CN207031135U - 集成电路行业的含络铜离子废水处理系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，含络离子处理模块与含铜离子处理模块通过管道连接，对废水先进行含络离子的处理后在进行含铜离子处理，对含络离子水体进行酸碱调节和破络处理后经过格栅井进行悬浮物的拦截，并经过药剂反应进行酸碱平衡、凝结沉淀物，并通过沉淀池进行固液分离，分离后的水体进一步进行酸碱平衡并利用砂滤器进行悬浮物的过滤吸附，本专利申请结合了物理、化学去除杂质、有机物、络铜重离子以及中和酸碱，使排出的水体达到可排放标准，并对排出的污泥、废水进行进一步的再处理，减少浪费以及实现环保的目的。

Description

集成电路行业的含络铜离子废水处理系统

技术领域

本实用新型涉及废水处理领域，更涉及集成电路行业的含络铜离子废水处理系统。

背景技术

随着我国工业的快速发展，金属加工厂会产生大量的含铜、络的废水，传统的含铜、络废水结构简单，处理效果差，排放出的处理水依然会对环境造成巨大的伤害；此外传统含铜、络废水的处理往往通过大量的中和试剂来实现，这样含铜络废水的成分更加复杂，因此又产生另一种有害的废水，造成二次污染，具有一定的局限性。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，实现水体中铜络、污泥的分离，达到可排放标准，减少浪费以及废水污染，为了达到上述目的，采用以下技术方案：包括：含络离子处理模块和含铜离子处理模块，所述含络离子处理模块与含铜离子处理模块通过管道连接，水体先经过含络离子处理后进行含铜离子处理；所述含络离子处理模块包括有：调节池Ⅰ、调整池Ⅰ、破络池，调节池Ⅰ经管道与调整池Ⅰ连接，调整池Ⅰ与破络池相邻并底部溢流，调整池Ⅰ通过管道与H2SO4药剂池相连，破络池通过管道与次氯酸钠药剂池相连，破络池还通过管道接入含铜离子处理模块入水口；所述含铜离子处理模块包括：调节池Ⅱ、凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，所述调节池Ⅱ入水口处有倾斜的格栅井，破络池引出的水经过格栅井后进入到调节池Ⅱ内；所述调节池Ⅱ经过管道与凝聚池连接，所述凝聚池与调整池Ⅱ之间底部相通，所述调整池Ⅱ与捕捉池顶部溢流相通，所述捕捉池与助凝池之间底部相通，所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池分别通过管道与PAC、NAOH、重金属捕捉剂、PAM药剂池连接；助凝池通过管道与沉淀池连接，所属沉淀池内部设置有刮泥机，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂，搅拌池内部设置搅拌器，集液池通过管道与砂滤器连接。

优选的，所述调节池Ⅰ为封闭结构，调节池Ⅰ侧面为独立的、密封的事故池Ⅰ，调节池Ⅰ和事故池Ⅰ内部都设置有穿孔曝气管和液位计，调节池Ⅰ、事故池Ⅰ通过各自的分支管道并入到主管道，利用主管道接入调整池Ⅰ，各自的分支管道上都设置有提升泵，主管道上还设置有流量计。

优选的，调整池Ⅰ内部设置有PH控制仪和搅拌器，破络池内部也设置有搅拌器，且破络池内部还设置有ORP检测仪。

优选的，所述调节池Ⅱ为封闭结构，且调节池Ⅱ侧面为独立的、密封的事故池Ⅱ，调节池Ⅱ和事故池Ⅱ内部都设置有穿孔曝气管。

优选的，调节池Ⅱ上引出有至少两个分支管道，经过提升泵汇总到主管道上，事故池Ⅱ也是通过分支管道汇总于上述主管道上，利用主管道实现调节池Ⅱ、事故池Ⅱ的废水输送；主管道上设置有流量计。

优选的，所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池依次并列，凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池内部分别设置有独立的搅拌器，所述捕捉池内部还设置有PH控制仪。

优选的，所述集液池内部设置有穿孔曝气管，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。

优选的，砂滤器的气洗口与压缩空气连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池Ⅱ连接、排污口通过管道与综合废水调节池Ⅱ连接。

本实用新型有益效果：

本实用新型中，对废水先进行含络离子的处理，含络离子废水进行酸碱调节和破络处理后经过格栅井进行悬浮物的拦截，并经过药剂反应进行酸碱平衡、凝结沉淀物，并通过沉淀池进行固液分离，分离后的水体进一步进行酸碱平衡并利用砂滤器进行悬浮物的过滤吸附，本专利申请结合了物理、化学去除杂质、有机物、络铜重离子以及中和酸碱，使排出的水体达到可排放标准，并对排出的污泥、废水进行进一步的再处理，减少浪费以及实现环保的目的。

附图说明

下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是本专利申请的结构示意图；

图2为本专利申请的关于图1中含络离子处理的使用流程图；

图3为本专利申请的关于图1中含铜离子处理的使用流程图；

图中，1、调节池Ⅰ；2、穿孔曝气管；3、事故池Ⅰ；4、调整池Ⅰ；

5、破络池；6、提升泵；7、液位计；8、流量计；9、PH控制仪；10、ORP检测仪；11、搅拌器；12、格栅井；13、调节池Ⅱ；14、事故池Ⅱ；15、凝聚池；16、调整池Ⅱ；17、捕捉池；18、助凝池；19、刮泥机；20、中心管；21、沉淀池；22、搅拌池；23、集液池；24、砂滤器。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。

由图1、2所示，本实用新型目的在于提供集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，实现水体中铜络、污泥的分离，达到可排放标准，本专利申请包括：含络离子处理模块和含铜离子处理模块，所述含络离子处理模块与含铜离子处理模块通过管道连接，水体先经过含络离子处理后进行含铜离子处理。

所述含络离子处理模块包括有：调节池Ⅰ、调整池Ⅰ、破络池，调节池Ⅰ经管道与调整池Ⅰ连接，调整池Ⅰ与破络池相邻并底部溢流，调整池Ⅰ通过管道与H2SO4药剂池相连，破络池通过管道与次氯酸钠药剂池相连，破络池还通过管道接入含铜离子处理模块入水口。

所述调节池Ⅰ为封闭结构，由于生产工艺中排水具有间断性和随机性，调节池Ⅰ的设立主要是具有一定的水质水量调节作用，稳定后续处理的处理负荷，提高其效率，池内设穿孔管曝气搅拌系统和液位计，调节池Ⅰ设有提升泵，水泵的开停根据水位控制，设置低水位保护系统，池内设穿孔管曝气搅拌系统，曝气强度为2m³/m².h。

优选的，调节池Ⅰ侧面为独立的、密封的事故池Ⅰ，系统发生事故时应急使用，与调节池Ⅰ在高水位连通，事故结束后用泵提升进入系统处理，事故池Ⅰ内部也设置有穿孔曝气管和液位计，调节池Ⅰ、事故池Ⅰ通过各自的分支管道并入到主管道，利用主管道接入调整池Ⅰ，各自的分支管道上都设置有提升泵，主管道上还设置有流量计。

优选的，调整池Ⅰ内部设置有PH控制仪和搅拌器，破络池内部也设置有搅拌器，用于提高加药后的反应效率，且破络池内部还设置有ORP检测仪，用于检测池内氧化还原电位。

由图1、图3所示可知，含铜离子处理模块包括有：调节池Ⅱ、凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，所述调节池Ⅱ入水口处有倾斜的格栅井，破络池引出的水经过格栅井后进入到调节池Ⅱ内，用于拦截较大的飘、悬浮物，保护水泵；所述调节池Ⅱ为封闭结构，调节池Ⅱ内部向外引出有至少两个分支管道汇总到主管道上，利用主管道实现调节池Ⅱ凝聚池的水体输送。

由于生产工艺中排水具有间断性和随机性，调节池Ⅱ的设立主要是具有一定的水质水量调节作用，稳定后续处理的处理负荷，提高其效率，所以分支管道上分别接提升泵，水泵的开关根据调节池Ⅱ内部的液位计控制；所述调节池Ⅱ内部还设置有穿孔管曝气搅拌系统，曝气强度为2m³/m².h，主管道上设置有流量计，根据流量计进行水量的监测显示。

所述调节池Ⅱ旁边为独立的、密封的事故池Ⅱ，系统发生事故时应急使用，与调节池Ⅱ在高水位连通，事故结束后用泵提升进入系统处理，事故池Ⅱ内部设置有穿孔曝气管、液位计，事故池Ⅱ内部向外引出有至少两个分支管道，经过提升泵汇总到上述主管道上，利用主管道实现调节池Ⅱ、事故池Ⅱ的废水输送。

所述调节池Ⅱ经过主管道与凝聚池连接，凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池依次并列，且凝聚池与调整池Ⅱ之间底部相通，所述调整池Ⅱ与捕捉池顶部溢流相通，所述捕捉池与助凝池之间底部相通，所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池分别通过管道与PAC、NAOH、重金属捕捉剂、PAM药剂池连接；所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池内部分别设置有独立的搅拌器，所述捕捉池内部还设置有PH控制仪，根据PH值调节向调整池Ⅱ内加入的NAOH量，使pH控制在9.5左右，助凝池内加入PAM药剂，使沉淀物形成大的矾花。

助凝池通过管道与沉淀池的中心管连接连接，将含有固体杂质的水体输送至中心管内，水体可以向中心管周边扩散，但是淤泥被管壁阻挡并由于自身重力的原因淤泥顺着中心管向沉淀池底部下降，进行固液分离，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部有刮泥板，刮泥机围绕中心管做圆周运动时带动刮泥板运动，实现定期向外排泥，污泥顺着沉淀池底部的管道进入到污泥浓缩池。

所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂，通过H2SO4药剂进行PH调节，搅拌池内部设置搅拌器，使反应更均匀；集液池与搅拌池之间顶部溢流连接，集液池内部设置有穿孔曝气管，曝气强度为2m³/m².h，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。

砂滤器为深度处理的主体设备，用于对出水进一步处理，保证废水长期稳定达标排放，通过砂滤层过滤吸附，进一步去除有机物和悬浮物，砂滤器反冲洗采用气水反洗，砂滤器的气洗口与压缩空气连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池Ⅱ连接、排污口通过管道与综合废水调节池Ⅱ连接。

本专利申请还设置有工控机，所述工控机与液位计、PH控制仪、ORP检测仪连接，用于感知调节池Ⅰ、调节池Ⅱ、事故池Ⅰ、事故池Ⅱ以及集水池的高度，和捕捉池、调整池Ⅰ内的PH值以及破络池内部的氧化还原电位；所述工控机还与提升泵、水阀连接，控制水体输送；工控机与加药单元连接，控制向凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池、搅拌池内分别加入PAC、NAOH、重金属捕捉剂、PAM药剂、H2SO4药剂，还控制向调整池Ⅰ破络池内添加硫酸和次氯酸钠；所述工控机还与搅拌器连接，保证药剂的化学反应更充分；所述工控机还与刮泥板连接，防止长时间后有淤泥堆积。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型；对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (8)

1.集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，包括：含络离子处理模块和含铜离子处理模块，其特征在于：所述含络离子处理模块与含铜离子处理模块通过管道连接，水体先经过含络离子处理后进行含铜离子处理；所述含络离子处理模块包括有：调节池Ⅰ、调整池Ⅰ、破络池，调节池Ⅰ经管道与调整池Ⅰ连接，调整池Ⅰ与破络池相邻并底部溢流，调整池Ⅰ通过管道与H2SO4药剂池相连，破络池通过管道与次氯酸钠药剂池相连，破络池还通过管道接入含铜离子处理模块入水口；所述含铜离子处理模块包括：调节池Ⅱ、凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池、沉淀池、集水池以及滤砂器，所述调节池Ⅱ入水口处有倾斜的格栅井；所述调节池Ⅱ经过管道与凝聚池连接，所述凝聚池与调整池Ⅱ之间底部相通，所述调整池Ⅱ与捕捉池顶部溢流相通，所述捕捉池与助凝池之间底部相通，所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池分别通过管道与PAC、NAOH、重金属捕捉剂、PAM药剂池连接；助凝池通过管道与沉淀池连接，所属沉淀池内部设置有刮泥机，沉淀池上部溢流口通过管道接集水池，沉淀池底部通过管道接污泥浓缩池；所述集水池内部被溢流板分为搅拌池和集液池，搅拌池通过管道连接H2SO4药剂，搅拌池内部设置搅拌器，集液池通过管道与砂滤器连接。

2.根据权利要求1所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：所述调节池Ⅰ为封闭结构，调节池Ⅰ侧面为独立的、密封的事故池Ⅰ，调节池Ⅰ和事故池Ⅰ内部都设置有穿孔曝气管和液位计，调节池Ⅰ、事故池Ⅰ通过各自的分支管道并入到主管道，利用主管道接入调整池Ⅰ，各自的分支管道上都设置有提升泵，主管道上还设置有流量计。

3.根据权利要求1所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：调整池Ⅰ内部设置有PH控制仪和搅拌器，破络池内部也设置有搅拌器，且破络池内部还设置有ORP检测仪。

4.根据权利要求1所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：所述调节池Ⅱ为封闭结构，且调节池Ⅱ侧面为独立的、密封的事故池Ⅱ，调节池Ⅱ和事故池Ⅱ内部都设置有穿孔曝气管。

5.根据权利要求4所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：调节池Ⅱ上引出有至少两个分支管道，经过提升泵汇总到主管道上，事故池Ⅱ也是通过分支管道汇总于上述主管道上，利用主管道实现调节池Ⅱ、事故池Ⅱ的废水输送；主管道上设置有流量计。

6.根据权利要求1所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：所述凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池依次并列，凝聚池、调整池Ⅱ、捕捉池、助凝池内部分别设置有独立的搅拌器，所述捕捉池内部还设置有PH控制仪。

7.根据权利要求1所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：所述集液池内部设置有穿孔曝气管，所述集液池内部置入多个分流管，分流管经提升泵汇总到主流管，经主流管进行再次分流分配给多个并列的砂滤器。

8.根据权利要求7所述的集成电路行业的含络铜离子废水处理系统，其特征在于：砂滤器的气洗口与压缩空气连接、反洗进水口与反洗水泵连接、反洗出水口与调节池Ⅱ连接、排污口通过管道与综合废水调节池Ⅱ连接。