CN107809180A - 一种晶闸管高位取能触发电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶闸管高位取能触发电路，属于电路技术领域。晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块。所述晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块；所述高位取能电路用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路和所述光纤收模块供电；所述光纤收模块用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至所述触发电路；所述触发电路用于根据所述光纤收模块传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

Description

一种晶闸管高位取能触发电路

技术领域

本发明涉及电路技术领域，特别涉及一种晶闸管高位取能触发电路。

背景技术

极低频对潜通信是利用极低频无线电波进行远距离、大深度信号传输的一种通信方式。由于极低频对潜通信系统所使用的天线辐射效率较低，当进行远距离、大深度通信时，发信机需要几兆瓦的功率输出。

极低频对潜通信系统采用三相整流电源作为发信机的电源，三相整流电源包括应用将三相交流电变为直流电的三相可控整流电路，三相可控整流电路通过控制触发角a的大小来控制输出电压大小，三相可控整流电路包括晶闸管、触发电路、高位取能电路和RC吸收回路。触发电路通过在晶闸管门极G2和阴极K2之间施加正向电压控制晶闸管的导通，实现晶闸管的可控整流，触发电路的电源通过高位取能电路从晶闸管阳极取得，RC吸收回路通过在晶闸管上并联吸收电容，依靠吸收电容两端电压不能突变来限制电压上升率，这样既避免使用高耐压变压器所带来的高成本，又实现了电气隔离，避免了触发信号受到干扰，确保晶闸管的安全。

目前，高位取能电路包括储能电容、开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路控制开关的导通来向储能电容充电。

晶闸管的高位取能电路设计较为复杂，且高位取能电路从晶闸管阳极取能，无法触发大容量晶闸管，从而导致无法应用于极低频对潜通信领域。

发明内容

为了解决现有技术中晶闸管的高位取能电路设计较为复杂，且高位取能电路从晶闸管阳极取能，无法触发大容量晶闸管，从而导致无法应用于极低频对潜通信领域的问题，本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路，所述晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块；

所述高位取能电路用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路和所述光纤收模块供电；

所述光纤收模块用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至所述触发电路；

所述触发电路用于根据所述光纤收模块传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

其中，所述高位取能电路的输入端包括两个输入端子，所述高位取能电路的两个输入端子与所述RC吸收回路上的吸收电容并联，所述高位取能电路还包括二极管D1、稳压二极管V1、电阻R1、电容C1、电阻R2、晶闸管T1、整流二极管D2、电感L1、电解电容C3、电解电容C4和电感L2，所述二极管D1连接在所述高位取能电路的两个输入端子之间，所述二极管D1的正极与插座J1的端子HK2电连接，所述二极管D1的负极与所述插座J1的端子HK1电连接，所述稳压二极管V1的负极与所述二极管D1的负极电连接，所述稳压二极管V1的正极与所述电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极电连接，所述电容C1与所述电阻R1并联，所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管V1的正极和所述电阻R1之间，所述电阻R2的另一端与所述晶闸管T1的门极电连接，所述晶闸管T1的阳极与二所述极管D1的负极电连接，所述晶闸管T1的阴极与所述二极管D1的正极电连接，所述整流二极管D2的正极与所述二极管D1的负极电连接，所述整流二极管D2的负极与所述电感L1的一端电连接，所述电感L1的另一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电解电容C3的负极与所述二极管D1的正极电连接，所述电感L2的一端连接在所述整流二极管D2的负极和所述电感L1之间，所述电感L2的另一端与所述电解电容C4的正极电连接，所述电解电容C4的负极与所述电解电容C3的负极电连接。

其中，所述触发电路包括电阻R8、电解电容CD、电容C5、稳压二极管V3、电阻R4、三极管T2、电容C2、三极管T3、二极管D5、电阻R6、电阻R23、三极管VT1、并联电阻R27和2R27、二极管V2、三极管VT2、二极管D4、电阻R24、二极管D3及二极管D4，所述电阻R8的一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电阻R8的另一端与所述电解电容CD的正极电连接，所述电解电容CD的负极与晶闸管的阴极K2以及所述插座J1的端子HK2相连电连接，所述电容C5并联在所述电解电容CD的两端，所述电解电容CD的正极与所述光纤收模块的电源正极以及所述稳压二极管V3的正极电连接，所述稳压二极管V3的负极与所述晶闸管的阴极K2电连接，所述电阻R4的一端与所述稳压二极管V3的正极电连接，所述电阻R4的另一端与所述三极管T2的集电极电连接，所述三极管T2的基极与所述光纤收模块的信号端电连接，所述电容C2并联在所述光纤收模块的信号端和接地端之间，所述三极管T2的发射极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的基极与所述电阻R4的另一端电连接，所述三极管T3的发射极与所述二极管D5的正极电连接，所述二极管D5的负极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的集电极与所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R6的另一端与所述电阻R23的一端电连接，所述稳压二极管V2的正极和所述三极管VT1的基极电连接，所述电阻R23的另一端与所述二极管V2的负极以及所述电解电容C4的正极电连接，所述并联电阻R27和2R27电连接在所述电解电容C4的正极和所述三极管VT1的发射极之间，所述三极管VT1的集电极同时与所述三极管VT2的基极、所述二极管D4的负极和所述电阻R24的一端电连接，所述三极管VT2的集电极与所述三极管VT1的发射极电连接，所述三极管VT2的发射极与所述二极管D3的正极以及所述二极管D4的正极电连接，所述二极管D3的负极与所述晶闸管的基极G2电连接。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述三极管VT1为PNP型三极管，所述三极管VT2、所述三极管T2和所述三极管T3均为NPN型三极管。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述二极管D1为MUR16100E型二极管。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述晶闸管T1为S1217NH型晶体管。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述电感L1的大小为3uH，所述电感L2的大小为30uH。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述电容C3、C4的大小为22uF。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述三极管T2和所述三极管T3为S8050型三极管。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述三极管VT1为2SB1414型三极管。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述三极管VT2为2N4150型三极管。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路，该晶闸管高位取能触发电路中，高位取能电路通过从RC吸收回路取能对触发电路和光纤收模块进行供电，电路设计较为简单，且体积小，成本较低。同时，通过从RC吸收回路取能可以实现对大容量晶闸管的触发，从而满足极低频对潜通信领域对于晶闸管触发电路的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的电路图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的结构示意图，参见图1，晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路100、触发电路200和光纤收模块300。其中，高位取能电路100的输入端与RC吸收回路电连接，高位取能电路100的输出端与触发电路200的输入端电连接，触发电路200的控制端与光纤收模块300的输出端电连接，触发电路200的输出端与晶闸管电连接。

所述高位取能电路100用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路200和所述光纤收模块300供电；所述光纤收模块300用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至触发电路200；所述触发电路200用于根据所述光纤收模块300传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

其中，激励光信号由控制箱发出，控制箱通过产生激励光信号给光纤收模块300，实现对晶闸管的控制。

本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路，该晶闸管高位取能触发电路中，高位取能电路通过从RC吸收回路取能对触发电路和光纤收模块进行供电，电路设计较为简单，且体积小，成本较低。同时，通过从RC吸收回路取能可以实现对大容量晶闸管的触发，从而满足极低频对潜通信领域对于晶闸管触发电路的需求。

图2是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的结构示意图，参见图2，三相可控整流电路包括6个晶闸管，每个晶闸管都配置有一个独立的晶闸管高位取能触发电路(图2仅示出其中一个晶闸管高位取能触发电路)，各个晶闸管高位取能触发电路的结构相同。晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路100、触发电路200和光纤收模块300(图2未示出)，高位取能电路100连接在RC吸收回路10中吸收电容的两端，触发电路200连接在晶闸管10上。

图2所示的触发电路200的端子K2、G2，高位取能电路100的端子HK1、HK2等可以集成到一个插座上，从而便于触发电路200和高位取能电路100与晶闸管20连接。

图3是本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的电路图，参见图3，高位取能电路100的输入端包括两个输入端子，高位取能电路100的两个输入端子与RC吸收回路上的吸收电容并联，高位取能电路100包括二极管D1、稳压二极管V1、电阻R1、电容C1、电阻R2、晶闸管T1、整流二极管D2、电感L1、电解电容C3、电解电容C4和电感L2。二极管D1连接在所述高位取能电路的两个输入端子之间，二极管D1的正极与插座J1的端子HK2电连接，二极管D1的负极与插座J1的端子HK1电连接，稳压二极管V1的负极与所述二极管D1的负极电连接，稳压二极管V1的正极与电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与二极管D1的正极电连接，电容C1与所述电阻R1并联，电阻R2的一端连接在所述稳压二极管V1的正极和电阻R1之间，所述电阻R2的另一端与晶闸管T1的门极电连接，晶闸管T1的阳极与二极管D1的负极电连接，所述晶闸管T1的阴极与二极管D1的正极电连接，整流二极管D2的正极与二极管D1的负极电连接，所述整流二极管D2的负极与电感L1的一端电连接，所述电感L1的另一端与电解电容C3的正极电连接，所述电解电容C3的负极与所述二极管D1的正极电连接，所述电感L2的一端连接在所述整流二极管D2的负极和电感L1之间，所述电感L2的另一端与电解电容C4的正极电连接，电解电容C4的负极与电解电容C3的负极电连接。

再次参见图3，触发电路200由六个二极管和四个三极管和三个电容组成，具体地，触发电路200包括电阻R8、电解电容CD、电容C5、稳压二极管V3、电阻R4、三极管T2、电容C2、三极管T3、二极管D5、电阻R6、电阻R23、三极管VT1、并联电阻R27和2R27、二极管V2、三极管VT2、二极管D4、电阻R24、二极管D3、二极管D4。其中，电阻R8的一端与电解电容C3的正极电连接，电阻R8的另一端与电解电容CD的正极电连接，所述电解电容CD的负极与晶闸管的阴极K2以及插座J1的端子HK2相连电连接，电容C5并联在电解电容CD的两端，所述电解电容CD的正极与光纤收模块300的电源正极以及稳压二极管V3的正极电连接，所述稳压二极管V3的负极与晶闸管的阴极K2电连接，电阻R4的一端与所述稳压二极管V3的正极电连接，电阻R4的另一端与三极管T2的集电极电连接，三极管T2的基极与光纤收模块300的信号端电连接，电容C2并联在光纤收模块300的信号端和接地端之间，三极管T2的发射极与插座J1的端子HK2电连接，三极管T3的基极与电阻R4的另一端电连接，所述三极管T3的发射极与二极管D5的正极电连接，二极管D5的负极与插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的集电极与电阻R6的一端电连接，电阻R6的另一端与电阻R23的一端电连接，稳压二极管V2的正极和三极管VT1的基极电连接，电阻R23的另一端与二极管V2的负极以及电解电容C4的正极电连接，并联电阻R27和2R27电连接在电解电容C4的正极和三极管VT1的发射极之间，所述三极管VT1的集电极同时与三极管VT2的基极、二极管D4的负极和电阻R24的一端电连接，所述三极管VT2的集电极与所述三极管VT1的发射极电连接，所述三极管VT2的发射极与二极管D3的正极以及二极管D4的正极电连接，所述二极管D3的负极与晶闸管的基极G2电连接。

本发明实施例提供了一种晶闸管高位取能触发电路，其结构简单，体积小，成本较低。通过高位取能电路为触发电路提供一个稳定的直流电压，触发电路通过四级三极管为晶闸管提供驱动电流，实现了触发板电源与主电路的电气隔离，解决了触发电路在高电压、大电流环境下工作易受干扰的问题。本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路，有效解决触发板高位取能电路设计复杂，高电压、大电流条件下电气隔离度差，抗干扰能力弱的问题，实现晶闸管触发板小型化、简洁化、高效化。

在图3中，插座J1的端子HK1、HK2的作用是取能，插座J1的端子G2、K2的作用是接晶闸管，插座J1的端子RJK2的作用是接热耦。

进一步地，该高位取能电路100还包括并联电阻R5和2R5，并联电阻R5和2R5的一端连接在所述整流二极管D2的负极和电感L1之间，并联电阻R5和2R5的另一端与电感L2的一端电连接。

进一步地，晶闸管高位取能触发电路还可以包括保护电路，所述保护电路用于当温度过高时，向光纤收模块300发送切断触发光信号的光信号，以切断晶闸管。

具体地，保护电路包括光信号发射器F2、电容C6、二极管V4、电阻R3、电容C7和电容C8，二极管V4的正极与插座J1的端子RJK2电连接，二极管V4的负极与电阻R8的一端连接，电阻R3连接在电阻R8与二极管V4的负极之间，电容C6并联在二极管V4的两端，光信号发射器F2的两端子分别连接在电容C6的两端，电容C7的一端连接二极管V4的正极，电容C7的另一端连接插座J1的端子HK2，电容C8的一端连接二极管V4的正极和电容C7的一端之间，电容C8的另一端同时与电解电容CD的负极和电容C7的另一端连接。当温度过高时，RJK2变低电平，光发器F2发送一个光信号给光纤收模块300切断触发光信号。

在本发明实施例中，所述三极管VT1可以为PNP型三极管。

在本发明实施例中，三极管VT2、三极管T2和三极管T3均可以为NPN型三极管。

其中，PNP三极管VT1和NPN三极管VT2组成达林顿管，驱动能力较强。NPN型三极管T2和NPN型三极管T3构成同相放大电路，对光纤收模块300的输入驱动信号进行放大。

在本发明实施例中，二极管D1可以为MUR16100E型二极管。MUR16100E型二极管D1为快恢复整流二极管，最大整流电流16A，最大反向电压1000V，反向恢复时间短。

在本发明实施例中，晶闸管T1可以为S1217NH型晶体管。S1217NH型晶体管T1的作用是使电容C3、C4的电压保持稳压管V1的反向导通电压，选用S1217NH型晶体管能够满足这里的需求。

在本发明实施例中，电感L1的大小可以为3uH，电感L2的大小可以为30uH。电感L1和L2的作用是对交流信号进行隔离、滤波，电感的大小选取与电流大小有关，采用上述大小的电感L1、L2能够实现极低频对潜通信领域三相整流电源中晶闸管高位取能触发电路的需求。

在本发明实施例中，电容C3、C4的大小可以为22uF。电容C3、C4的大小与触发电路的电压有关，触发电路的电压为5V左右时，电容C3、C4的大小选用22uF。

在本发明实施例中，三极管T2、三极管T3可以为S8050型三极管。三极管T2、T3选取S8050的原因是，三极管T2、T3的基极发射极最大电压差可以达到5V，集电极发射极最大电压差可以达到25V，选用S8050型三极管能够满足这里的电压差的需求，且价格便宜。

在本发明实施例中，三极管VT1可以为2SB1414型三极管。三极管VT1选择2SB1414的原因是，三极管VT1的集电极发射极最大电压差可以达到-150V，集电极电流最大可达-1A，选用2SB1414型三极管能够满足这里的电压差及电流的需求，且价格便宜。

在本发明实施例中，三极管VT2可以为2N4150型三极管。三极管VT2选择2N4150的原因是，三极管VT2的集电极发射极最大电压差可以达到70V，集电极电流最大可达10A，选用2N4150型三极管能够满足这里的电压差及电流的需求，满足触发晶闸管的要求，且价格便宜。

对于本发明实施例的其他器件，可以根据实际需要进行选择，下面对其他器件的类型或者参数进行举例说明，但并不构成对本发明实施例的限制：

稳压二极管V1为1N4753型二极管，电阻R1的阻值为1kΩ，电阻R2的阻值为10Ω，电容C1的大小为0.01uF，整流二极管D2为1N4007型二极管，电阻R5、2R5的阻值均为5Ω，电阻R27、2R27的阻值均为10Ω，电阻R23的阻值为10kΩ，二极管V2为1N4735型二极管，二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6均为1N4007型二极管，电阻R24的阻值为1kΩ，电阻R23的阻值为10kΩ，电R6的阻值为3.6kΩ，电阻R4的阻值为1kΩ，稳压二极管V3为1N4733型二极管，电容C2的大小为100pF，电阻R8的阻值为3kΩ，电解电容CD的大小为47uF，电容C5的大小为0.1uF，电容C6、C7、C8的大小均为0.1uF，电阻R3的阻值为1kΩ，二极管V4为1N4727型二极管。

下面结合图3对本发明实施例提供的晶闸管高位取能触发电路的工作过程进行说明：

当电流通过插座J1的端子HK1正向流通时，由于稳压二级管V1的阻断作用，电流通过整流二极管D2正向流通，并不断向电容C3和C4充电，当电流逐渐增大时，加载在稳压二极管V1上的电压逐渐增大，当达到稳压二极管V1的反向导通电压时，稳压二极管V1导通，这时晶闸管T1随之导通，电流通过晶闸管T1流回端子HK2，电容C3和C4电压大小保持稳压二极管V1的反向导通电压，当加载在稳压二极管V1上的电压逐渐减小到反向导通电压以下时，晶闸管T1随之关断，电流通过整流二极管D2正向流通，当电流通过端子HK1和HK2反向流通时，电流直接通过二极管D1由HK2向HK1流通，通过上述过程，实现了通过高位取能电路获取一定电压幅值的直流电压，保证了触发电路的稳定工作。

激励信号经过光纤收模块进入三极管T2的基极，当三极管T2导通时，三极管T3的基极被拉为低电平，三极管T3关断，此时三极管VT1的基极为电容C4电压，三极管VT1导通，三极管VT2的基极通过电阻R24分压为高电平，三极管VT2导通，此时G2电压为电容C4电压；当三极管T2关断时，三极管T3的基极为高电平，三极管T3导通，此时三极管VT1的基极电压为电阻R6分压电压，三极管VT1关断，此时三极管VT2的基极为低电平，三极管VT2关断，晶闸管的基极G2电压为低电平。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述晶闸管高位取能触发电路包括高位取能电路、触发电路和光纤收模块；

所述高位取能电路用于从RC吸收回路的吸收电容上获取电信号，并采用获取到的电信号给所述触发电路和所述光纤收模块供电；

所述光纤收模块用于将接收到的激励光信号转化为电信号，并将转化得到的电信号传输至所述触发电路；

所述触发电路用于根据所述光纤收模块传输的电信号产生驱动信号，并采用所述驱动信号触发晶闸管。

2.根据权利要求1所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述高位取能电路的输入端包括两个输入端子，所述高位取能电路的两个输入端子与所述RC吸收回路上的吸收电容并联，所述高位取能电路还包括二极管D1、稳压二极管V1、电阻R1、电容C1、电阻R2、晶闸管T1、整流二极管D2、电感L1、电解电容C3、电解电容C4和电感L2，所述二极管D1连接在所述高位取能电路的两个输入端子之间，所述二极管D1的正极与插座J1的端子HK2电连接，所述二极管D1的负极与所述插座J1的端子HK1电连接，所述稳压二极管V1的负极与所述二极管D1的负极电连接，所述稳压二极管V1的正极与所述电阻R1的一端电连接，所述电阻R1的另一端与所述二极管D1的正极电连接，所述电容C1与所述电阻R1并联，所述电阻R2的一端连接在所述稳压二极管V1的正极和所述电阻R1之间，所述电阻R2的另一端与所述晶闸管T1的门极电连接，所述晶闸管T1的阳极与二所述极管D1的负极电连接，所述晶闸管T1的阴极与所述二极管D1的正极电连接，所述整流二极管D2的正极与所述二极管D1的负极电连接，所述整流二极管D2的负极与所述电感L1的一端电连接，所述电感L1的另一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电解电容C3的负极与所述二极管D1的正极电连接，所述电感L2的一端连接在所述整流二极管D2的负极和所述电感L1之间，所述电感L2的另一端与所述电解电容C4的正极电连接，所述电解电容C4的负极与所述电解电容C3的负极电连接。

3.根据权利要求2所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述触发电路包括电阻R8、电解电容CD、电容C5、稳压二极管V3、电阻R4、三极管T2、电容C2、三极管T3、二极管D5、电阻R6、电阻R23、三极管VT1、并联电阻R27和2R27、二极管V2、三极管VT2、二极管D4、电阻R24、二极管D3及二极管D4，所述电阻R8的一端与所述电解电容C3的正极电连接，所述电阻R8的另一端与所述电解电容CD的正极电连接，所述电解电容CD的负极与晶闸管的阴极K2以及所述插座J1的端子HK2相连电连接，所述电容C5并联在所述电解电容CD的两端，所述电解电容CD的正极与所述光纤收模块的电源正极以及所述稳压二极管V3的正极电连接，所述稳压二极管V3的负极与所述晶闸管的阴极K2电连接，所述电阻R4的一端与所述稳压二极管V3的正极电连接，所述电阻R4的另一端与所述三极管T2的集电极电连接，所述三极管T2的基极与所述光纤收模块的信号端电连接，所述电容C2并联在所述光纤收模块的信号端和接地端之间，所述三极管T2的发射极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的基极与所述电阻R4的另一端电连接，所述三极管T3的发射极与所述二极管D5的正极电连接，所述二极管D5的负极与所述插座J1的端子HK2电连接，所述三极管T3的集电极与所述电阻R6的一端电连接，所述电阻R6的另一端与所述电阻R23的一端电连接，所述稳压二极管V2的正极和所述三极管VT1的基极电连接，所述电阻R23的另一端与所述二极管V2的负极以及所述电解电容C4的正极电连接，所述并联电阻R27和2R27电连接在所述电解电容C4的正极和所述三极管VT1的发射极之间，所述三极管VT1的集电极同时与所述三极管VT2的基极、所述二极管D4的负极和所述电阻R24的一端电连接，所述三极管VT2的集电极与所述三极管VT1的发射极电连接，所述三极管VT2的发射极与所述二极管D3的正极以及所述二极管D4的正极电连接，所述二极管D3的负极与所述晶闸管的基极G2电连接。

4.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述三极管VT1为PNP型三极管，所述三极管VT2、所述三极管T2和所述三极管T3均为NPN型三极管。

5.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述二极管D1为MUR16100E型二极管。

6.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述晶闸管T1为S1217NH型晶体管。

7.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述电感L1的大小为3uH，所述电感L2的大小为30uH。

8.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述三极管T2和所述三极管T3为S8050型三极管。

9.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述三极管VT1为2SB1414型三极管。

10.根据权利要求3所述的晶闸管高位取能触发电路，其特征在于，所述三极管VT2为2N4150型三极管。