CN207052591U - 一种高散热的超快恢复二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高散热的超快恢复二极管,包括二极管芯片和本体外壳,所述本体外壳的内部固定有基板,所述二极管芯片两侧分别伸出有一芯片引脚,所述芯片引脚焊接在基板上,所述基板外侧分别焊接有接线端片,所述基板设置在导热陶瓷件上,所述二极管芯片的上方设有透光罩。本实用新型通过基板以及导热陶瓷件可以吸收二极管芯片在工作过程中产生热量时,之后热量再分别向本体外壳上进行扩散,本体外壳的表面均匀分布有散热条,可以快速的将热量传递至空气中,进而降低二极管芯片处的温度,散热效果好,有效的保持了二极管芯片的工作特性。
Description
技术领域
本实用新型属于二极管装置技术领域,具体涉及一种高散热的超快恢复二极管。
背景技术
二极管是电子元件当中的一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap Diode)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。
为了保证二极管工作时的稳定性和使用寿命,需要对二极管进行散热,现有的二极管散热效率差,长期高温状态下,二极管的稳定性将会受到影响。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高散热的超快恢复二极管,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高散热的超快恢复二极管,包括二极管芯片和本体外壳,所述本体外壳的内部固定有基板,所述二极管芯片两侧分别伸出有一芯片引脚,所述芯片引脚焊接在基板上,所述基板外侧分别焊接有接线端片,所述基板设置在导热陶瓷件上,所述二极管芯片的上方设有透光罩。
优选的,所述基板呈半圆形相间隔设置,所述基板上设有用于焊接芯片引脚的焊位。
优选的,所述导热陶瓷件包括分隔块,所述分隔块位于相对设置的基板之间,所述分隔块的顶部与二极管芯片相接处,所述分隔块上一体化设置有托板,所述托板上一体化设置有定位环,所述定位环与基板的下表面相嵌合。
优选的,所述托板的上表面与基板的下表面相贴合,且托板与基板之间涂有一层导热胶层。
优选的,所述透光罩底部边缘与基板上表面上的环形卡槽相嵌合。
优选的,所述本体外壳的表面一体化设置有散热条。
本实用新型的技术效果和优点:该高散热的超快恢复二极管,通过基板以及导热陶瓷件可以吸收二极管芯片在工作过程中产生热量时,之后热量再分别向本体外壳上进行扩散,本体外壳的表面均匀分布有散热条,可以快速的将热量传递至空气中,进而降低二极管芯片处的温度,散热效果好,有效的保持了二极管芯片的工作特性。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的基板俯视结构示意图;
图3为本实用新型的导热陶瓷件结构示意图;
图4为本实用新型的俯视结构示意图。
图中:1透光罩、2二极管芯片、3芯片引脚、4本体外壳、5散热条、6基板、601环形卡槽、602焊位、7接线端片、8定位环、9托板、10导热陶瓷件、11分隔块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了如图1-4所示的一种高散热的超快恢复二极管,包括二极管芯片2和本体外壳4,所述本体外壳4的内部固定有基板6,所述二极管芯片2两侧分别伸出有一芯片引脚3,所述芯片引脚3焊接在基板6上,所述基板6外侧分别焊接有接线端片7,所述基板6设置在导热陶瓷件10上,所述二极管芯片2的上方设有透光罩1。
进一步的,所述基板6呈半圆形相间隔设置,所述基板6上设有用于焊接芯片引脚3的焊位602,芯片引脚3分别焊接在两块基板6上的焊位602上,提高了二极管芯片2焊接定位精度,基板6采用高导热金属如铜制成,可在导电的同时将热量传递至导热陶瓷件10上,提高散热效果。
进一步的,所述导热陶瓷件10包括分隔块11,所述分隔块11位于相对设置的基板6之间,防止基板6之间形成短路,所述分隔块11的顶部与二极管芯片2相接处,可以导出二极管芯片2产生的热量,降低二极管芯片2的温度,所述分隔块11上一体化设置有托板9,所述托板9上一体化设置有定位环8,所述定位环8与基板6的下表面相嵌合,用于支撑固定基板6,且定位环8嵌入基板6内部,进一步加强了导热效果。
进一步的,所述托板9的上表面与基板6的下表面相贴合,且托板9与基板6之间涂有一层导热胶层,用于填补托板9与基板6之间的缝隙,提高导热效率,加快散热。
进一步的,所述透光罩1底部边缘与基板6上表面上的环形卡槽601相嵌合,可以有效的对二极管芯片2所在区域进行密封保护,避免二极管芯片2接触灰尘。
进一步的,所述本体外壳4的表面一体化设置有散热条5,本体外壳4采用浇筑方法一次性成型,密封性好,可以有效的对导热陶瓷件10和基板6进行包覆,因此,导热陶瓷件10和基板6上的热量可以更快的向本体外壳4上扩散,散热条5均匀分布在本体外壳4的表面,可以均匀的将热量传递至空气中,散热效果好。
具体的,使用时,当二极管芯片2在工作过程中产生热量时,热量会被基板6以及导热陶瓷件10吸收后再分别向本体外壳4上进行扩散,本体外壳4的表面均匀分布有散热条5,可以快速的将热量传递至空气中,进而降低二极管芯片2处的温度,散热效果好,有效的保持了二极管芯片2的工作特性。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种高散热的超快恢复二极管,包括二极管芯片(2)和本体外壳(4),其特征在于:所述本体外壳(4)的内部固定有基板(6),所述二极管芯片(2)两侧分别伸出有一芯片引脚(3),所述芯片引脚(3)焊接在基板(6)上,所述基板(6)外侧分别焊接有接线端片(7),所述基板(6)设置在导热陶瓷件(10)上,所述二极管芯片(2)的上方设有透光罩(1)。
2.根据权利要求1所述的一种高散热的超快恢复二极管,其特征在于:所述基板(6)呈半圆形相间隔设置,所述基板(6)上设有用于焊接芯片引脚(3)的焊位(602)。
3.根据权利要求1所述的一种高散热的超快恢复二极管,其特征在于:所述导热陶瓷件(10)包括分隔块(11),所述分隔块(11)位于相对设置的基板(6)之间,所述分隔块(11)的顶部与二极管芯片(2)相接处,所述分隔块(11)上一体化设置有托板(9),所述托板(9)上一体化设置有定位环(8),所述定位环(8)与基板(6)的下表面相嵌合。
4.根据权利要求3所述的一种高散热的超快恢复二极管,其特征在于:所述托板(9)的上表面与基板(6)的下表面相贴合,且托板(9)与基板(6)之间涂有一层导热胶层。
5.根据权利要求1所述的一种高散热的超快恢复二极管,其特征在于:所述透光罩(1)底部边缘与基板(6)上表面上的环形卡槽(601)相嵌合。
6.根据权利要求1所述的一种高散热的超快恢复二极管,其特征在于:所述本体外壳(4)的表面一体化设置有散热条(5)。
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CN201720518433.5U CN207052591U (zh) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 一种高散热的超快恢复二极管 |
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Cited By (1)
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CN108766939A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-11-06 | 江苏盐芯微电子有限公司 | 一种芯片封装装置及封装方法 |
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2017
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