CN206460973U - 高稳定性白光led封装结构 - Google Patents

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夏泽强
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Abstract

本实用新型属于照明技术领域，涉及一种高稳定性白光LED封装结构，具体涉及高功率密度的LED光源封装和超大功率LED光源封装；本实用新型不同于传统的用胶水加荧光粉混合方式的封装结构，在芯片产生高热量的情况下，会发生衰减和颜色漂移，而本实用新型所采用的技术方案是将经高温的玻璃、陶瓷和单晶盖在芯片表面，可确保在高温情况下不变色，不色漂，适合做LED车大灯、投影光源、100瓦以上高功率光源等用途。

Description

高稳定性白光LED封装结构
技术领域
本实用新型属于照明技术领域，具体涉及一种白光LED封装结构及其在高功率光源领域的应用。
背景技术
目前，传统的白光LED封装是用胶水加荧光粉混合方式的封装结构，其缺点是在芯片产生高热量的情况下，会发生衰减和颜色漂移，特别是在将传统的LED封装结构作为LED车大灯、投影光源或100瓦以上的高功率光源的情况下，由于要保证在连续长时间使用具有足够的高功率，因此LED芯片的发热量极大，会导致胶水和荧光粉的老化迅速，严重影响产品的寿命和光效。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种可确保在高温情况下不变色，不色漂，适合做LED车大灯、投影光源或100瓦以上高功率光源的高稳定性白光LED封装结构，以及该封装结构在作为高功率光源等照明领域的具体应用。
本实用新型是采用下述技术方案实现的：
一种高稳定性白光LED封装结构，包括固定在基板上的LED芯片和覆盖在LED芯片的发光面上的固态的光转换介质，LED芯片发出的光通过光转换介质后转化获得高稳定性的白光。
进一步地，所述LED芯片发出的光波长为420-470nm之间。
所述LED芯片采用倒装芯片或垂直芯片。
所述LED芯片通过串联、并联或串并联混后连接。
所述LED芯片通过倒装、正装或共晶焊将芯片固定在基板上，基板的材质采用ALN、氧化铝、铜基板或铝基板中的任一种。
所述光转换介质为玻璃、透明陶瓷、单晶中的任一种。
所述光转换介质的可见光透过率大于30％。
所述光转换介质的本体呈黄色或黄绿色。
所述光转换介质其发射波长为520-760nm，厚度不超过0.5mm。
同时，上述高稳定性白光LED封装结构，还可以应用在下述领域：
一种白光光源，包括所述的高稳定性白光LED封装结构。
一种照明灯具，包括所述的高稳定性白光LED封装结构作为光源。
一种投影装置，包括所述的高稳定性白光LED封装结构作为光源。
本实用新型主要是针对于高功率密度的LED光源封装和超大功率LED光源封装的技术领域，克服了采用传统的用胶水加荧光粉混合方式进行LED光源封装时，在芯片产生高热量的情况下，会发生衰减和颜色漂移的缺陷，因此传统的涂荧光粉的工艺对于LED光源的寿命没有保障，三基色白光容易受其中一种光的衰减而出现颜色变化，导致出光质量也没有保障。而专利是采用将呈固态的光转换介质(比如：经高温的玻璃、陶瓷和单晶等材料)直接覆盖在LED芯片表面的封装结构，可确保在高温情况下不变色，不色漂，由于玻璃、晶体和陶瓷的性能稳定，不会受温度的变化而变化，因此也不存在使用寿命的问题，极为适合做LED车大灯、投影光源、100瓦以上高功率光源等需要长时间提供高功率的光源的场合使用。
附图说明
图1是本实用新型所述的高稳定性白光LED封装结构的示意图。
具体实施方式
如图1所示，是本实用新型所述的一种高稳定性白光LED封装结构，包括固定在基板1上的LED芯片2和覆盖在LED芯片2的发光面上的光转换介质3，LED芯片2发出的光通过光转换介质3后转化获得高稳定性的白光。进一步地，所述LED芯片发出的光波长最佳为420-470nm之间。所述LED芯片采用倒装芯片或垂直芯片；所述LED芯片通过串联、并联或串并联混后连接；所述LED芯片通过倒装、正装或共晶焊将芯片固定在基板上，基板的材质可以采用ALN(氮化铝)、氧化铝、铜基板或铝基板中的任一种。
所述光转换介质为玻璃、透明陶瓷、单晶中的任一种；在本实施例中所述的光转换介质采用的是透明陶瓷，所述透明陶瓷的本体呈黄色或黄绿色；可见光透过率大于30％；所述光转换介质其发射波长为520-760nm，厚度不超过0.5mm时，可获得的光转化效率最佳。同时，也可以将上述透明陶瓷替换为波长和厚度相同的玻璃或单晶，同样可以达到高效稳定的激发白光的目的。
同时，本实用新型还可以将上述实施例中所述的高稳定性白光LED封装结构，应用在白光LED光源、照明灯具或者投影装置等领域，作为其发光光源部分使用，同样可以具有较高的光转换效率，并可确保在高温情况下不变色，不色漂，适合做LED车大灯、投影光源、100 瓦以上高功率光源等需要长时间提供高功率的光源的场合使用。

Claims (4)

1.一种高稳定性白光LED封装结构，其特征在于：包括固定在基板上的LED芯片和覆盖在LED芯片的发光面上的固态的光转换介质，所述光转换介质的本体呈黄色或黄绿色，LED芯片发出的光通过光转换介质后转化获得高稳定性的白光；所述LED芯片发出的光波长为420-470nm之间；所述光转换介质的可见光透过率大于30%；其发射波长为520-760nm，厚度不超过0.5mm。
2.根据权利要求1所述的高稳定性白光LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片采用倒装芯片或垂直芯片。
3.根据权利要求1所述的高稳定性白光LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片通过串联、并联或串并联混后连接。
4.根据权利要求1所述的高稳定性白光LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片通过倒装、正装或共晶焊将芯片固定在基板上，基板的材质采用ＡＬＮ、氧化铝、铜基板或铝基板中的任一种。
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