR101655075B1 (ko) * 2015-08-21 2016-09-07 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109015335A (zh) * 2018-09-27 2018-12-18 德淮半导体有限公司 化学机械研磨装置及其工作方法
CN111055212A (zh) * 2018-10-17 2020-04-24 凯斯科技股份有限公司 化学机械式研磨装置的调节器
CN109530845A (zh) * 2018-10-29 2019-03-29 陕西航空电气有限责任公司 一种去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具
CN109530845B (zh) * 2018-10-29 2021-03-26 陕西航空电气有限责任公司 一种去除整流管芯片表面焊料氧化层的工具
CN111230729A (zh) * 2018-11-28 2020-06-05 凯斯科技股份有限公司 基板处理装置
CN113894696A (zh) * 2021-10-29 2022-01-07 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光监测装置和抛光监测方法
CN113894696B (zh) * 2021-10-29 2023-01-24 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光监测装置和抛光监测方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180055113A (ko) 2018-05-25
KR102626038B1 (ko) 2024-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207289796U (zh) 化学机械式研磨装置
JP5611214B2 (ja) 渦電流利得の補償
CN102802871B (zh) 研磨装置、研磨垫及研磨信息管理系统
US20140020829A1 (en) Sensors in Carrier Head of a CMP System
US6937915B1 (en) Apparatus and methods for detecting transitions of wafer surface properties in chemical mechanical polishing for process status and control
TWI250573B (en) Method and apparatus for applying differential removal rates to a surface of a substrate
WO2010017142A2 (en) Closed loop control of pad profile based on metrology feedback
JP2015526303A5 (zh)
CN107210211A (zh) 晶片抛光装置以及使用其的晶片抛光方法
KR102362916B1 (ko) 화학 기계적 연마 장치
US11612981B2 (en) Substrate processing apparatus
CN102221416A (zh) 抛光液物理参数测量装置、测量方法和化学机械抛光设备
CN109746823A (zh) 研磨方法及研磨装置
CN205237796U (zh) 化学机械研磨装置
CN107538339A (zh) 膜厚信号处理装置、研磨装置、膜厚信号处理方法及研磨方法
CN106625201A (zh) 化学机械抛光装置
CN109848855A (zh) 调节研磨垫的方法
JP2019217617A (ja) 渦電流センサの軌道を特定する方法、基板の研磨の進行度を算出する方法、基板研磨装置の動作を停止する方法および基板研磨の進行度を均一化する方法、これらの方法を実行するためのプログラムならびに当該プログラムが記録された非一過性の記録媒体
JP2022020537A5 (zh)
KR102525737B1 (ko) 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법
CN109968190A (zh) 晶片研磨系统
JP7250774B2 (ja) ウエハ上での正確なセンサ位置決定のためのチャタリング補正
KR101389532B1 (ko) 화학 기계적 연마 장비의 웨이퍼 막두께 측정 방법
US20230286107A1 (en) Eddy current monitoring to detect vibration in polishing
KR20180055106A (ko) 화학 기계적 연마장치 및 그 제어방법

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant