CN206650585U - 一种高频变压器的变换电路结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高频变压器的变换电路结构,包括方波发生电路、谐振电路和整流输出电路,所述方波发生电路包括直流电源U,所述直流电源U的正负极两端均连接有一个谐振开关管Q,所述谐振开关管Q由MOSFET管M、二极管LED和寄生电容C并联组成,该新型设计的电路变换结构,方波产生电路可以是半桥结构,通过高低端开关管的交替导通,将直流输入转换为方波,两个谐振开关管采用固定死区的互补调频控制方式来进行控制,用于防止高低端开关管同时导通,方波馈入谐振网络后,电流波形和电压波形将产生相位差,开关损耗为流过开关管的电流与其源漏极两端的电压乘积,两个谐振开关管在电流流过体二极管时开启,开启电压很低,所以损耗很小。
Description
技术领域
本实用新型涉及高频变压器技术领域,具体为一种高频变压器的变换电路结构。
背景技术
电力电子变压器是一种新型变压器,采用了大功率电力电子元器件及其控制技术,实现了电力系统中电压变换和能量传递等功能。传统电力变压器只能实现电压变换和电气隔离,而电力电子变压器可以灵活调整输入电流、输出电压以及输入功率因数。
目前对电力电子变压器的研究处于初级阶段,随着开关电源技术的不断发展,电源装置向小型化、轻量化方向发展,电源的开关频率也逐渐高频化,但在传统硬开关方式下将使开关损耗增加,影响效率。高频变压器的设计不合理或者制作工艺的不足等问题致使开关电源损耗过大,输出电压不稳定,发热量过大,甚至导致开关电源损坏等情况频繁出现。因此设计一种一种高频变压器的变换电路结构来解决这些问题。
实用新型内容
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高频变压器的变换电路结构,包括方波发生电路、谐振电路和整流输出电路,所述方波发生电路包括直流电源U,所述直流电源U的正负极两端均连接有一个谐振开关管Q,所述谐振开关管Q由MOSFET管M、二极管LED和寄生电容C并联组成;
所述谐振电路包括谐振电容Cr, 两个所述谐振开关管Q的输出端连接于谐振电容Cr的输入端,所述谐振电容Cr的输出端连接有谐振电感Lr,所述直流电源U的负极接地,并且连接有激磁电感Lm,所述激磁电感Lm与谐振电感Lr串接,所述激磁电感Lm两端并联有变压器T;
所述整流输出电路包括输出电容C0和负载R0,所述电容C0和负载R0并联,所述电容C0并联有全桥整流二极管VD1、全桥整流二极管VD2、全桥整流二极管VD3和全桥整流二极管VD4,所述全桥整流二极管VD1的负极连接于全桥整流二极管VD2的负极,所述全桥整流二极管VD2的正极连接于全桥整流二极管VD3的负极,所述全桥整流二极管VD3的正极连接于全桥整流二极管VD4的正极,所述全桥整流二极管VD4的负极连接于全桥整流二极管VD1的正极,所述变压器T的输出端分别连接全桥整流二极管VD1与全桥整流二极管VD4之间以及全桥整流二极管VD2与全桥整流二极管VD3之间,所述全桥整流二极管VD4和全桥整流二极管VD3的正极接地。
优选的,所述谐振开关管Q的占空比为0.5。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该新型设计的电路变换结构,方波产生电路可以是半桥结构,通过高低端开关管的交替导通,将直流输入转换为方波,两个谐振开关管采用固定死区的互补调频控制方式来进行控制,用于防止高低端开关管同时导通,方波馈入谐振网络后,电流波形和电压波形将产生相位差,开关损耗为流过开关管的电流与其源漏极两端的电压乘积,两个谐振开关管在电流流过体二极管时开启,开启电压很低,所以损耗很小。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例:
请参阅图1,本实用新型提供一种技术方案:一种高频变压器的变换电路结构,包括方波发生电路、谐振电路和整流输出电路,所述方波发生电路包括直流电源U,所述直流电源U的正负极两端均连接有一个谐振开关管Q,所述谐振开关管Q由MOSFET管M、二极管LED和寄生电容C并联组成;
所述谐振电路包括谐振电容Cr, 两个所述谐振开关管Q的输出端连接于谐振电容Cr的输入端,所述谐振电容Cr的输出端连接有谐振电感Lr,所述直流电源U的负极接地,并且连接有激磁电感Lm,所述激磁电感Lm与谐振电感Lr串接,所述激磁电感Lm两端并联有变压器T;
所述整流输出电路包括输出电容C0和负载R0,所述电容C0和负载R0并联,所述电容C0并联有全桥整流二极管VD1、全桥整流二极管VD2、全桥整流二极管VD3和全桥整流二极管VD4,所述全桥整流二极管VD1的负极连接于全桥整流二极管VD2的负极,所述全桥整流二极管VD2的正极连接于全桥整流二极管VD3的负极,所述全桥整流二极管VD3的正极连接于全桥整流二极管VD4的正极,所述全桥整流二极管VD4的负极连接于全桥整流二极管VD1的正极,所述变压器T的输出端分别连接全桥整流二极管VD1与全桥整流二极管VD4之间以及全桥整流二极管VD2与全桥整流二极管VD3之间,所述全桥整流二极管VD4和全桥整流二极管VD3的正极接地;所述谐振开关管Q的占空比为0.5。
该新型设计的电路变换结构,方波产生电路可以是半桥结构,通过高低端开关管的交替导通,将直流输入转换为方波,两个谐振开关管采用固定死区的互补调频控制方式来进行控制,用于防止高低端开关管同时导通,方波馈入谐振网络后,电流波形和电压波形将产生相位差,开关损耗为流过开关管的电流与其源漏极两端的电压乘积,两个谐振开关管在电流流过体二极管时开启,开启电压很低,所以损耗很小。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (2)
1.一种高频变压器的变换电路结构,其特征在于:包括方波发生电路、谐振电路和整流输出电路,所述方波发生电路包括直流电源U,所述直流电源U的正负极两端均连接有一个谐振开关管Q,所述谐振开关管Q由MOSFET管M、二极管LED和寄生电容C并联组成;
所述谐振电路包括谐振电容Cr, 两个所述谐振开关管Q的输出端连接于谐振电容Cr的输入端,所述谐振电容Cr的输出端连接有谐振电感Lr,所述直流电源U的负极接地,并且连接有激磁电感Lm,所述激磁电感Lm与谐振电感Lr串接,所述激磁电感Lm两端并联有变压器T;
所述整流输出电路包括输出电容C0和负载R0,所述电容C0和负载R0并联,所述电容C0并联有全桥整流二极管VD1、全桥整流二极管VD2、全桥整流二极管VD3和全桥整流二极管VD4,所述全桥整流二极管VD1的负极连接于全桥整流二极管VD2的负极,所述全桥整流二极管VD2的正极连接于全桥整流二极管VD3的负极,所述全桥整流二极管VD3的正极连接于全桥整流二极管VD4的正极,所述全桥整流二极管VD4的负极连接于全桥整流二极管VD1的正极,所述变压器T的输出端分别连接全桥整流二极管VD1与全桥整流二极管VD4之间以及全桥整流二极管VD2与全桥整流二极管VD3之间,所述全桥整流二极管VD4和全桥整流二极管VD3的正极接地。
2.根据权利要求1所述的一种高频变压器的变换电路结构,其特征在于:所述谐振开关管Q的占空比为0.5。
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CN206650585U true CN206650585U (zh) | 2017-11-17 |
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Cited By (2)
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CN111884516A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-03 | 深圳市航嘉驰源电气股份有限公司 | 频率控制芯片及开关电源 |
CN111884517A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-03 | 深圳市航嘉驰源电气股份有限公司 | 控制芯片及开关电源 |
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