CN206564541U - 一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路 - Google Patents

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CN206564541U CN201720251722.3U CN201720251722U CN206564541U CN 206564541 U CN206564541 U CN 206564541U CN 201720251722 U CN201720251722 U CN 201720251722U CN 206564541 U CN206564541 U CN 206564541U
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付承彪
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Abstract

本实用新型公开了一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,包括主晶闸管,与所述主晶闸管并联的RC阻容吸收电路和充电电容,所述RC阻容吸收电路包括串联的阻容吸收电阻和阻容吸收电容,所述RC阻容吸收电路与所述充电电容串联后并联在所述主晶闸管两端,所述充电电容并联有第一、第二极性保护二极管,所述第一极性保护二极管负极连接所述充电电容负向输出端,其正极连接所述第二极性保护二极管的负极,所述第二极性保护二极管的正极连接所述充电电容正向输出端,所述RC阻容吸收电路连接于所述第一极性保护二极管正极,保证在主晶闸管处于正向导通状态时,维持充电电压两端电压。

Description

一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路
技术领域
本实用新型涉及晶闸管触发技术领域,尤其是一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路。
背景技术
为了实现精确、快速的稳定控制,核心功率器件的同步触发技术是十分重要的。然而,传统的触发电路由于电气隔离问题不能很好地应用于中高压系统。目前,静止无功补偿技术应用于中高压系统时,其核心功率器件(晶闸管)一般采用串联分压技术组成晶闸管阀组接入系统,而其触发控制系统属于低压弱电系统,必须通过高低压电气隔离技术实现触发脉冲信号的长距离传输,解决高低压电气隔离和电磁干扰问题。
国家知识产权局于2014年1月8日授权公告的实用新型专利CN203387191U《用于高压无功补偿装置的高位取能与光纤触发系统》就公开了一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,但是其中的高位取能电路存在不能保证充电电源在正负半波都可靠工作的问题,因为晶闸管处于导通状态时,其两端电压只有2V左右,无法继续给电容充电,影响了光纤接收器和脉冲放大电路供电稳定性,进而影响了整个晶闸管光纤触发电路的稳定性。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提供一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路。
一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,包括正负两路充电电路,所述正、负充电电路包括主晶闸管,与所述主晶闸管并联的RC阻容吸收电路和充电电容,所述RC阻容吸收电路包括串联的阻容吸收电阻和阻容吸收电容,所述RC阻容吸收电路与所述充电电容串联后并联在所述主晶闸管两端,所述充电电容并联有第一、第二极性保护二极管,所述第一极性保护二极管负极连接所述充电电容负向输出端,其正极连接所述第二极性保护二极管的负极,所述第二极性保护二极管的正极连接所述充电电容正向输出端,所述RC阻容吸收电路连接于所述第一极性保护二极管正极;所述第一极性保护二极管并联有电压维持电路,所述电压维持电路包括维持晶闸管、第一维持电阻、第二维持电阻、维持电容和稳压二极管,所述维持晶闸管与所述第一极性保护二极管并联,其控制端通过所述第一维持电阻、并联后的所述维持电容和所述第二维持电阻连接至所述充电电容负向输出端,所述第二维持电阻通过所述稳压二极管连接至所述第二极性保护二极管的负极。
进一步的,所述充电电容容值选用2.2μF;所述阻容吸收电阻阻值选用25Ω;所述阻容吸收电容容值选用0.22μF。
本实用新型的有益效果:改进后的高位取能电路,采用正负两路充电电路,省去电流互感器,降低触发电路成本。当主晶闸管处于正向阻断时,电路通过RC阻容吸收电路和第二极性保护二极管向充电电容充电,当充电电容电压超过稳压二极管的限压值,稳压二极管VD3就会击穿,触发维持晶闸管导通,从而在主晶闸管处于正向导通状态时,维持充电电压两端电压,不至于影响光纤接收器和脉冲放大电路的正常供电。
附图说明
图1为充电电路示意图;
图2为充电电容两端电压实测图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
实施例1
一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,包括正负两路充电电路,所述正、负充电电路包括主晶闸管VTH1,与所述主晶闸管VTH1并联的RC阻容吸收电路和充电电容C1,所述RC阻容吸收电路包括串联的阻容吸收电阻Rg和阻容吸收电容Cg,所述RC阻容吸收电路与所述充电电容C1串联后并联在所述主晶闸管VTH1两端,所述充电电容C1并联有第一、第二极性保护二极管,所述第一极性保护二极管VD1负极连接所述充电电容C1负向输出端,其正极连接所述第二极性保护二极管VD2的负极,所述第二极性保护二极管VD2的正极连接所述充电电容C1正向输出端,所述RC阻容吸收电路连接于所述第一极性保护二极管VD1正极;所述第一极性保护二极管VD1并联有电压维持电路,所述电压维持电路包括维持晶闸管VTH2、第一维持电阻R1、第二维持电阻R2、维持电容C2和稳压二极管VD3,所述维持晶闸管VTH2与所述第一极性保护二极管VD1并联,其控制端通过所述第一维持电阻R1、并联后的所述维持电容C2和所述第二维持电阻VD2连接至所述充电电容C1负向输出端,所述第二维持电阻R2通过所述稳压二极管VD3连接至所述第二极性保护二极管VD2的负极。图1给出了承受正向电压晶闸管的充电电路。
改进后的高位取能电路,采用正负两路充电电路,省去电流互感器,降低触发电路成本。当主晶闸管VTH1处于正向阻断时,电路通过RC阻容吸收电路和第二极性保护二极管VD2向充电电容C1充电,当充电电容C1电压超过稳压二极管VD3的限压值,稳压二极管VD3就会击穿,触发维持晶闸管VTH2导通,从而在主晶闸管VTH1处于正向导通状态时,维持充电电压C1两端电压,不至于影响光纤接收器和脉冲放大电路的正常供电。
维持晶闸管选择常用的1200V/100A晶闸管,额定门极电流80mA,门极电压为1.8V。为了维持晶闸管均能可靠触发,这里门极触发脉冲电流为200mA,触发脉冲宽度为40μs,从而可得维持晶闸管触发需要的电量为Q=200×10-3×40×10-6=8×10-6(C),充电电容存储的能量设计为晶闸管触发能量的3倍,从而充电电容的容值为C1=3Q/U=3×8×10-6/12=2(μF),故充电电容容值选用2.2μF。
当阻容吸收电阻阻值选用25Ω,阻容吸收电容容值选用0.22μF时,充电电容两端实测电压波形如图2所示,可以看出获得的直流电源不仅达到了设计的幅值,而且具有很好的稳定性和较小的波纹系数,完全能够满足触发电路的要求。
显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都应属于本实用新型保护的范围。

Claims (4)

1.一种用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,其特征在于:包括正负两路充电电路,所述正、负充电电路包括主晶闸管,与所述主晶闸管并联的RC阻容吸收电路和充电电容,所述RC阻容吸收电路包括串联的阻容吸收电阻和阻容吸收电容,所述RC阻容吸收电路与所述充电电容串联后并联在所述主晶闸管两端,所述充电电容并联有第一、第二极性保护二极管,所述第一极性保护二极管负极连接所述充电电容负向输出端,其正极连接所述第二极性保护二极管的负极,所述第二极性保护二极管的正极连接所述充电电容正向输出端,所述RC阻容吸收电路连接于所述第一极性保护二极管正极;
所述第一极性保护二极管并联有电压维持电路,所述电压维持电路包括维持晶闸管、第一维持电阻、第二维持电阻、维持电容和稳压二极管,所述维持晶闸管与所述第一极性保护二极管并联,其控制端通过所述第一维持电阻、并联后的所述维持电容和所述第二维持电阻连接至所述充电电容负向输出端,所述第二维持电阻通过所述稳压二极管连接至所述第二极性保护二极管的负极。
2.根据权利要求1所述用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,其特征在于:所述充电电容容值选用2.2μF。
3.根据权利要求1所述用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,其特征在于:所述阻容吸收电阻阻值选用25Ω。
4.根据权利要求1所述用于晶闸管光纤触发电路的高位取能电路,其特征在于:所述阻容吸收电容容值选用0.22μF。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107809180A (zh) * 2017-09-29 2018-03-16 武汉船舶通信研究所(中国船舶重工集团公司第七二二研究所) 一种晶闸管高位取能触发电路
CN108718077A (zh) * 2018-05-25 2018-10-30 湖南省湘电试验研究院有限公司 一种高压晶闸管触发控制与状态监测装置及其应用方法

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