CN206595046U - 银纳米线透明导电薄膜 - Google Patents

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操芳芳
金良茂
汤永康
王东
曹欣
马立云
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Bengbu Glass Industry Design and Research Institute
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Abstract

本实用新型公开银纳米线透明导电薄膜，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm；聚酯改性丙烯酸树脂层可以大大增强透明导电薄膜的附着力；同时，TiO2自洁膜层与银纳米线膜层中的银形成Ag‑Ti键的结构，这可以增强银纳米线间的有效连接，从而有利于其导电性的提高；另外，由于聚酯改性丙烯酸树脂层与TiO2自洁膜层的存在，使得银纳米线膜层在基底平铺的更加均匀，所以尽管相对于传统银纳米线薄膜本导电薄膜厚度有所增加，但可见光透过率反而增强。

Description

银纳米线透明导电薄膜
技术领域
本实用新型涉及透明导电薄膜技术领域，具体是一种银纳米线透明导电薄膜。
背景技术
透明导电薄膜是指对波长范围在380 ～780nm 之间的可见光的透过率大于80%、电阻率低于10-3Ω•cm的薄膜。氧化铟锡(ITO)是最常见的透明导电薄膜，但是由于铟材料的稀有性、ITO材料力学性能差、ITO 成膜过程中材料利用率低等诸多问题与不足，加速了ITO替代材料的研究。
金属银具有良好的导热导电性，纳米线网络对光具有一定的透过率，这使得银纳米线(AgNW)被认为是ITO膜的优良替代材料。但是目前制备的AgNW薄膜面临的难题是附着力差、可见光透过率不理想，从而限制了其大规模生产应用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供银纳米线透明导电薄膜，该薄膜附着力增大、导电性提高且可见光透过率增强。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
银纳米线透明导电薄膜，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。
进一步的，所述聚酯改性丙烯酸树脂层的厚度为50～300nm。
进一步的，所述TiO2自洁膜层的厚度为50～300nm。
进一步的，所述银纳米线膜层的厚度为120～500nm。
本实用新型的有益效果是，在基底上镀银纳米线膜层之前，依次镀聚酯改性丙烯酸树脂层与TiO2自洁膜层，聚酯改性丙烯酸树脂层可以大大增强透明导电薄膜的附着力；同时，TiO2自洁膜层与银纳米线膜层中的银形成Ag-Ti键的结构，这可以增强银纳米线间的有效连接，从而有利于其导电性的提高；另外，由于聚酯改性丙烯酸树脂层与TiO2自洁膜层的存在，使得银纳米线膜层在基底平铺的更加均匀，所以尽管相对于传统银纳米线薄膜本导电薄膜厚度有所增加，但可见光透过率反而增强。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型提供银纳米线透明导电薄膜，包括基底1，基底1表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层2、TiO2自洁膜层3与银纳米线膜层4；基底1可采用玻璃或PET等常规材质基底，聚酯改性丙烯酸树脂层2可采用鹤山市科鼎功能材料有限公司的AD7582多功能改质树脂，TiO2自洁膜层3的接触角<5°，银纳米线膜层4的银线长度为50～200μm。
作为优选的，聚酯改性丙烯酸树脂层2的厚度为50～300nm，TiO2自洁膜层3的厚度为50～300nm，银纳米线膜层4的厚度为120～500nm。
所有膜层均可利用浸渍提拉法、旋涂法以及刮涂法完成。
针对现有银纳米线透明导电薄膜附着力低、导电性不佳、可见光透过率不理想的难题，通过在基底上依次设置聚酯改性丙烯酸树脂层2、TiO2自洁膜层3与银纳米线膜层4，从而有效提高银纳米线透明导电薄膜的附着力及导电性，且可见光透过率不降反升。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

Claims (4)

1.银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。
2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述聚酯改性丙烯酸树脂层的厚度为50～300nm。
3.根据权利要求1或2所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述TiO2自洁膜层的厚度为50～300nm。
4.根据权利要求3所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线膜层的厚度为120～500nm。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114005603A (zh) * 2021-11-02 2022-02-01 合肥工业大学智能制造技术研究院 一种提高纳米银薄膜导电性的方法

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