CN206506502U

CN206506502U - 一种三位数控衰减器芯片

Info

Publication number: CN206506502U
Application number: CN201720069709.6U
Authority: CN
Inventors: 罗力伟; 贺苒
Original assignee: Sichuan Yifeng Electronic Science And Technology Co Ltd
Current assignee: Sichuan Yifeng Electronic Science And Technology Co Ltd
Priority date: 2017-01-17
Filing date: 2017-01-17
Publication date: 2017-09-19
Anticipated expiration: 2027-01-17

Abstract

本实用新型属于电子通信技术领域，具体而言，涉及一种三位数控衰减器芯片。该三位数控衰减器芯片包括芯片本体和芯片电路，芯片本体上集成有芯片电路，芯片电路又包括衰减模块和控制模块，衰减模块和控制模块电性相连。本实用新型采用负压逻辑控制电路控制三位数控衰减器芯片额定衰减度，可实现从5dB至35dB的大范围，高灵活度衰减，从而保证了该芯片能在宽带应用背景下依然保持高稳定、高性能的工作状态。

Description

一种三位数控衰减器芯片

技术领域

本实用新型涉及一种三位数控衰减器芯片，属于电子通信技术领域。

背景技术

目前，根据频率划分，毫米波一般是指的波长介于1mm-10mm的电磁波。随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，尤其是毫米波器件，在电子技术领域的比重越来越大，应用范围包括雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器等。

数控衰减器芯片(DA,digital attenuator)是用作视频信号功率衰减的器件，无论作为单独工作器件还是集成于小型复杂系统中，均起着十分重要的纽带作用。应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，超宽带、高性能的数控衰减芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。因此，人们对数控衰减器芯片提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损、多通道、高衰减精度、衰减组合灵活和小型化等。但市场上现有的数控衰减芯片一般都是固定衰减度，不能根据实际需要更改衰减度。

实用新型内容

本实用新型提供了一种三位数控衰减器芯片，其目的在于，解决现有技术中存在的上述问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种三位数控衰减器芯片，包括芯片本体和芯片电路，芯片本体上集成有芯片电路。

在本实用新型提供的实施例中，上述芯片电路包括衰减模块和控制模块，衰减模块和控制模块电性连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述衰减模块包括5dB衰减单元、第一10dB衰减单元、第二10dB衰减单元和第三10dB衰减单元，5dB衰减单元、第一10dB衰减单元、第二10dB衰减单元和第三10dB衰减单元依次串联连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述5dB衰减单元包括第一开关、第一接地、第一MOS管、第一电阻和第二开关，第一开关、第一接地、第二开关和第一电阻依次串联连接成闭合回路，第一MOS管和第一电阻并联连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述第一10dB衰减单元包括第三开关、第二接地、第二MOS管、第二电阻和第四开关，第三开关、第二接地、第四开关和第二电阻依次串联连接成闭合回路，第二MOS管和第二电阻并联连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述第二10dB衰减单元包括第五开关、第三接地、第三MOS管、第三电阻和第六开关，第五开关、第三接地、第六开关和第三电阻依次串联连接成闭合回路，第三MOS管和第三电阻并联连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述第三10dB衰减单元包括第七开关、第四接地、第四MOS管、第四电阻和第八开关，第七开关、第四接地、第八开关和第四电阻依次串联连接成闭合回路，第四MOS管和第四电阻并联连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述控制模块包括5dB逻辑控制单元、10dB逻辑控制单元、20dB逻辑控制单元、第一供电单元、第二供电单元和第五接地；5dB衰减单元和5dB逻辑控制单元电性连接，第一10dB衰减单元和10dB逻辑控制单元电性连接，第二10dB衰减单元、第三10dB衰减单元分别与20dB逻辑控制单元电性连接；5dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接；10dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接；20dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接。

在本实用新型提供的实施例中，上述5dB逻辑控制单元分别与5dB衰减单元中的第一开关、第一MOS管电性连接成闭合回路；10dB逻辑控制单元分别与第一10dB衰减单元中的第三开关、第二MOS管电性连接成闭合回路；20dB逻辑控制单元分别与第二10dB衰减单元中的第五开关、第三MOS管及第三10dB衰减单元中的第七开关、第四MOS管电性连接成闭合回路。

在本实用新型提供的实施例中，上述控制模块为施密特触发器模块。

本实用新型的有益效果为：本实用新型采用负压逻辑控制电路控制三位数控衰减器芯片额定衰减度，可实现从5dB至35dB的大范围，高灵活度衰减，从而保证了该芯片能在宽带应用背景下保持高稳定、高性能的工作状态。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1本实用新型提供的三位数控衰减器芯片结构图。

图中所示：100-三位数控衰减器芯片；1-芯片本体；2-芯片电路；20-衰减模块；21-5dB衰减单元；210-第一开关；211-第一接地；212-第一MOS管；213-第一电阻；214-第二开关；

22-第一10dB衰减单元；220-第三开关；221-第二接地；222-第二MOS管；223-第二电阻；224-第四开关；23-第二10dB衰减单元；230-第五开关；231-第三接地；232-第三MOS管；233-第三电阻；234-第六开关；24-第三10dB衰减单元；240-第七开关；241-第四接地；242-第四MOS管；243-第四电阻；244-第八开关；25-控制模块；26-5dB逻辑控制单元；260-第一供电极；261-第二供电极；262-第一接地极；27-10dB逻辑控制单元；270-第三供电极；271-第四供电极；272-第二接地极；28-20dB逻辑控制单元；280-第五供电极；281-第六供电极；282-第三接地极；29-第一供电单元；30-第二供电单元；31-第五接地。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，指示方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之上或之下可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之上、上方和上面包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之下、下方和下面包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

实施例：

本实施例提供了一种三位数控衰减器芯片100，包括芯片本体1和芯片电路2，芯片本体1上集成有芯片电路2。

芯片电路2包括衰减模块20和控制模块25，衰减模块20和控制模块25电性连接。

衰减模块20包括5dB衰减单元21、第一10dB衰减单元22、第二10dB衰减单元23和第三10dB衰减单元24，5dB衰减单元21、第一10dB衰减单元22、第二10dB衰减单元23和第三10dB衰减单元24依次串联连接。

5dB衰减单元21包括第一开关210、第一接地211、第一MOS管212、第一电阻213和第二开关214，第一开关210、第一接地211、第二开关214和第一电阻213依次串联连接成闭合回路，第一MOS管212和第一电阻213并联连接。

第一10dB衰减单元22包括第三开关220、第二接地221、第二MOS管222、第二电阻223和第四开关224，第三开关220、第二接地221、第四开关224和第二电阻223依次串联连接成闭合回路，第二MOS管222和第二电阻223并联连接。

第二10dB衰减单元23包括第五开关230、第三接地231、第三MOS管232、第三电阻233和第六开关234，第五开关230、第三接地231、第六开关234和第三电阻233依次串联连接成闭合回路，第三MOS管232和第三电阻233并联连接。

第三10dB衰减单元24包括第七开关240、第四接地241、第四MOS管242、第四电阻243和第八开关244，第七开关240、第四接地241、第八开关244和第四电阻243依次串联连接成闭合回路，第四MOS管242和第四电阻243并联连接。

控制模块25包括5dB逻辑控制单元26、10dB逻辑控制单元27、20dB逻辑控制单元28、第一供电单元29、第二供电单元30和第五接地31；5dB衰减单元21和5dB逻辑控制单元26电性连接，第一10dB衰减单元22和10dB逻辑控制单元27电性连接，第二10dB衰减单元23、第三10dB衰减单元24分别与20dB逻辑控制单元28电性连接；5dB逻辑控制单元26分别与第一供电单元29、第二供电单元30及第五接地31电性连接；10dB逻辑控制单元27分别与第一供电单元29、第二供电单元30及第五接地31电性连接；20dB逻辑控制单元28分别与第一供电单元29、第二供电单元30及第五接地31电性连接。

5dB逻辑控制单元26分别与5dB衰减单元21中的第一开关210、第一MOS管212电性连接成闭合回路；10dB逻辑控制单元27分别与第一10dB衰减单元22中的第三开关220、第二MOS管222电性连接成闭合回路；20dB逻辑控制单元28分别与第二10dB衰减单元23中的第五开关230、第三MOS管232和第三10dB衰减单元24中的第七开关240、第四MOS管242电性连接成闭合回路。

5dB逻辑控制单元26上还设有第一供电极260、第二供电极261和第一接地极262，第一供电极260和第一供电单元29电性连接，第二供电极261和第二供电单元30电性连接，第一接地极262和第五接地31电性连接；10dB逻辑控制单元27上还设有第三供电极270、第四供电极271和第二接地极272，第三供电极270和第一供电单元29电性连接，第四供电极271和第二供电单元30电性连接，第二接地极272和第五接地31电性连接；20dB逻辑控制单元28上还设有第五供电极280、第六供电极281和第三接地极282，第五供电极280和第一供电单元29电性连接，第六供电极281和第二供电单元30电性连接，第三接地极282和第五接地31电性连接。

具体的，在本实施例中控制模块25为施密特触发器模块。

具体的，本实施例中5dB衰减单元21、第一10dB衰减单元22、第二10dB衰减单元23和第三10dB衰减单元24电性连接是通过第一电阻213、第二电阻223、第三电阻233和第四电阻243依次串联连接实现的。

本实用新型提供的三位数控衰减器芯片100的工作原理为：当射频输入信号从5dB衰减单元21进入到该三位数控衰减芯片100时，通过控制模块25分别控制衰减模块20中5dB衰减单元21、第一10dB衰减单元22、第二10dB衰减单元23和第三10dB衰减单元24中的第一MOS管212、第二MOS管222、第三MOS管232和第四MOS管242的闭合与断开，若某MOS管闭合，则与之相连的开关也会闭合，射频输入信号就会经过与之相连的逻辑控制单元，实现信号衰减，如果该MOS管为断开，射频输入信号就会从与之相连的电阻通过，不发生衰减，然后进入下一衰减单元中，以此类推，直到射频输入信号从第三10dB衰减单元24中输出。

以5dB衰减单元21为例，5dB逻辑控制单元26控制第一MOS管212的闭合与断开，如果第一MOS管212是闭合的，就会控制第一开关210和第二开关214也是闭合的，射频输入信号就会经过5dB逻辑控制单元26，实现了5dB的衰减，如果第一MOS管212是断开的，射频输入信号就通过第一电阻213进入到第一10dB衰减单元22中，不会发生5dB衰减。同样可以理解第一10dB衰减单元22、第二10dB衰减单元23和第三10dB衰减单元24的工作原理。因此不同的衰减组合，就可实现不同的衰减额度。

本实用新型提供的三位数控衰减器芯片的有益效果为：本实用新型采用负压逻辑控制电路控制三位数控衰减器芯片额定衰减度，可实现从5dB至35dB的大范围，高灵活度衰减，从而保证了该芯片能在宽带应用背景下保持高稳定、高性能的工作状态。

以上所述，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种三位数控衰减器芯片，其特征在于，所述三位数控衰减器芯片包括芯片本体和芯片电路，芯片本体上集成有芯片电路。

2.根据权利要求1所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块和控制模块，衰减模块和控制模块电性连接。

3.根据权利要求2所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，衰减模块包括5dB衰减单元、第一10dB衰减单元、第二10dB衰减单元和第三10dB衰减单元，5dB衰减单元、第一10dB衰减单元、第二10dB衰减单元和第三10dB衰减单元依次串联连接。

4.根据权利要求3所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，5dB衰减单元包括第一开关、第一接地、第一MOS管、第一电阻和第二开关，第一开关、第一接地、第二开关和第一电阻依次串联连接成闭合回路，第一MOS管和第一电阻并联连接。

5.根据权利要求3所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，第一10dB衰减单元包括第三开关、第二接地、第二MOS管、第二电阻和第四开关，第三开关、第二接地、第四开关和第二电阻依次串联连接成闭合回路，第二MOS管和第二电阻并联连接。

6.根据权利要求3所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，第二10dB衰减单元包括第五开关、第三接地、第三MOS管、第三电阻和第六开关，第五开关、第三接地、第六开关和第三电阻依次串联连接成闭合回路，第三MOS管和第三电阻并联连接。

7.根据权利要求3所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，第三10dB衰减单元包括第七开关、第四接地、第四MOS管、第四电阻和第八开关，第七开关、第四接地、第八开关和第四电阻依次串联连接成闭合回路，第四MOS管和第四电阻并联连接。

8.根据权利要求3所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，控制模块包括5dB逻辑控制单元、10dB逻辑控制单元、20dB逻辑控制单元、第一供电单元、第二供电单元和第五接地；

5dB衰减单元和5dB逻辑控制单元电性连接，第一10dB衰减单元和10dB逻辑控制单元电性连接，第二10dB衰减单元、第三10dB衰减单元分别与20dB逻辑控制单元电性连接；

5dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接；

10dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接；

20dB逻辑控制单元分别与第一供电单元、第二供电单元及第五接地电性连接。

9.根据权利要求2所述的三位数控衰减器芯片，其特征在于，5dB逻辑控制单元分别与5dB衰减单元中的第一开关、第一MOS管电性连接成闭合回路；

10dB逻辑控制单元分别与第一10dB衰减单元中的第三开关、第二MOS管电性连接成闭合回路；

20dB逻辑控制单元分别与第二10dB衰减单元中的第五开关、第三MOS管及第三10dB衰减单元中的第七开关、第四MOS管电性连接成闭合回路。