CN207165532U - 管式pecvd系统硅片堆叠收集机构 - Google Patents

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董晓清
邱其伟
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Wuxi Jiangsong Technology Co.,Ltd.
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Wuxi Jiangsong Science And Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,传输机构包括斜面传送带和计数传感器,斜面传送带包括左右两组传送带单元;堆叠收集机构包括堆叠收集槽和收集槽升降架,堆叠收集槽设置于斜面传送带末端正后方,槽底壁高度低于斜面传送带高度,堆叠收集槽相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,收集槽升降架设置在堆叠收集槽下方,用于调节堆叠收集槽高度;吹气机构包括对称设置于斜面传送带下游处左右两侧的一对吹气装置,其上设有朝向堆叠收集槽一侧的横向吹气缝,并向堆叠收集槽吹气;传输机构和堆叠收集槽之间沿竖直方向设有防落挡板。本实用新型可有效保护硅片在收集时不受损坏,整齐堆叠硅片,保证硅片质量。

Description

管式PECVD系统硅片堆叠收集机构
技术领域
本实用新型涉及硅片收集装置,具体涉及一种用于管式PECVD系统的硅片成品堆叠收集机构,属于硅片加工设备技术领域。
背景技术
为了提高晶体硅太阳电池的效率,通常需要减少太阳电池表面的反射,还需要对硅片表面进行钝化处理,以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。管式PECVD系统(PEG)即使用石英管作为沉积腔室,使用电阻炉作为加热体,将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进石英管进行沉积。PECVD工艺处理后的硅片最终经成品输送带运输并落入堆叠收集盒,由于机械碰撞和相互挤压,容易造成损坏,影响硅片的加工质量。
实用新型CN 102328355 A公开“一种硅片收集装置”,在收集槽上设有出风装置,出风装置包括出风管、气源、出风管出风口位于收集槽内,进风口与气源相连,出风管的出风口位于收集槽底部。实用新型CN 103042615 A公开一种“改良的硅片收集装置”,其在收集槽两壁中各设有一空腔,空腔外壁上设有出风装置,内壁均匀设置有若干纵向通孔。上述装置采用吹出的气体的进行缓冲,由于出风缓冲作用发生在硅片下落终末阶段,加速度相对较快,仍不能保证缓冲力能完全克服重力作用带来的机械碰撞,硅片进入收集槽后还容易发生反弹而从槽内掉落出来,硅片堆叠不整齐。
实用新型内容
针对上述现有硅片收集装置存在的上述缺陷,申请人进行研究及改进,提供一种管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其可有效保护硅片不受损坏,整齐堆叠硅片,保证硅片质量。
为实现上述目的,本实用新型采用如下方案:
管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,包括传输机构、堆叠收集机构和吹气机构,所述传输机构包括斜面传送带和计数传感器,所述斜面传送带包括左右两组传送带单元;所述堆叠收集机构包括堆叠收集槽和收集槽升降架,所述堆叠收集槽设置于所述斜面传送带末端正后方,所述堆叠收集槽面向所述斜面传送带的前侧及顶侧均为开口,槽底壁高度低于所述斜面传送带高度,所述堆叠收集槽相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,所述收集槽升降架设置在所述堆叠收集槽下方,用于调节所述堆叠收集槽高度;所述吹气机构包括对称设置于所述斜面传送带下游处左右两侧的一对吹气装置,其上设有朝向所述堆叠收集槽一侧的横向吹气缝,并向所述堆叠收集槽吹气;所述传输机构和所述堆叠收集槽之间沿竖直方向设有防落挡板。
作为优选,两组所述传送带单元之间设有与所述斜面传送带倾斜角度相同的斜面安装架,其上设有所述计数传感器和所述吹气装置。
作为优选,所述斜面传送带相对于水平面的倾斜角度为15°。
作为优选,所述堆叠收集槽相对于水平面向左右其中一侧和后侧倾斜的角度为7°。
作为优选,所述吹气缝设有一条或相互平行的多条。
作为优选,所述吹气装置还设有节流阀,用以控制吹气流量。
具体地,所述斜面传送带由同步电机驱动。
具体地,所述收集槽升降架由同步电机带动丝杠驱动。
作为优选,所述硅片堆叠收集机构还包括PLC控制器,用于控制系统运行参数。
作为优选,所述防落挡板相对于所述斜面传送带左右对称设置一对。
本实用新型的技术效果在于:
本实用新型在硅片斜面传送的下游位置设置一对带有吹气缝的吹气装置,从两侧向堆叠收集槽均匀吹气,使得硅片在整个下落起始阶段即经气体悬浮作用被吹浮缓冲,缓慢下降并平稳流入正后方的堆叠收集槽内,从而避免了落入过程中因重力作用和机械碰撞造成的损坏,对硅片起到有效的保护作用;由于堆叠收集槽相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,使得落入的硅片倾向槽内同一拐角,硅片不易再反弹出且堆叠整齐,即使发生反弹,也会因防落挡板的限位作用而重新归位;此外,配合收集槽升降架可根据实际情况调整堆叠收集槽的接片高度,以达到最优工作状态和最佳硅片保护效果;计数传感器可检测硅片有无以及硅片计数,以便在堆叠收集槽达到一定接片量后可指示更换新的堆叠收集槽。
附图说明
图1为本实施例硅片堆叠收集机构的立体结构示意图。
图2为本实施例硅片堆叠收集机构的正视结构示意图。
图3为本实施例硅片堆叠收集机构的侧视结构示意图。
图中:1、计数传感器;2、传送带单元;3、吹气装置;4、吹气缝;5、斜面安装架;6、堆叠收集槽;7、收集槽升降架;8、同步电机;9、同步电机;10、防落挡板;11、气管接头。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。
如图1、图2和图3所示,本实施例管式PECVD系统硅片堆叠收集机构包括:传输机构、堆叠收集机构和吹气机构,传输机构包括斜面传送带和计数传感器1,斜面传送带包括左右两组传送带单元2,相对于水平面的倾斜角度为15°,由同步电机8驱动运行;堆叠收集机构包括堆叠收集槽6和收集槽升降架7,堆叠收集槽6设置于两组传送带单元2末端正后方,堆叠收集槽6面向斜面传送带的前侧及顶侧均为开口,槽底壁高度低于斜面传送带高度,堆叠收集槽6相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,倾斜角度为7°;收集槽升降架7设置在所述堆叠收集槽下方,由同步电机9带动丝杠驱动运行,用于调节堆叠收集槽6的高度;吹气机构包括对称设置于斜面传送带下游处左右两侧的一对与气源相连(示出气管接头11)的吹气装置3,每个吹气装置3上设有一条朝向堆叠收集槽6一侧的横向吹气缝4,并向堆叠收集槽6吹气,吹气装置3还设有节流阀,用以控制吹气流量;两组传送带单元2之间设有与斜面传送带倾斜角度相同的斜面安装架5,其上设有计数传感器1和吹气装置3;传输机构和堆叠收集槽6之间沿竖直方向设有防落挡板10,防落挡板10相对于斜面传送带左右对称设置一对。
本实施例系统的计数传感器1、同步电机8、同步电机9、节流阀与PLC控制器联锁,以实现工作参数的自动调节和监控,可实现无人值守。
本实施例具体工作原理如下:
经PECVD工艺处理的硅片由斜面传送带传送至下游位置时,两侧吹气装置3由吹气缝4向堆叠收集槽6均匀吹出气流,硅片经气体悬浮作用被缓冲,缓慢下降并平稳流入正后方的堆叠收集槽6内,从而避免了落入过程中因重力作用和机械碰撞造成的损坏,对硅片起到有效的保护作用;由于堆叠收集槽6相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,使得落入的硅片倾向槽内同一拐角,硅片不易再反弹出且堆叠整齐,即使发生反弹,也会因防落挡板10的限位作用而重新归位;此外,配合收集槽升降架7可根据实际情况调整堆叠收集槽6的接片高度,以达到最优工作状态和最佳硅片保护效果。计数传感器1可检测硅片有无以及硅片计数,以便在堆叠收集槽6达到一定接片量后可指示更换新的堆叠收集槽。
以上所举实施例为本实用新型的较佳实施方式,仅用来方便说明本实用新型,并非对本实用新型作任何形式上的限制,任何所属技术领域中具有通常知识者,若在不脱离本实用新型所提技术特征的范围内,利用本实用新型所揭示技术内容所作出局部改动或修饰的等效实施例,并且未脱离本实用新型的技术特征内容,均仍属于本实用新型技术特征的范围内。

Claims (10)

1.管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,包括传输机构、堆叠收集机构和吹气机构,其特征在于:所述传输机构包括斜面传送带和计数传感器,所述斜面传送带包括左右两组传送带单元;所述堆叠收集机构包括堆叠收集槽和收集槽升降架,所述堆叠收集槽设置于所述斜面传送带末端正后方,所述堆叠收集槽面向所述斜面传送带的前侧及顶侧均为开口,槽底壁高度低于所述斜面传送带高度,所述堆叠收集槽相对于水平面同时向左右其中一侧和后侧倾斜,所述收集槽升降架设置在所述堆叠收集槽下方,用于调节所述堆叠收集槽高度;所述吹气机构包括对称设置于所述斜面传送带下游处左右两侧的一对吹气装置,其上设有朝向所述堆叠收集槽一侧的横向吹气缝,并向所述堆叠收集槽吹气;所述传输机构和所述堆叠收集槽之间沿竖直方向设有防落挡板。
2.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:两组所述传送带单元之间设有与所述斜面传送带倾斜角度相同的斜面安装架,其上设有所述计数传感器和所述吹气装置。
3.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述斜面传送带相对于水平面的倾斜角度为15°。
4.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述堆叠收集槽相对于水平面向左右其中一侧和后侧倾斜的角度为7°。
5.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述吹气缝设有一条或相互平行的多条。
6.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述吹气装置还设有节流阀,用以控制吹气流量。
7.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述斜面传送带由同步电机驱动。
8.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述收集槽升降架由同步电机带动丝杠驱动。
9.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述硅片堆叠收集机构还包括PLC控制器,用于控制系统运行参数。
10.如权利要求1的管式PECVD系统硅片堆叠收集机构,其特征在于:所述防落挡板相对于所述斜面传送带左右对称设置一对。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109823839A (zh) * 2019-03-07 2019-05-31 浙江新德宝机械有限公司 纸杯碗收集方法及装置

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