CN207118072U - 混压高频微波基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的表面下方形成多个基桩；以及导体加厚层，其形成在该离子注入层的上方。

Description

混压高频微波基板

技术领域

本实用新型涉及一种混压高频微波基板。这种混压高频微波基板可以广泛地应用于高频或超高频的信号传输中，以减轻或避免其中的信号损失。

背景技术

高频微波的特点：

1)频率高：微波的频率高、可用频带很宽，意味着信息容量大，在大信息容量场合广泛应用；

2)似光性：波长越短，其传播特性就越接近于几何光学，波束定向性和分辨能力就越高，天线等器件的尺寸也可以做得越小；

3)能够穿透电离层：微波能毫无阻碍地、低衰减地穿过电离层，为卫星通信、宇宙通信、导航、定位以及射电天文学的研究和发展提供了广阔前景。

近年来，随着民用高频通信大大发展，高保密性、高传输质量的需求，使移动电话、汽车电话、无线通信等向高频化发展；高画面质量使广播电视传输向高频化发展；高信息量传送要求卫星通信、微波通信和光纤通信必须高频化。随着计算机处理能力的增加，信息记忆容量增大，要求信号传送高速化。总之，电子信息产品“高频化、高速化”对PCB印制板的高频特性提出了更高的要求，使高频微波基板的需求急速增长，众多PCB企业视其为未来发展的新增长点。

高频微波基板是在具有“高频微波基材”的覆铜板上，加工制造成的印制电路板。这种刚性电路板，可分为单面、双面、多层。高频微波基板具体应用在卫星接收器、基地天线、微波传输、汽车电话、导航、卫星通信、通讯器材转接器、接收器、信号振荡器、家庭电器联网、高速运行计算机、示波器、IC测试仪器等领域。

高频微波基板的材料选用，通常应当考虑介电性能DK/Df、温度和频率稳定性、热膨胀系数(CTE)电路板制造可加工性、可靠性等因素。基板材料实际上是整块印制板中的一个电容器。当介电常数Dk大时，表示存储电能大，电路中电信号的传播速度就会变低；反之，Dk小时，电信号传播速度就快。介质材料在交变电场作用下，由于发热而消耗的能量，称为介质损耗，以介质损耗因子Df(又称介质损耗角正切)来表示。Dk和Df成正比例，小的介电常数Dk，介质损耗因素Df也小，对应于能量损耗也小。为实现高速传送信号，要求基材选用必须考虑介电常数(Dk)和介质损耗因素(Df)两个关键性能参数。

在高频微波基板的基材中，纯的聚四氟乙烯PTFE、聚苯醚PPO等工程塑料分子结构对称、极性非常低、介电性能好(DK/Df低)，但价格太贵、电路板常规制造过程中化学沉铜工序的除胶较困难、孔覆铜性能较差、承受热冲击(288°C／10秒／3次)容易剥离，因此市场应用受到一定的限制。此外，纯PTFE或PPO等材料印制板加工过程中，由于基材柔软，不耐高温、容易翘曲，搬运和制作过程需极其小心，数控钻孔、外形容易出现毛刺问题，叠板数不能多影响产能和生产效率。

尽管存在高频基材通过高频树脂和环氧树脂共混改性或增加填料、玻纤、纤维等手段，来解决基材的化学沉铜的“孔覆铜易剥离”问题和可加工性能，但都是以牺牲一部分DK/Df介电性能为代价，并且材料价格仍较贵。

实用新型内容

为解决以上问题，本实用新型提出一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的表面下方形成多个基桩；以及导体加厚层，其形成在该离子注入层的上方。

高频基材与基底基材混压在一起，以降低基板的材料成本并且还提高基板制作的可加工性、耐热性和可靠性，其中通过基底基材(例如普通FR-4基材)的耐热性、可靠性来提高“混压基材”的可加工性、耐热性、可靠性。由于高频基材柔软并且容易翘曲，故搬运和制作过程需极其小心，数控钻孔、外形容易出现毛刺问题，导致叠板数不能多，影响产能和生产效率。本实用新型提出的“混压高频微波基板”结构，通过普通基材优异的刚性、可加工性，提高了“混压基材”的制造加工性能、不容易翘曲。

同时采用“离子注入”技术对混压基材金属化，解决“纯”或“非改性”的PTFE、PPO等材料“孔覆铜易剥离”问题，扩大混压高频微波基板的应用范围。

基底基材为非高频基材，尤其为金属基材、环氧树脂基材或陶瓷基材。该金属基材尤其有利，其能够进一步改善混压基板的散热效果。

优选地，该高频基材为PTFE基材、PPO基材、PI基材、BT基材、CE基材、APPE基材或TPPE基材，该高频树脂包含或不包含玻纤或增强材料。

优选地，该基底基材为非高频基材。

优选地，该非高频基材为金属基材、环氧树脂基材或陶瓷基材。

优选地，该金属基材能够进一步改善该混压高频微波基板的散热效果。

优选地，该金属基材为铜基材、铝基材、铁基材、镍铁合金基材、钨金合金基材或钨钼合金基材。同时，该铜基材优选为冷轧铜基材。

优选地，该环氧树脂基材为环氧树脂FR4基材。

优选地，该混压基材设置有通孔和/或盲孔，该离子注入层还位于该通孔和/或盲孔的孔壁下方。

优选地，该离子注入层位于该孔壁的表面下方1-50nm的深度内。

优选地，该离子注入层包括邻近该混压基材的Ni或Ni-Cu合金层、和注入该Ni或Ni-Cu合金层中的Cr离子层，其中该离子注入层位于该混压基材的表面下方1-50nm的深度内。

优选地，该混压高频微波基板还包括位于该离子注入层和该导体加厚层之间的等离子体沉积层，该等离子体沉积层由导电材料组成，具有1-500nm的厚度。

优选地，该导体加厚层具有0.01-100μm的厚度。

优选地，该导体加厚层是厚度为0.5-18μm的铜层。

优选地，该导体加厚层的外表面具有小于0.1微米的表面粗糙度。

附图说明

以下参考附图并结合实施例来具体地描述本实用新型，本实用新型的优点和实现方式将更加明显，其中，附图所示的内容仅用于对本实用新型进行解释说明，而不构成对本实用新型的任何意义上的限制，附图仅是示意性的，并非严格地按比例绘制。在所有附图中，相同的参考标号表示相同或相似的部分，其中：

图1示出了根据本实用新型的第一实施例的用于制备混压高频微波基板的方法的流程图；

图2是表示根据图1所示方法制得的混压高频微波基板的剖面示意图；

图3示出了根据本实用新型的第二实施例的用于制备混压高频微波基板的方法的流程图；以及

图4是表示根据图3所示方法制得的混压高频微波基板的剖面示意图。

参考标号：

100 混压高频微波基板

102 基础基材

104 高频基材

106 覆铜层

108 离子注入层

110 导体加厚层

112 阻焊层

114 通孔

116 盲孔

200 混压高频微波基板

202 基础基材

204 高频基材

208 离子注入层

210 导体加厚层。

具体实施方式

以下，将参照附图，详细地描述本实用新型的实施方式。本领域技术人员应当容易理解，这些描述仅仅列举了本实用新型的示例性实施例，而决不意图限制本实用新型的保护范围。例如，在本实用新型的某一个附图或实施例中描述的元素或特征可以与一个或更多其它附图或实施例中示出的其它元素或特征相结合。此外，为了便于描述各材料层之间的位置关系，在本文中使用了空间相对用语，例如“上方”和“下方”、以及“内”和“外”等，这些术语均是相对于基材的表面或者孔的孔壁而言的。例如，如果A层材料相对于B层材料位于朝向基材表面或孔壁的外侧的方向上，则认为A层材料位于B层材料的上方或者外部，反之亦然。

高频基材

在本文中，“高频”实质上广泛地表示用于高频(1-3GHz)和超高频(5GHz以上)的信号传输，并不仅限于1-3GHz这个频率范围。

在高频通信过程中，由导体和高频基材产生的损失是信号损失的重要来源。导体产生的损失与成正比，而高频基材产生的损失与成正比，其中f表示信号频率，Rz表示导体的表面粗糙度，而D_k、D_f分别表示高频基材的介电常数和介质损耗因子。由此可知，在信号频率一定的情况下，高频基材的表面粗糙度Rz越小，则D_k、D_f值越小，则信号损失越小，越适于进行高频信号的传输。在信号频率为10GHz以内时，信号损失以导体损失为主，在信号频率为10GHz以上时，高频基材损失逐渐增大。

为了降低高频基材产生的损失，本实用新型选择具有较低的介电常数D_k值或较低的介质损耗因子D_f值的基材。例如，高频基材的介电常数D_k可低于3.5，甚至为3以下，而介质损耗因子D_f可小于0.01。具体而言，高频基材包括PTFE基材、PPO基材、PI基材、BT基材、CE基材、APPE基材、TPPE基材，并且包含或不包含玻纤或增强材料，如玻璃纤维(E-Glass、Ne-Glass和Q-Glass型号)、芳纶纤维Aramid、陶瓷粉填料等。

离子注入

离子注入可通过以下方法来实现：使用导电材料作为靶材，在真空环境下，通过电弧作用使靶材中的导电材料电离而产生离子。然后，使该离子在高电压的电场下加速而获得很高的能量(例如1-1000keV，如50keV、100keV、200keV、500keV等)。高能的导电材料离子接着以很高的速度直接撞击基材的表面，并且注入到基材的表面下方一定的深度范围内。在所注入的导电材料离子与基材的材料分子之间形成了化学键(例如离子键或共价键)，从而组成掺杂结构。化学键有助于增强离子注入层与基材之间的结合力，使得离子注入层不容易从基材脱落。

由此得到的离子注入层的外表面(或称为上表面)与基材的表面相齐平，而其内表面(或称为下表面)则深入到基材的内部。作为具体示例，导电材料的离子可在离子注入期间获得50-1000keV(例如50keV、100keV、200keV、300keV、400keV、500keV、600keV、700keV、800keV、900keV)的能量，并且可被注入到基材的表面下方1-500nm(例如10nm、20nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm)深度处。

此外，在基材上开设有通孔或者盲孔的情况下，导电材料的离子还被注入到通孔或盲孔的孔壁下方。此时，形成于孔壁的离子注入层的外表面将与孔壁的表面相齐平，而其内表面则深入到基材的内部并位于孔壁的下方1-100nm(例如5-50nm)的深度处。

通过控制离子注入过程中的各种相关参数，例如注入电流、电压、注入剂量等，可以调整离子注入层深入到基材内部的深度，即，离子注入层的内表面在基材表面或孔壁下方所处的深度。例如，注入离子的能量为5-1000keV，注入的剂量为1.0×10¹²至1.0×10¹⁸ions/cm²(更优选地，注入剂量为1.0×10¹⁵至5.0×10¹⁶ions/cm²)，从而使离子注入层的内表面位于基材的表面及孔壁下方5-50nm的深度处。在离子注入过程中，可以使用与基材的结合力较强的金属或合金来进行离子注入，例如可采用Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、Al、Be、Co、Fe、Mg、Mn、Pt、Ta、W等金属以及它们之间的二元、三元或四元合金(例如NiCr、TiCr、VCr、CuCr、MoV、NiCrV、TiNiCrNb)中的一种或多种作为离子注入过程中的靶材，其中，Ni、Cr、Ti是优选的注入材料。换而言之，所得的离子注入层可以由Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、Al、Be、Co、Fe、Mg、Mn、Pt、Ta、W中的一种或多种组成，或者由这些元素之间的合金组成。

在离子注入过程中，导电材料离子以很高的速度强行地注入到基材的内部，与基材形成稳定的掺杂结构，相当于在基材的表面下方形成了数量众多的基桩。由于基桩的存在，且后续制得的金属层(等离子体沉积层或导体加厚层)与基桩相连，因此，基材与后续形成于其上的金属层之间的剥离强度可达到0.5N/mm以上，甚至为0.8N/mm以上，例如高达0.7-1.5N/mm。与之相比，在常规磁控溅射的情况下，溅射粒子的能量最高仅为几个电子伏特，因而该粒子会沉积于基材表面上但不会进入基材内部，所得的导体层与基材表面之间的结合力不高，最高仅为0.5N/mm左右，明显低于离子注入。而且，用于离子注入的导电材料尺寸通常为纳米级，在离子注入期间分布比较均匀，而且到基材表面的入射角度差别不大。因此，能够确保基材与后续形成于其上的金属层之间的接合面具有较低的表面粗糙度，例如为0.4μm以下，甚至低至0.001-0.1μm(例如约0.02μm)。因此，在高频信号传输中，可以显著降低由导体层引起的信号损失，从而进一步降低整体信号损失。

等离子体沉积

除了离子注入层之外，还可以在基材的表面上形成等离子体沉积层。等离子体沉积层由导电材料组成，并且可以具有1-10000nm的厚度，例如为100nm、200nm、500nm、700nm、1μm、2μm、5μm、7μm或者10μm等。等离子体沉积层的厚度可以根据需要通过调节各种沉积参数来设定，例如可以设定为使得形成有该等离子体沉积层的基板的表面方阻小于200Ω/□、100Ω/□、80Ω/□、50Ω/□，等等。此外，作为组成等离子体沉积层的导电材料，可以采用与离子注入层相同或不同的各种金属、合金、导电氧化物、导电碳化物、导电有机物等，但是并不限于此。可以根据所选用的基材、以及离子注入层的组成成分和厚度等来选择用于等离子体沉积的导电材料。优选地，使用与离子注入层结合良好的金属或合金来进行等离子体沉积，例如可使用Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种，该合金例如为NiCr、TiCr、VCr、CuCr、MoV、NiCrV、TiNiCrNb等。而且，等离子体沉积层还可以包括由相同或不同材料组成的一层或多层。

为了形成等离子体沉积层，可以采用与上文所述的离子注入方法类似的方式，只是施加较低的电压而使导电材料的离子具有低得多的能量。具体而言，使用导电材料作为靶材，在真空环境下，通过电弧作用使靶材中的导电材料电离而产生离子，然后在高电压的电场下使该离子加速而获得一定的能量，例如1-1000eV。加速后的导电材料离子接着飞向基材表面且沉积到形成于该基材表面下方的离子注入层上，构成一定厚度的等离子体沉积层。作为具体示例，导电材料的离子可在等离子体沉积期间获得50eV、100eV、200eV、300eV、400eV、500eV、600eV、700eV、800eV、900eV的能量。

在等离子体沉积期间，导电材料的离子以较高的速度飞向基材表面且沉积到形成于该基材表面下方的离子注入层上，与离子注入层中的导电材料之间形成较大的结合力，因而不容易从基材的表面脱落。此外，用于等离子体沉积的导电材料尺寸通常为纳米级别，在等离子体沉积过程中分布较为均匀，而且到基材表面的入射角度差别不大，因而能够确保所得等离子体沉积层的表面具有良好的均匀度和致密性，不容易出现针孔现象。

实施例1

图1示出了根据本实用新型的第一实施例的用于制备混压高频微波基板的方法的流程图。该方法包括以下步骤：

步骤S11：提供基础基材；

步骤S12：将高频基材混压在基础基材上方，以形成混压基材；

步骤S13：蚀刻基础基材，并且对混压基材进行钻孔；

步骤S14：通过离子注入将导电材料注入到混压基材的表面以及钻孔的孔壁，以形成离子注入层；

步骤S15：可选地，在离子注入层上方进行等离子体沉积，以形成等离子体沉积层；

步骤S16：在离子注入层或等离子体沉积层上形成导体加厚层；

步骤S17：在导体加厚层上形成阻焊层并进行后处理，以形成最后的混压高频微波基板。

图2是表示根据图1所示方法制得的一种混压高频微波基板的剖面示意图。如图所示，该混压高频微波基板100包括基础基材102，其带有可导电层，例如覆铜层106。基础基材102可为单个基础基材，也可为压合在一起的多个基础基材。基础基材为非高频基材，例如为普通基材和金属基材，其中普通基材例如为环氧树脂FR4基材和陶瓷基材，金属基材例如为铜基材、铝基材、铁基材、镍铁合金基材、钨金合金基材或钨钼合金基材，其中铜基材优选为冷轧铜基材。

高频基材104混压在基础基材102的上方而形成混压基材。高频基材包括PTFE、PPO、PI、BT、CE、APPE、TPPE等树脂，其高频树脂包含或不包含玻纤或增强材料，如玻璃纤维(E-Glass、Ne-Glass和Q-Glass型号)、芳纶纤维Aramid、陶瓷粉填料等。

在混压基材上根据需要开设有通孔114和盲孔116。在需要对基材进行钻孔以形成通孔或盲孔时，可以采用机械钻孔、冲孔、激光打孔、等离子体刻蚀和反应离子刻蚀等技术，形成孔径为2至1000微米的通孔或盲孔。其中，激光打孔又可分为红外激光打孔、YAG激光打孔和紫外激光打孔等，可在基材上形成孔径低达2至5微米的各种微孔。通孔或盲孔的剖面形状可以是圆形、矩形、梯形等各种各样的形状，在激光钻孔时通常形成纵向剖面为倒梯形的孔。

离子注入层108位于基础基材102、高频基材104、通孔114以及盲孔116的表面下方，而可选的等离子体沉积层则位于离子注入层的上方。容易理解，尽管在图2中示出了通孔114和盲孔116两者，但是基础基材102和高频基材104也可以不开设任何孔，或者也可以仅仅开设通孔114和盲孔116中的一种。此外，在等离子体沉积层的厚度足够大的情况下，图2所示的通孔114和/或盲孔116均有可能被填实，即，不再存在宏观上的孔结构。

离子注入层108可以包括一层或多层。例如，在使用两种靶材相继地对基材进行离子注入时，先注入的第一导电材料会在基材表面下方的第一深度内与基材组成掺杂结构，而后注入的第二导电材料则会位于基材表面下方的第二深度内。在第一深度不同于第二深度的情况下，便会在基材的表面下方形成具有不同组分的两个离子注入层，其中的一个注入层由第一或第二导电材料组成，而另一个注入层由第一和第二导电材料组成。例如，离子注入层包括邻近混压基材的Ni或Ni-Cu合金层和注入Ni或Ni-Cu合金层中的Cr离子层，其中离子注入层位于混压基材和孔壁的表面下方1-50nm的深度内。

等离子体沉积层包括直接位于离子注入层108的上方且与该离子注入层108相连的金属沉积层、以及位于该金属沉积层上方的铜沉积层。其中，金属沉积层的厚度为0-1000nm，而且铜沉积层的厚度为0-1000nm。在一个示例中，金属沉积层具有0-50nm的厚度，并且由Ni组成，或者由Cr或Ti组成。在另一个示例中，铜沉积层的厚度为0-50nm。备选地，等离子体沉积层可包括直接位于离子注入层108的上方且与该离子注入层108相连的金属氧化物沉积层、位于该金属氧化物沉积层上方的金属沉积层、以及位于该金属沉积层上方的铜沉积层。这三个沉积层均可通过工艺温度为常温至500℃的真空镀膜工艺来制备，并且厚度均可为0-1000nm。在一个示例中，金属氧化物沉积层的厚度为10-500nm(例如为10-50nm)，金属沉积层的厚度为10-500nm(例如为50-100nm)，而且铜沉积层的厚度为10-500nm(例如为50-100nm)。作为优选的实施方式，在形成金属氧化物沉积层时可选用NiO作为靶材，而且在形成对应的金属沉积层时可选用Ni或Ni-Cu合金(其中，Ni与Cu的摩尔比为7:3)作为靶材。

导体加厚层110形成在离子注入层108和可选的等离子体沉积层的上方。该导体加厚层110可采用电镀、化学镀、真空蒸发镀、磁控溅射等方法中的一种或多种而获得，以获得具有期望的厚度和电导率的导体层。电镀法的速度快、成本低、而且可适用的材料范围非常广泛，因而是最常用的。导体加厚层110可具有0.01-100μm的厚度(例如0.1μm、1μm、5μm、12μm、20μm、70μm等)，并且可以由Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种组成。在一个实施方案中，导体加厚层110是通过电镀法形成于离子注入层108和可选的等离子体沉积层的上方的Cu镀层，该Cu镀层的厚度可以为0.5-100μm，并且可以通过控制电镀过程中的各种相关参数(例如电镀电流、电压、时间等)而容易地进行调整。

最后，在导体加厚层110上形成阻焊层112并进行后处理，以形成最后的混压高频微波基板100。后处理方式包括表面粗糙度处理，导体加厚层的外表面具有小于0.1微米的表面粗糙度，因此，在高频信号传输中，可以显著降低由导体层引起的信号损失，从而进一步降低整体信号损失。后处理方式还可以包括退火处理，以消除存在于基板中的应力从而防止基材或其上面的导体层断裂。后处理方式还可以包括表面钝化处理，以防止基板中的导体层容易被氧化而电气性能变差。

实施例2

图3示出了根据本实用新型的第二实施例的用于制备混压高频微波基板的方法的流程图。该方法包括以下步骤：

步骤S21：提供基础基材；

步骤S22：将高频基材混压在基础基材上方，以形成混压基材；

步骤S23：通过离子注入将导电材料注入到混压基材的表面，以形成离子注入层；

步骤S24：可选地，在离子注入层上方进行等离子体沉积，以形成等离子体沉积层；

步骤S25：在离子注入层或等离子体沉积层上形成导体加厚层；

步骤S26：进行后处理，以形成最后的混压高频微波基板。

图4是表示根据图3所示方法制得的一种混压高频微波基板的剖面示意图。如图所示，该混压高频微波基板200包括基础基材202，其带有可导电层，例如覆铜层。基础基材202可为单个基础基材，也可为压合在一起的多个基础基材。基础基材为非高频基材，例如为普通基材和金属基材，其中普通基材例如为环氧树脂FR4基材和陶瓷基材，金属基材例如为铜基材、铝基材、铁基材、镍铁合金基材、钨金合金基材或钨钼合金基材，其中铜基材优选为冷轧铜基材。

高频基材204混压在基础基材202的上方而形成混压基材。高频基材包括PTFE、PPO、PI、BT、CE、APPE、TPPE等树脂，其高频树脂包含或不包含玻纤或增强材料，如玻璃纤维(E-Glass、Ne-Glass和Q-Glass型号)、芳纶纤维Aramid、陶瓷粉填料等。

在混压基材上根据需要开设有通孔和盲孔。在需要对基材进行钻孔以形成通孔或盲孔时，可以采用机械钻孔、冲孔、激光打孔、等离子体刻蚀和反应离子刻蚀等技术，形成孔径为2至1000微米的通孔或盲孔。其中，激光打孔又可分为红外激光打孔、YAG激光打孔和紫外激光打孔等，可在基材上形成孔径低达2至5微米的各种微孔。通孔或盲孔的剖面形状可以是圆形、矩形、梯形等各种各样的形状，在激光钻孔时通常形成纵向剖面为倒梯形的孔。

离子注入层208位于高频基材204的表面下方，而可选的等离子体沉积层则位于离子注入层的上方。

离子注入层208可以包括一层或多层。例如，在使用两种靶材相继地对基材进行离子注入时，先注入的第一导电材料会在基材表面下方的第一深度内与基材组成掺杂结构，而后注入的第二导电材料则会位于基材表面下方的第二深度内。在第一深度不同于第二深度的情况下，便会在基材的表面下方形成具有不同组分的两个离子注入层，其中的一个注入层由第一或第二导电材料组成，而另一个注入层由第一和第二导电材料组成。例如，离子注入层包括邻近混压基材的Ni或Ni-Cu合金层和注入Ni或Ni-Cu合金层中的Cr离子层，其中离子注入层位于混压基材和孔壁的表面下方1-50nm的深度内。

等离子体沉积层包括直接位于离子注入层208的上方且与该离子注入层208相连的金属沉积层、以及位于该金属沉积层上方的铜沉积层。其中，金属沉积层的厚度为0-1000nm，而且铜沉积层的厚度为0-1000nm。在一个示例中，金属沉积层具有0-50nm的厚度，并且由Ni组成，或者由Cr或Ti组成。在另一个示例中，铜沉积层的厚度为0-50nm。备选地，等离子体沉积层可包括直接位于离子注入层208的上方且与该离子注入层208相连的金属氧化物沉积层、位于该金属氧化物沉积层上方的金属沉积层、以及位于该金属沉积层上方的铜沉积层。这三个沉积层均可通过工艺温度为常温至500℃的真空镀膜工艺来制备，并且厚度均可为0-1000nm。在一个示例中，金属氧化物沉积层的厚度为10-500nm(例如为10-50nm)，金属沉积层的厚度为10-500nm(例如为50-100nm)，而且铜沉积层的厚度为10-500nm(例如为50-100nm)。作为优选的实施方式，在形成金属氧化物沉积层时可选用NiO作为靶材，而且在形成对应的金属沉积层时可选用Ni或Ni-Cu合金(其中，Ni与Cu的摩尔比为7:3)作为靶材。

导体加厚层210形成在离子注入层208和可选的等离子体沉积层的上方。该导体加厚层210可采用电镀、化学镀、真空蒸发镀、磁控溅射等方法中的一种或多种而获得，以获得具有期望的厚度和电导率的导体层。电镀法的速度快、成本低、而且可适用的材料范围非常广泛，因而是最常用的。导体加厚层210可具有0.01-100μm的厚度(例如0.1μm、1μm、5μm、12μm、20μm、70μm等)，并且可以由Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种组成。在一个实施方案中，导体加厚层210是通过电镀法形成于离子注入层208和可选的等离子体沉积层的上方的Cu镀层，该Cu镀层的厚度可以为0.5-100μm，并且可以通过控制电镀过程中的各种相关参数(例如电镀电流、电压、时间等)而容易地进行调整。

最后，进行后处理，以形成最后的混压高频微波基板200。后处理方式包括表面粗糙度处理，导体加厚层的外表面具有小于0.1微米的表面粗糙度，因此，在高频信号传输中，可以显著降低由导体层引起的信号损失，从而进一步降低整体信号损失。后处理方式还可以包括退火处理，以消除存在于基板中的应力从而防止基材或其上面的导体层断裂。后处理方式还可以包括表面钝化处理，以防止基板中的导体层容易被氧化而电气性能变差。

以上各实施例的基板均可用于电路板制造，尤其是高频微波通信传输领域的电路板制造。

上文描述的内容仅仅提及了本实用新型的合适实施例。然而，本实用新型并不受限于文中所述的特定实施例。本领域技术人员将容易想到，在不脱离本实用新型的要旨的范围内，可以对这些实施例进行各种显而易见的修改、调整及替换，以使其适合于特定的情形。实际上，本实用新型的保护范围是由权利要求限定的，并且可包括本领域技术人员可预想到的其它示例。如果这样的其它示例具有与权利要求的字面语言无差异的结构要素，或者如果它们包括与权利要求的字面语言有非显著性差异的等同结构要素，那么它们将会落在权利要求的保护范围内。

Claims (14)

1.一种混压高频微波基板，包括：

基底基材；

高频基材，其混压至所述基底基材上以形成混压基材；

离子注入层，其通过离子注入方法注入所述混压基材的表面下方，其中，所述离子注入层的注入材料与所述混压基材形成稳定的掺杂结构，所述掺杂结构在所述混压基材的表面下方形成多个基桩；以及

导体加厚层，其形成在所述离子注入层的上方。

2.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述高频基材为PTFE基材、PPO基材、PI基材、BT基材、CE基材、APPE基材或TPPE基材，所述高频树脂包含或不包含玻纤或增强材料。

3.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述基底基材为非高频基材。

4.根据权利要求3所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述非高频基材为金属基材、环氧树脂基材或陶瓷基材。

5.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述金属基材能够进一步改善所述混压高频微波基板的散热效果。

6.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述金属基材为铜基材、铝基材、铁基材、镍铁合金基材、钨金合金基材或钨钼合金基材。

7.根据权利要求4所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述环氧树脂基材为环氧树脂FR4基材。

8.根据权利要求1所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述混压基材设置有通孔和/或盲孔，所述离子注入层还位于所述通孔和/或盲孔的孔壁下方。

9.根据权利要求8所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述离子注入层位于所述孔壁的表面下方1-50nm的深度内。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述离子注入层包括邻近所述混压基材的Ni或Ni-Cu合金层、和注入所述Ni或Ni-Cu合金层中的Cr离子层，其中所述离子注入层位于所述混压基材的表面下方1-50nm的深度内。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述混压高频微波基板还包括位于所述离子注入层和所述导体加厚层之间的等离子体沉积层，所述等离子体沉积层由导电材料组成，具有1-500nm的厚度。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层具有0.01-100μm的厚度。

13.根据权利要求12所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层是厚度为0.5-18μm的铜层。

14.根据权利要求1-9中任一项所述的混压高频微波基板，其特征在于，所述导体加厚层的外表面具有小于0.1微米的表面粗糙度。