CN206905882U - 一种感测膜片以及mems麦克风 - Google Patents
一种感测膜片以及mems麦克风 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206905882U CN206905882U CN201720472305.1U CN201720472305U CN206905882U CN 206905882 U CN206905882 U CN 206905882U CN 201720472305 U CN201720472305 U CN 201720472305U CN 206905882 U CN206905882 U CN 206905882U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensitive portion
- sensing diaphragm
- sensitive
- maintaining part
- fixed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种感测膜片及MEMS麦克风,包括位于中部区域的敏感部,以及位于敏感部外侧边缘且与所述敏感部一体成型的固定部;还包括从固定部延伸至敏感部边缘位置且非封闭的缝隙部,所述缝隙部在感测膜片上围成了根部位于固定部上、自由端延伸至敏感部上边缘位置的保持部;所述敏感部被配置为在受到冲击时相对于保持部发生位移,以在保持部与敏感部之间形成气流流通通道。本实用新型的感测膜片,不同于传统的泄压阀结构,对敏感部的振动特性影响较小,敏感部的动态稳定性更好。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种感测膜片,尤其涉及一种适用于发声的振膜;本实用新型还涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
MEMS感测组件现已应用普及在消费性电子产品中,如何加快产品生产工艺是目前零组件供货商关注的焦点,例如手机生产组装过程中所产生的灰尘碎削通过气枪直接清理,是目前成本最低的方案。因此对MEMS传感器必须提出大声压或大气压的抗吹气改善方案,避免在组装过程,因气枪清理导致麦克风发生破裂失效。
例如在麦克风领域,目前的改善方案为在MEMS麦克风的振膜上设置泄压孔或者泄压阀结构。但是泄压孔的结构会减少振膜的有效面积;在振膜上设置的泄压阀结构会直接影响振膜的振动特性,尤其影响振膜的低频特性,而且振膜的动态稳定性比较差。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种感测膜片的新技术方案。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种感测膜片,包括位于中部区域的敏感部,以及位于敏感部外侧边缘且与所述敏感部一体成型的固定部;还包括从固定部延伸至敏感部边缘位置且非封闭的缝隙部,所述缝隙部在感测膜片上围成了根部位于固定部上、自由端延伸至敏感部上边缘位置的保持部;所述敏感部被配置为在受到冲击时相对于保持部发生位移,以在保持部与敏感部之间形成气流流通通道。
可选地,所述保持部至少设置有一个。
可选地,所述保持部至少设置有三个,均匀分布在敏感部边缘的周向上。
可选地,所述缝隙部包括从固定部延伸至敏感部上的第一段,以及从第一段端头迂回延伸至固定部的第二段。
可选地,所述第一段、第二段沿其中心轴线对称。
可选地,所述缝隙部整体呈U形、方形、半圆形或半椭圆形。
可选地,在所述第一段、第二段的自由端头设置有偏离自身延伸方向的延伸部。
可选地,所述缝隙部在敏感部上延伸的面积与敏感部面积的比例为5%-50%。
可选地,所述缝隙部通过腐蚀或者刻蚀的方式形成。
根据本实用新型的另一方面,还提供了一种MEMS麦克风,包括背极以及上述的感测膜片。
本实用新型的感测膜片,不同于传统的泄压阀结构,泄压的气流流通通道通过敏感部自身受压变形量而产生,而且可实时依据敏感部的内外压力差来调整气流流通通道通的尺寸(通过自身受压的形变量实时调整泄压开口速率),提供泄压路径以此保护感测膜片。本实用新型的感测膜片,由于气流流通通道位于敏感部的边缘位置,而且通过敏感部自身的位移形成,这就使得气流流通通道对敏感部的振动特性影响较小,敏感部的动态稳定性更好。
本实用新型的发明人发现,在现有技术中,在振膜上设置的泄压阀结构会直接影响振膜的振动特性,尤其影响振膜的低频特性,而且振膜的动态稳定性比较差。因此,本实用新型所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的,故本实用新型是一种新的技术方案。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本实用新型的实施例,并且连同其说明一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型MEMS麦克风的结构示意图。
图2是本实用新型感测膜片的俯视图。
图3是图2中缝隙部的结构示意图。
图4是图1中感测膜片在受到冲击时发生位移的示意图。
图5是本实用新型缝隙部另一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本实用新型提供的一种感测膜片,其可以是应用在麦克风结构中的振膜,也可以是应用在其它传感器结构中的敏感膜,例如压力传感器、气体传感器中的敏感膜层。这些感测膜片的结构、材质、应用环境均属于各传感器领域的公知常识,在此不再具体说明。
为了便于表述,现在麦克风为例,对本实用新型的技术方案进行详尽的描述,应当理解的是,对于本领域的技术人员而言,其还可以是其它结构的各传感器。
参考图1,本实用新型提供的一种MEMS麦克风,其包括衬底1,以及形成在衬底1上的电容器结构,该电容器结构包括感测膜片(振膜)、背极6;所述感测膜片与背极6之间通过一支撑部7进行支撑,使得感测膜片与背极6之间具有一定的间隙。所述电容器结构可以是背极6在上、感测膜片在下的结构,如图1所示;对于本领域的技术人员而言,还可以是背极6在下、感测膜片在上的结构,在此不再具体说明。
本实用新型的感测膜片,参考图2,包括位于中部区域的敏感部2,以及位于敏感部2外侧边缘且与所述敏感部2一体成型的固定部5;该敏感部2作为麦克风的振动部,麦克风的拾音主要依靠敏感部2的振动特性。固定部5用于将整个感测膜片连接在衬底1上,从而使得敏感部2可以悬空在衬底1的后腔上方。在具体的制造工艺中,首先在衬底1上或者衬底1上方的绝缘层上沉积一层薄膜层,之后通过刻蚀或者腐蚀的工艺形成位于外侧的固定部5以及位于中部区域的敏感部2。
当然,对于本领域的技术人员而言,为了提高敏感部2的振动特性,在所述敏感部2与固定部5之间还设置有折环部(视图未给出),通过该折环部可以明显提高敏感部2振动的灵敏度。
本实用新型的感测膜片,还包括从固定部5延伸至敏感部2边缘位置的缝隙部4,该缝隙部4为非封闭的,通过该非封闭的缝隙部4在感测膜片上围成了保持部3,该保持部的根部位于固定部5上,其自由端延伸至敏感部2的边缘位置,参考图1、图2。保持部3为感测膜片的一部分,保持部3的形状由缝隙部4的形状而定。在成型的时候,例如可以通过腐蚀或者刻蚀硅膜层的方式形成所述缝隙部4。
由于保持部3的根部位于感测膜片的固定部5位置,自由端位于敏感部2上的边缘位置,当感测膜片连接在衬底上后,在受到大声压或者大气流的冲击时,所述敏感部2由于受到较大的冲击,其会相对于保持部3发生向上或者向下的位移,从而在保持部3与敏感部2之间形成了可以泄压的气流流通通道。
在本实用新型一个具体的实施方式中,参考图3,所述缝隙部4包括从固定部5延伸至敏感部2上的第一段40,以及从第一段40迂回延伸至固定部5的第二段41。也就是说,缝隙部4的开口端位于固定部5的位置,其由第一段40、第二段41围成的封闭端位于敏感部2上,使得由第一段40、第二段41围成的保持部3的根部位于固定部5位置,保持部3的自由端位于感测膜片的敏感部2位置。
参考图4,当感测膜片受到自上而下的大声压时,由于保持部3的自由端仅延伸至敏感部2的边缘位置,敏感部2的受压面远远大于保持部3,敏感部2由于受到较大的冲击会向下发生位移,而保持部3则保持不动,这就使得在敏感部2与保持部3之间会相互错开,从而打开了保持部3与敏感部2之间的气流流通通道,以便可以快速地泄压。
本实用新型的感测膜片,不同于传统的泄压阀结构,泄压的气流流通通道通过敏感部自身受压变形量而产生,而且可实时依据敏感部的内外压力差来调整气流流通通道通的尺寸(通过自身受压的形变量实时调整泄压开口速率),提供泄压路径以此保护感测膜片。本实用新型的感测膜片,由于气流流通通道位于敏感部的边缘位置,而且通过敏感部自身的位移形成,这就使得气流流通通道对敏感部的振动特性影响非常小,敏感部的动态稳定性更好。
本实用新型的保持部3可以设置有一个、两个、三个或者更多个。本实用新型优选的是保持部3至少设置有三个,该三个保持部3均匀分布在敏感部2边缘的周向上。例如当敏感部2为圆形结构时,三个保持部3均匀分布在敏感部2边缘的圆周方向上,以保证泄压的均匀性以及敏感部2发生位移的稳定性。
在本实用新型优选的实施方式中,所述第一段40、第二段41沿其中心轴线对称,使得形成的保持部3为一中心对称结构。当然,对于本领域的技术人员而言,所述保持部3也可以为一非对称结构,在敏感部2发生位移的时候,同样可以形成泄压的气流流通通道。
所述缝隙部整体可以呈规则或者不规则的U形、方形、半圆形、半椭圆形,参考图5,或者本领域技术人员所熟知的其它形状等。
优选的是,在所述第一段40、第二段41的自由端头设置有偏离自身延伸方向的延伸部42。参考图3,所述两个延伸部42可以朝缝隙部4的中心方向进行延伸,也可以朝相反的相反延伸。延伸部42的设置可以很好地释放在膜层上形成缝隙部4时的应力,以保证感测膜片的平整度以及稳定性。
本实用新型缝隙部4在敏感部2上的延伸长度表征了保持部3在敏感部2上的延伸长度,这决定了敏感部2发生位移后气流流通通道的大小。也就是说,缝隙部4在敏感部2上的延伸长度越大,则敏感部2与保持部3之间的气流流通通道的泄压能力就越大。
另外,如果保持部3占用敏感部2的面积过大,会导致在大声压时,保持部3也会发生相对的位移,这与本申请的技术方案是相违背的。因此,需要设计好保持部3与敏感部2之间的尺寸比例关系,这种比例关系本领域技术人员可以通过有效次实验得到。在本实用新型一个具体的实施方式中,所述缝隙部4在敏感部2上延伸的面积与敏感部2面积的比例关系优选设置在5%-50%。
虽然已经通过例子对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种感测膜片,其特征在于:包括位于中部区域的敏感部(2),以及位于敏感部(2)外侧边缘且与所述敏感部(2)一体成型的固定部(5);还包括从固定部(5)延伸至敏感部(2)边缘位置且非封闭的缝隙部(4),所述缝隙部(4)在感测膜片上围成了根部位于固定部(5)上、自由端延伸至敏感部(2)上边缘位置的保持部(3);所述敏感部(2)被配置为在受到冲击时相对于保持部(3)发生位移,以在保持部(3)与敏感部(2)之间形成气流流通通道。
2.根据权利要求1所述的感测膜片,其特征在于:所述保持部(3)至少设置有一个。
3.根据权利要求2所述的感测膜片,其特征在于:所述保持部(3)至少设置有三个,均匀分布在敏感部(2)边缘的周向上。
4.根据权利要求1所述的感测膜片,其特征在于:所述缝隙部(4)包括从固定部(5)延伸至敏感部(2)上的第一段(40),以及从第一段(40)端头迂回延伸至固定部(5)的第二段(41)。
5.根据权利要求4所述的感测膜片,其特征在于:所述第一段(40)、第二段(41)沿其中心轴线对称。
6.根据权利要求5所述的感测膜片,其特征在于:所述缝隙部(4)整体呈U形、方形、半圆形或半椭圆形。
7.根据权利要求4所述的感测膜片,其特征在于:在所述第一段(40)、第二段(41)的自由端头设置有偏离自身延伸方向的延伸部(42)。
8.根据权利要求1所述的感测膜片,其特征在于:所述缝隙部(4)在敏感部(2)上延伸的面积与敏感部(2)面积的比例为5%-50%。
9.根据权利要求1所述的感测膜片,其特征在于:所述缝隙部(4)通过腐蚀或者刻蚀的方式形成。
10.一种MEMS麦克风,包括背极以及根据权利要求1-9任一项所述的感测膜片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720472305.1U CN206905882U (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720472305.1U CN206905882U (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206905882U true CN206905882U (zh) | 2018-01-19 |
Family
ID=61291565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720472305.1U Active CN206905882U (zh) | 2017-04-28 | 2017-04-28 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206905882U (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106996827A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-01 | 歌尔股份有限公司 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
CN111609915A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 基于弹性梁结构的mems压电声压传感芯片 |
-
2017
- 2017-04-28 CN CN201720472305.1U patent/CN206905882U/zh active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106996827A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-08-01 | 歌尔股份有限公司 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
CN106996827B (zh) * | 2017-04-28 | 2020-11-20 | 潍坊歌尔微电子有限公司 | 一种感测膜片以及mems麦克风 |
CN111609915A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-09-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 基于弹性梁结构的mems压电声压传感芯片 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101965089B1 (ko) | Mems 마이크, 압력 센서 집적 구조 및 그 제조 방법 | |
CN107666645B (zh) | 具有双振膜的差分电容式麦克风 | |
CN109495829B (zh) | 压电式mems麦克风 | |
CN106996827A (zh) | 一种感测膜片以及mems麦克风 | |
US11265657B2 (en) | Piezoelectric MEMS microphone | |
TWI667925B (zh) | 壓電傳感器 | |
CN206905882U (zh) | 一种感测膜片以及mems麦克风 | |
CN107105377A (zh) | 一种mems麦克风 | |
US10397718B2 (en) | Vibration diaphragm and manufacturing method thereof | |
CN206640794U (zh) | Mems声换能器及电子设备 | |
CN106535071B (zh) | Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法 | |
US11297441B2 (en) | Microphone | |
CN204681590U (zh) | Mems麦克风、压力传感器集成结构 | |
CN206932406U (zh) | Mems麦克风 | |
CN109218870A (zh) | 一种麦克风 | |
US11363384B2 (en) | Sensitive diaphragm with rim structure and sensor | |
CN209659620U (zh) | 压电式mems麦克风 | |
CN216752082U (zh) | Mems麦克风芯片 | |
CN206963064U (zh) | 一种扬声器及电子设备 | |
CN206302569U (zh) | Mems麦克风与环境传感器的集成装置 | |
KR20060114017A (ko) | 용량 검지형 센서 소자 | |
CN206908774U (zh) | 一种感测膜片以及mems麦克风 | |
CN209355951U (zh) | 一种电容传感器 | |
CN206908857U (zh) | 一种mems麦克风 | |
KR102140357B1 (ko) | 마이크로폰 다이어프램을 위한 안정기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191113 Address after: 266104 room 103, 396 Songling Road, Laoshan District, Qingdao, Shandong Province Patentee after: Goer Microelectronics Co., Ltd Address before: 261031 Dongfang Road, Weifang high tech Development Zone, Shandong, China, No. 268 Patentee before: Gore Co., Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right |