CN206516635U - 带电流检测功能的场效应管 - Google Patents

带电流检测功能的场效应管 Download PDF

Info

Publication number
CN206516635U
CN206516635U CN201621392071.1U CN201621392071U CN206516635U CN 206516635 U CN206516635 U CN 206516635U CN 201621392071 U CN201621392071 U CN 201621392071U CN 206516635 U CN206516635 U CN 206516635U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
detecting
current
electric current
fet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201621392071.1U
Other languages
English (en)
Inventor
黄泽军
张枫
段卫宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Rui Jun Semiconductor Ltd By Share Ltd
Original Assignee
Shenzhen Rui Jun Semiconductor Ltd By Share Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Rui Jun Semiconductor Ltd By Share Ltd filed Critical Shenzhen Rui Jun Semiconductor Ltd By Share Ltd
Priority to CN201621392071.1U priority Critical patent/CN206516635U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN206516635U publication Critical patent/CN206516635U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

本实用新型涉及带电流检测功能的场效应管包括栅极、漏极、源极以及电流检测输出极,所述电流检测输出极上设有检测电极,所述检测电极与所述源极之间设有隔离板,当电流从所述漏极流入,分别从源极以及检测电极流出。本实用新型通过引出一个检测电极,将流入场效应管的漏极的电流分成两路,一路电流从检测电极流出,另一路从源极流出,通过调节检测电极与源极的面积比例,调整两路电流之间的比值,检测电流与漏极电流等比例同时变化,调整经过检测电极的电流较小,经过加入放大器,对检测的电压信息进行放大,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高,更加稳定。

Description

带电流检测功能的场效应管
技术领域
本实用新型涉及场效应管的技术领域,更具体地说是指带电流检测功能的场效应管。
背景技术
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属-氧化物半导体场效应管 (metal-oxide semiconductorFET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
一般场效应管的结构中只有gate、source和drain三个电极,如图1所示,其中drain在背面引出,场效应管在驱动应用中,需要外置电阻才能做电流检测。
因此,有必要设计一种带电流检测功能的场效应管,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷,提供带电流检测功能的场效应管及电流检测电路和检测方法。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:带电流检测功能的场效应管,包括栅极、漏极、源极以及电流检测输出极,所述电流检测输出极上设有检测电极,所述检测电极与所述源极之间设有隔离板,当电流从所述漏极流入,分别从源极以及检测电极流出;所述检测电极的电流与所述漏极的电流为等比例变化的关系;所述源极为金属片,所述源极上设有供所述检测电极引出的区域。
本实用新型与现有技术相比的有益效果是:本实用新型的带电流检测功能的场效应管,通过引出一个检测电极,将流入场效应管的漏极的电流分成两路,一路电流从检测电极流出,另一路从源极流出,通过调节检测电极与源极的面积比例,调整两路电流之间的比值,检测电流与漏极电流等比例同时变化,调整经过检测电极的电流较小,经过加入放大器,对检测的电压信息进行放大,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高,更加稳定。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步描述。
附图说明
图1为现有的场效应管的结构示意图;
图2为本实用新型具体实施例提供的带电流检测功能的场效应管的结构示意图。
具体实施方式
为了更充分理解本实用新型的技术内容,下面结合具体实施例对本实用新型的技术方案进一步介绍和说明,但不局限于此。
如图2所示的具体实施例,本实施例提供的带电流检测功能的场效应管,可以运用在电流检测或者运用在电流检测转换到电压检测的过程中,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高。
带电流检测功能的场效应管,包括栅极、漏极、源极以及电流检测输出极,所述电流检测输出极上设有检测电极,所述检测电极与所述源极之间设有隔离板,当电流从所述漏极流入,分别从源极以及检测电极流出。
上述的场效应管的栅极以及源极在正面引出,漏极在背面引出,检测电极则依附在源极上,检测电极和漏极电流的变化同步。
更进一步的,所述检测电极的电流与所述漏极的电流为等比例变化的关系。在用MOS管内阻作为检测电阻时,由于结温的变化,会引起MOS管的内阻变化,导致检测电流漂移不准确,本实施例中,检测电阻是外置的小功率电阻,阻值随温度变化极小,而检测电极的电流与漏极电流同时变化,因此电流检测更精确更稳定。
在本实施例中,检测电极直接从源极引出,具有相同的驱动电压,用于各自的芯片的面积比例关系,使得总输入的电流依据各自的面积比例关系,分成两路电流分别从源极以及检测电极流出,通过调节面积比例关系,可以和没有加入检测电极的主场效应管的电流等比例变化,对于温度电压变化影响很小,可以达到同步的目的。
更进一步的,检测电极与所述源极之间设有隔离板。该隔离板用于隔离检测电极与源极,是源极和检测电极在工作时不会互相干扰。
在本实施例中,源极为金属片,上述的源极上设有供检测电极引出的区域,通过增加检测电极,提升采样精度,同时,可以调节检测电极与源极的各自芯片之间的面积比例,从而减少整个场效应管在运用过程的功耗。
当然,于其他实施例,上述的源极还可以是其他形状的金属品。
上述的带电流检测功能的场效应管使用时,因为流入场效应管的电流 Id和检测电极的检测电流Is有一定的等比例关系,即:K=Id/Is,这里的K 值是由源极与检测电极之间的面积比例决定的,当场效应管流过一定的电流Id时,则检测电极的检测电流Is和流入场效应管的电流Id成一定的比例关系,即Is=Id/K,检测电流Is流过小功率电阻Rsence,将电流信号转换为电压信号,由于此电压信号伏值较小,因此再通过同相放大器放大后的伏值为Uo=(1+R2/R3)*Is*Rsence,此电压信号和流入场效应管的电流Id成一定的比例关系,因此实现了小功率损耗、高精度的电流到电压信号的转换。
上述的带电流检测功能的场效应管,通过引出一个检测电极,将流入场效应管的漏极的电流分成两路,一路电流从检测电极流出,另一路从源极流出,通过调节检测电极与源极的面积比例,调整两路电流之间的比值,检测电流与漏极电流等比例同时变化,调整经过检测电极的电流较小,经过加入放大器,对检测的电压信息进行放大,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高,更加稳定。
上述仅以实施例来进一步说明本实用新型的技术内容,以便于读者更容易理解,但不代表本实用新型的实施方式仅限于此,任何依本实用新型所做的技术延伸或再创造,均受本实用新型的保护。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。

Claims (1)

1.带电流检测功能的场效应管,其特征在于,包括栅极、漏极、源极以及电流检测输出极,所述电流检测输出极上设有检测电极,所述检测电极与所述源极之间设有隔离板,当电流从所述漏极流入,分别从源极以及检测电极流出;所述检测电极的电流与所述漏极的电流为等比例变化的关系;所述源极为金属片,所述源极上设有供所述检测电极引出的区域。
CN201621392071.1U 2016-12-15 2016-12-15 带电流检测功能的场效应管 Active CN206516635U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621392071.1U CN206516635U (zh) 2016-12-15 2016-12-15 带电流检测功能的场效应管

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621392071.1U CN206516635U (zh) 2016-12-15 2016-12-15 带电流检测功能的场效应管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206516635U true CN206516635U (zh) 2017-09-22

Family

ID=59862153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621392071.1U Active CN206516635U (zh) 2016-12-15 2016-12-15 带电流检测功能的场效应管

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN206516635U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601818A (zh) * 2016-12-15 2017-04-26 深圳市锐骏半导体股份有限公司 带电流检测功能的场效应管及电流检测电路和检测方法
US11527883B2 (en) 2017-09-23 2022-12-13 Huawei Technologies Co., Ltd. Power protection apparatus and terminal using the apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601818A (zh) * 2016-12-15 2017-04-26 深圳市锐骏半导体股份有限公司 带电流检测功能的场效应管及电流检测电路和检测方法
CN106601818B (zh) * 2016-12-15 2019-09-10 深圳市锐骏半导体股份有限公司 电流检测电路的检测方法
US11527883B2 (en) 2017-09-23 2022-12-13 Huawei Technologies Co., Ltd. Power protection apparatus and terminal using the apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104729724B (zh) 基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路
CN101629973B (zh) 适用于低电压供电的无运放高精度电流采样电路
CN104571242B (zh) 电压调节器
CN206516635U (zh) 带电流检测功能的场效应管
CN104101764B (zh) 一种应用于dc‑dc转换器的新型电感电流检测电路
CN103900648A (zh) 基于梯形励磁的低功耗电磁流量计及其励磁方法
CN206339589U (zh) 电流检测电路
CN102128970B (zh) 宽负载范围高精度低功耗电流检测电路
CN102156211A (zh) 全cmos精确电流采样电路
CN102368683A (zh) 一种低功耗微弱信号放大整形电路
CN107478890A (zh) 一种用于集成电路的电流检测装置
CN104897943A (zh) 高灵敏度低功耗电流检测电路
CN209044409U (zh) 一种应用于ldo的快速瞬态响应电路
CN101408564A (zh) 电压检测电路
CN204576336U (zh) 基准电压源电路
CN106601818B (zh) 电流检测电路的检测方法
CN202008499U (zh) 一种电流采样电路
CN104677967B (zh) 离子敏感场效应管传感器及其电压模式读出电路
CN202189087U (zh) 一种交流电中检测直流分量的装置
CN105425008B (zh) 物联网高灵敏度磁性传感器采样电路
CN104614431B (zh) 离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路
CN201839193U (zh) 电压电流转换电路
CN102354246A (zh) 一种有源箝位电路
CN202275331U (zh) 一种有源箝位电路
CN103532542B (zh) 一种用于时钟树的反相器电路

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Current-detection-function provided field-effect transistor, current detection circuit and detection method

Effective date of registration: 20180719

Granted publication date: 20170922

Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee

Pledgor: Shenzhen Rui Jun semiconductor Limited by Share Ltd

Registration number: 2018990000573

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20190604

Granted publication date: 20170922

Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee

Pledgor: Shenzhen Rui Jun semiconductor Limited by Share Ltd

Registration number: 2018990000573

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Current-detection-function provided field-effect transistor, current detection circuit and detection method

Effective date of registration: 20190604

Granted publication date: 20170922

Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee

Pledgor: Shenzhen Rui Jun semiconductor Limited by Share Ltd

Registration number: 2019990000511

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20201023

Granted publication date: 20170922

Pledgee: Shenzhen SME financing Company limited by guarantee

Pledgor: SHENZHEN RUICHIPS SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Registration number: 2019990000511

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right