CN207070353U - 一种mems麦克风 - Google Patents
一种mems麦克风 Download PDFInfo
- Publication number
- CN207070353U CN207070353U CN201720751405.8U CN201720751405U CN207070353U CN 207070353 U CN207070353 U CN 207070353U CN 201720751405 U CN201720751405 U CN 201720751405U CN 207070353 U CN207070353 U CN 207070353U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vibrating diaphragm
- backplane
- relief valve
- mems microphone
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种MEMS麦克风,包括具有背腔的衬底,在所述衬底上设置有由振膜、背极、支撑部构成的平板电容器结构;所述振膜上设置有由缝隙限制成的泄压阀,所述背极上设置有朝向振膜方向延伸的凸起部,所述凸起部与振膜泄压阀的位置相对。本实用新型的麦克风在正常工作时,正常的声压会从缝隙中通过;在受到较大冲击时,振膜受压发生大变形并贴于背极上;泄压阀在随之发生大变形时会被凸起部所阻止,这就使得泄压阀与振膜的其它位置之间产生了位差,从而扩大了泄气路径的尺寸,可以快速平衡前后腔的压差。
Description
技术领域
本实用新型涉及声电转换领域,更具体地,本实用新型涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
MEMS(微型机电系统)麦克风是基于MEMS技术制造的麦克风,其中的振膜、背极板是MEMS麦克风中的重要部件,振膜、背极板构成了电容器并集成在硅晶片上,实现声电的转换。
当MEMS麦克风受到机械冲击、吹气、跌落时,其中的MEMS芯片会受到较大的声压冲击,这往往会使振膜受到过大的压力而导致破裂受损,或者在大气冲击时会因气流扰动而扭曲变形导致振膜破裂,从而导致整个麦克风的失效。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供了一种MEMS麦克风。
根据本实用新型的一个方面,提供一种MEMS麦克风,包括具有背腔的衬底,在所述衬底上设置有由振膜、背极、支撑部构成的平板电容器结构;所述振膜上设置有由缝隙限制成的泄压阀,所述背极上设置有朝向振膜方向延伸的凸起部,所述凸起部与振膜泄压阀的位置相对。
可选地,所述泄压阀设置有一个,位于振膜的中心区域。
可选地,所述泄压阀设置有多个,均匀分布在振膜的圆周方向上。
可选地,所述泄压阀整体呈U形、S形、矩形、梯形、圆形、半圆形或半椭圆形。
可选地,所述衬底上形成的是背极在下、振膜在上的平板电容器结构。
可选地,所述衬底上形成的是背极在上、振膜在下的平板电容器结构。
可选地,所述缝隙在沉积形成振膜时,通过刻蚀的方式形成。
本实用新型的麦克风在正常工作时,正常的声压会从缝隙中通过;在受到较大冲击时,振膜受压发生大变形并贴于背极上;泄压阀在随之发生大变形时会被凸起部所阻止,这就使得泄压阀与振膜的其它位置之间产生了位差,从而扩大了泄气路径的尺寸,可以快速平衡前后腔的压差。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例,并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型麦克风的结构示意图。
图2是本实用新型麦克风在受到较大声压时的状态示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图1,本实用新型公开了一种MEMS麦克风,包括具有背腔的衬底1,在所述衬底1上设置有振膜3以及背极5。本实用新型的振膜3、背极5可通过依次沉积的方式形成在衬底1上,所述衬底1可以采用单晶硅材料,所述振膜3、背极5可以采用单晶硅或者多晶硅材料,这种材料的选择以及沉积的工艺属于本领域技术人员的公知常识,在此不再具体说明。
所述背极5与振膜3构成了平板电容器结构,该平板电容器结构例如可以是背极5在上、振膜3在下的方式,也可以是背极5在下、振膜3在上的方式。为了便于描述,现以背极5在上、振膜3在下的平板电容器结构为例来描述本实用新型的技术方案。
为了实现振膜3与衬底1之间的绝缘,在所述振膜3与衬底1之间连接的位置设置有绝缘层2,该绝缘层2可以采用本领域技术人员所熟知的二氧化硅材料。为了保证背极5与振膜3之间可以构成具有一定间隙的平板电容器结构,在所述背极5与振膜3之间还设置有用于支撑的支撑部4,所述支撑部4在起到支撑背极5的同时,还可以保证背极5与振膜3之间的绝缘。这种电容器的MEMS麦克风结构属于本领域技术人员的公知常识,在此不再具体说明。
本实用新型的MEMS麦克风,在所述背极5上设置有通孔50,使得可以均衡振膜3与背极5之间的压力。通孔50的数量根据需要可以设置多个,均匀分布在背极5上。
在所述振膜3上设置有由缝隙30限制成的泄压阀31,该缝隙30可以在沉积形成振膜3时,通过刻蚀的方式形成,这种沉积、刻蚀的工艺属于本领域技术人员的公知常识,在此不再具体说明。
在振膜3上按照预定的形状形成缝隙30,并通过所述缝隙30在振膜3上形成了泄压阀31。初始状态时,泄压阀31与振膜3整体是齐平的,也就是说泄压阀31处于关闭状态;当受到例如机械冲击、吹气、跌落所带来的较大声压时,泄压阀31可以以各自的颈部为支点向上或向下翘起,从而形成了有效的泄压路径,以达到泄压的目的。
本实用新型的MEMS麦克风,在所述背极5上还设置有与泄压阀31相对的凸起部51,参考图1。所述凸起部51与背极5可以是一体的,通过沉积、刻蚀等工艺形成。所述凸起部51从背极5上朝向振膜3的方向延伸,其可以是圆柱形状,也可以是矩形柱结构等。
本实用新型的麦克风在正常工作时,正常的声压会从缝隙中通过;在受到较大冲击时,参考图2,振膜受压发生大变形并贴于背极上;泄压阀在随之发生大变形时会被凸起部所阻止,这就使得泄压阀与振膜的其它位置之间产生了位差,从而扩大了泄气路径的尺寸,可以快速平衡前后腔的压差。
本实用新型的泄压阀31可以采用本领域技术人员所熟知的结构,例如可以采用U形、S形、矩形、梯形、圆形、半圆形或半椭圆形等。泄压阀31的结构可以设置有一个,其位于振膜3的中心区域。所述泄压阀31也可以设置有多个,均匀分布在振膜3的圆周方向上,此时背极5上的凸起部51也需要设置多个,分别与各泄压阀31相对布置。
本实用新型泄压阀31与凸起部51的结构可应用于背极5在上、振膜3在下的电容器结构,也可应用于背极5在下、振膜3在上的电容器结构。图1示出的电容器结构中,背极5在上、振膜3在下。当采用背极5在下、振膜3在上的结构时,凸起部51由背极5的上端面向上延伸,并与位于其上方的泄压阀31对应起来,在此不再具体说明。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (7)
1.一种MEMS麦克风,其特征在于:包括具有背腔的衬底(1),在所述衬底(1)上设置有由振膜(3)、背极(5)、支撑部(4)构成的平板电容器结构;所述振膜(3)上设置有由缝隙(30)限制成的泄压阀(31),所述背极(5)上设置有朝向振膜(3)方向延伸的凸起部(51),所述凸起部(51)与振膜(3)泄压阀(31)的位置相对。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述泄压阀(31)设置有一个,位于振膜(3)的中心区域。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述泄压阀(31)设置有多个,均匀分布在振膜(3)的圆周方向上。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述泄压阀(31)整体呈U形、S形、矩形、梯形、圆形、半圆形或半椭圆形。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述衬底(1)上形成的是背极(5)在下、振膜(3)在上的平板电容器结构。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述衬底(1)上形成的是背极(5)在上、振膜(3)在下的平板电容器结构。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于:所述缝隙(30)在沉积形成振膜(3)时,通过刻蚀的方式形成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720751405.8U CN207070353U (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 一种mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720751405.8U CN207070353U (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 一种mems麦克风 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207070353U true CN207070353U (zh) | 2018-03-02 |
Family
ID=61506513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720751405.8U Active CN207070353U (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 一种mems麦克风 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN207070353U (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110267184A (zh) * | 2019-06-29 | 2019-09-20 | 瑞声科技(南京)有限公司 | Mems麦克风 |
CN110366090A (zh) * | 2018-04-11 | 2019-10-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件及其制备方法 |
WO2021088241A1 (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-14 | 歌尔微电子有限公司 | 一种防尘抗吹气微机电麦克风芯片 |
CN112995860A (zh) * | 2019-12-18 | 2021-06-18 | 鑫创科技股份有限公司 | 微机电系统的麦克风结构 |
-
2017
- 2017-06-26 CN CN201720751405.8U patent/CN207070353U/zh active Active
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110366090A (zh) * | 2018-04-11 | 2019-10-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件及其制备方法 |
CN110366090B (zh) * | 2018-04-11 | 2021-02-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件及其制备方法 |
CN110267184A (zh) * | 2019-06-29 | 2019-09-20 | 瑞声科技(南京)有限公司 | Mems麦克风 |
WO2021088241A1 (zh) * | 2019-11-04 | 2021-05-14 | 歌尔微电子有限公司 | 一种防尘抗吹气微机电麦克风芯片 |
CN112995860A (zh) * | 2019-12-18 | 2021-06-18 | 鑫创科技股份有限公司 | 微机电系统的麦克风结构 |
CN112995860B (zh) * | 2019-12-18 | 2022-04-19 | 鑫创科技股份有限公司 | 微机电系统的麦克风结构 |
US11317220B2 (en) | 2019-12-18 | 2022-04-26 | Solid State System Co., Ltd. | Structure of micro-electro-mechanical-system microphone |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN207070353U (zh) | 一种mems麦克风 | |
CN207124763U (zh) | 一种mems芯片 | |
CN207124764U (zh) | 一种mems麦克风 | |
US10993040B2 (en) | Piezoelectric microphone | |
KR102269119B1 (ko) | 이중 진동막을 포함하는 차동 콘덴서 마이크 | |
CN205510403U (zh) | 一种mems麦克风芯片及mems麦克风 | |
CN109803217B (zh) | 压电式麦克风 | |
US11381917B2 (en) | Vibration diaphragm in MEMS microphone and MEMS microphone | |
US8094844B2 (en) | Micro acoustic transducer and manufacturing method therefor | |
CN109890748A (zh) | Mems麦克风、其制造方法以及电子设备 | |
CN203368757U (zh) | 具有强化结构的mems麦克风 | |
JP2019518341A (ja) | Memsマイクロホン | |
CN106996827B (zh) | 一种感测膜片以及mems麦克风 | |
US11974094B2 (en) | MEMS microphone | |
CN106878878B (zh) | 一种新型声音衰减装置及其制造方法 | |
CN105657616B (zh) | 一种扬声器模组 | |
CN215529301U (zh) | 一种电容式mems麦克风 | |
CN207475874U (zh) | 一种mems麦克风中的背极及mems麦克风 | |
JP6307171B2 (ja) | Memsマイクロホン | |
CN206905882U (zh) | 一种感测膜片以及mems麦克风 | |
CN204559875U (zh) | 一种扬声器结构 | |
CN203968304U (zh) | 一种防水喇叭 | |
CN103458337B (zh) | 扬声器模组 | |
CN212851005U (zh) | 振膜、电容式传感器以及麦克风 | |
CN207070354U (zh) | 一种mems麦克风 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200610 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 266104 Laoshan Qingdao District North House Street investment service center room, Room 308, Shandong Patentee before: GOERTEK TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |