CN206742655U - 一种高功率半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体激光器制造技术领域,尤其是一种高功率半导体激光器,包括外壳体和内壳体,外壳体套设在内壳体外部,外壳体的一端设有激光头,内壳体内部固定安装有线路板,线路板上设有芯片,内壳体上下两侧对应芯片的位置均垂直设有若干散热,外壳体位于激光头的一侧并对应散热片的位置开设有散热孔,散热孔与若干散热片之间的间隙相连通,外壳体另一端固定设有散热风机,散热风机与若干散热片之间的间隙相连通。本实用新型可以通将芯片产生的热量传递给散热片,对散热片进行散热,从而有效降低芯片的工作温度,使得更加稳定可靠,并且结构简单,成本低。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体激光器制造技术领域,尤其涉及一种高功率半导体激光器。
背景技术
半导体激光器又称激光二极管, 是用半导体材料作为工作物质的激光器。随着半导体激光器输出功率、电光转换效率、可靠性和性能稳定性的不断提高、半导体激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面的应用更加广泛,市场需求巨大,发展前景更加广阔, 半导体激光器的性能不仅仅受到芯片性能的制约,同时也受散热性能的影响,为了提高激光器的可靠性和稳定性,半导体激光器拥有高效的散热结构是必须的。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高功率半导体激光器。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
设计一种高功率半导体激光器,包括外壳体和内壳体,所述外壳体套设在内壳体外部,并且所述内壳体与外壳体上下均留有间距,所述外壳体的一端设有激光头,所述激光头与内壳体相连通,所述内壳体内部固定安装有线路板,所述线路板上设有芯片,所述内壳体上下两侧对应芯片的位置均垂直设有若干散热片,若干所述散热片沿外壳体长度方向设置,并且若干所述散热片与外壳体的内壁相连接,所述外壳体位于激光头的一端并对应散热片的位置开设有散热孔,所述散热孔分布在激光头上下两侧,并且所述散热孔与若干所述散热片之间的间隙相连通,所述外壳体远离激光头的一端固定设有散热风机,所述散热风机与若干散热片之间的间隙相连通。
优选的,所述内壳体为密封结构。
优选的,所述芯片紧贴所述内壳体的内壁上。
优选的,所述线路板通过导线与外部设备相连接。
优选的,所述外壳体外部设有控制开关,所述控制开关通过导线与线路板相连接。
本实用新型提出的一种高功率半导体激光器,有益效果在于:本实用新型可以通过内壳体将芯片产生的热量传递给散热片,再通过对散热片进行散热,从而有效降低芯片的工作温度,使得高功率半导体激光器更加稳定,延长了使用寿命,并且结构简单,成本低。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种高功率半导体激光器的结构示意图;
图2为本实用新型图1的A-A剖视结构示意图。
图中:外壳体1、内壳体2、线路板3、散热片4、激光头5、芯片6、散热孔7、散热风机8。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种高功率半导体激光器,包括外壳体1和内壳体2,外壳体1套设在内壳体2外部,并且内壳体2与外壳体1上下均留有间距,壳体2与外壳体1之间的间距更加有利于散热,内壳体2为密封结构,密封结构确保了在散热的同时不会影响线路板3内部原件的正常工作,也防止了线路板3受潮,影响高功率半导体激光器使用寿命。
外壳体1的一端设有激光头5,激光头5与内壳体2相连通,内壳体2内部固定安装有线路板3,线路板3通过导线与外部设备相连接,线路板3上设有芯片6,芯片6紧贴内壳体2的内壁上,这样更加有利于芯片6工作时产生的热量传递到散热片4上。
内壳体2上下两侧对应芯片6的位置均垂直设有若干散热片4,若干散热片4沿外壳体1长度方向设置,并且若干散热片4与外壳体1的内壁相连接,外壳体1位于激光头5的一端并对应散热片4的位置开设有散热孔7,散热孔7分布在激光头5上下两侧,并且散热孔7与若干散热片4之间的间隙相连通,外壳体1远离激光头5的一端固定设有散热风机8,散热风机8与若干散热片4之间的间隙相连通,高功率半导体激光器工作时,通过散热风机8向外壳体1内部吹冷风,冷风通过散热片4之间的间隙,将芯片6工作时产生的热量带走,从而实现了芯片6的降温,确保了芯片6工作的稳定性。
外壳体1外部设有控制开关,控制开关通过导线与线路板3相连接,控制开关控制高功率半导体激光器的工作情况。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种高功率半导体激光器,包括外壳体(1)和内壳体(2),所述外壳体(1)套设在内壳体(2)外部,并且所述内壳体(2)与外壳体(1)上下均留有间距,所述外壳体(1)的一端设有激光头(5),所述激光头(5)与内壳体(2)相连通,所述内壳体(2)内部固定安装有线路板(3),所述线路板(3)上设有芯片(6),其特征在于,所述内壳体(2)上下两侧对应芯片(6)的位置均垂直设有若干散热片(4),若干所述散热片(4)沿外壳体(1)长度方向设置,并且若干所述散热片(4)与外壳体(1)的内壁相连接,所述外壳体(1)位于激光头(5)的一端并对应散热片(4)的位置开设有散热孔(7),所述散热孔(7)分布在激光头(5)上下两侧,并且所述散热孔(7)与若干所述散热片(4)之间的间隙相连通,所述外壳体(1)远离激光头(5)的一端固定设有散热风机(8),所述散热风机(8)与若干散热片(4)之间的间隙相连通。
2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于,所述内壳体(2)为密封结构。
3.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于,所述芯片(6)紧贴所述内壳体(2)的内壁上。
4.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于,所述线路板(3)通过导线与外部设备相连接。
5.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器,其特征在于,所述外壳体(1)外部设有控制开关,所述控制开关通过导线与线路板(3)相连接。
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