CN206441705U - 一种用于真空设备的基座加热装置 - Google Patents
一种用于真空设备的基座加热装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206441705U CN206441705U CN201621474670.8U CN201621474670U CN206441705U CN 206441705 U CN206441705 U CN 206441705U CN 201621474670 U CN201621474670 U CN 201621474670U CN 206441705 U CN206441705 U CN 206441705U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heater strip
- heating mechanism
- vacuum equipment
- susceptor
- susceptor heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种用于真空设备的基座加热装置,可提供400℃以上的加热温度,包括:基座及嵌入基座内部的加热丝组,所述加热丝组包含功率相同的两股或多股加热丝,所述基座加热装置用于面积1m2以上的基板加热。该实用新型能满足大尺寸大质量基板的高功率供热需求,可改善供热均匀性,降低加热丝排布时的弯曲难度避免加热丝的开裂和翘曲,减少热胀冷缩的不良影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空设备领域,尤其涉及一种用于真空设备的基座加热装置。
背景技术
在真空设备领域,反应腔内的基座常用于给基板加热,在半导体器件及薄膜太阳能电池的制备过程中,其工艺温度通常为250℃上下,待加热基板的面积和质量都较小。此时,传统的基座加热方式能够很好的满足对加热功率的要求,即将基座分两个或三个区域,每个区域设一根加热丝进行加热。然而,当工艺制程的温度达到400℃以上,例如AMOLED的PECVD的工艺温度为450℃以上,并且当基板的面积随工业发展逐渐增大时,例如:G6代衬底的面积达到1500x1800mm,传统的基座加热方式就很难再供应足够的热量,为了增加功率通常做法是采用大线径的加热丝,然而大线径加热丝会带来很多弊端,一方面增加了加热丝的工艺制作难度,目前国内此类技术尚不成熟;另一方面对于基板加热过程带来诸多不良影响:如对基板的供热温度均匀性较差,大线径的加热丝在基板上排布时因不容易弯曲而造成翘曲,基座开槽深度增加,基座加热装置工作时热胀冷缩的影响更加明显等一系列的缺点。
发明内容
本实用新型采用在基座内设置加热丝组的方式对大尺寸的基板进行大功率供热,其中加热丝组由两股或者多股加热丝构成,此种设计能够改善基板的温度均匀性,降低加热丝排布时的弯曲难度避免翘曲,减少热胀冷缩等不良影响。
为了实现上述目的,本实用新型提供了一种用于真空设备的基座加热装置,可提供400℃以上的加热温度,包括:基座及嵌入基座内部的加热丝组,所述加热丝组包含功率相同的两股或多股加热丝,所述基座加热装置用于面积1m2以上的基板加热。
可选地,单股加热丝的线径范围为6-12mm。
可选地,所述加热丝组内的加热丝为并排设置。
可选地,所述基座加热装置用于制备AMOLED的PECVD设备中。相对于现有技术,本实用新型的技术效果为:
1,能够满足大尺寸大质量基板在400℃以上高温工艺温度的高功率供热需求,改善供热均匀性,降低加热丝排布时的弯曲难度避免加热丝的开裂和翘曲,减少热胀冷缩的不良影响。
2,加热丝组内的两股或者多股加热丝可以并排布置,有利于提供更加均匀的加热环境。
附图说明:
图1为本实用新型一实施例中的基座加热装置的俯视图。
图2为本实用新型一实施例中的基座加热装置的剖视图。
具体实施方式:
图1所示为本实用新型一实施例中的基座加热装置的俯视图,图2为该基座加热装置的剖视图。本实用新型所提供的基座加热装置用于真空设备内,例如用于制备AMOLED的450℃工艺温度的PECVD设备中,该基座加热装置能够提供400℃以上的加热温度,适用于高温反应腔体,可以对基板进行高温加热,所述基板的面积为1.1m*1.3m,质量为200Kg。如图1和图2所示,该基座加热装置100包括基座110及嵌入基座110内部的加热丝组120,所述基座为金属材料,例如为不锈钢。所述加热丝组120与基座110之间设置有绝缘材料(图未示)以进行绝缘,例如该绝缘材料为陶瓷。所述加热丝组120包含功率相同的两股或多股加热丝121,该加热丝121的加热方式为电阻加热,其材料为金属材料,优选为不锈钢材料。其中单股加热丝121的线径范围是6-12mm。所述加热丝组120内的各加热丝121之间的排列不做特别限制,优选地,各加热丝121为并排平铺排列,这种排列方式有利于提供更加均匀的加热环境。
本实用新型所披露的基座加热装置对于面积为1m2以上,质量在100kg以上的大面积大质量的基板加热有较好效果。它能够满足大尺寸大质量基板在400℃以上高温工艺温度的高功率供热需求,改善供热均匀性,降低加热丝排布时的弯曲难度避免加热丝的开裂和翘曲,减少热胀冷缩的不良影响。本实用新型改变了现有技术中每个区域只有一根加热丝进行加热的习惯,改为两根或以上同样小线径尺寸、同功率大小的加热丝并行绕制排布的结构,可以满足大面积区域的功率要求,同时解决因线径产生的绕制弯曲等问题,便于制作装配。
Claims (4)
1.一种用于真空设备的基座加热装置,其特征在于:提供400℃以上的加热温度,包括:基座及嵌入基座内部的加热丝组,所述加热丝组包含功率相同的两股或多股加热丝,所述基座加热装置用于面积1m2以上的基板加热。
2.根据权利要求1所述的一种用于真空设备的基座加热装置,其特征在于:单股加热丝的线径范围为6-12mm。
3.根据权利要求2所述的一种用于真空设备的基座加热装置,其特征在于:所述加热丝组内的加热丝为并排设置。
4.根据权利要求1所述的一种用于真空设备的基座加热装置,其特征在于:所述基座加热装置用于制备AMOLED的PECVD设备中。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621474670.8U CN206441705U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种用于真空设备的基座加热装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201621474670.8U CN206441705U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种用于真空设备的基座加热装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206441705U true CN206441705U (zh) | 2017-08-25 |
Family
ID=59643125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201621474670.8U Active CN206441705U (zh) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 一种用于真空设备的基座加热装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206441705U (zh) |
-
2016
- 2016-12-30 CN CN201621474670.8U patent/CN206441705U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011139068A5 (zh) | ||
JP2005509279A5 (zh) | ||
CN204325497U (zh) | 一种基板加热板 | |
CN203722846U (zh) | 一种平面状电热辐射体 | |
CN104112638B (zh) | 一种等离子体反应室及其静电夹盘 | |
CN104952778B (zh) | 一种等离子体处理装置及静电卡盘与静电卡盘的制作方法 | |
CN206441705U (zh) | 一种用于真空设备的基座加热装置 | |
CN206724276U (zh) | 一种抗氧化地暖金属导热装置 | |
CN104775012A (zh) | 均匀加热带钢的宽幅面感应加热方法及装置 | |
CN204410583U (zh) | 上盖及电饭煲 | |
CN103077917A (zh) | 衬底支撑座及应用所述衬底支撑座的半导体处理设备 | |
TW201017790A (en) | A furnace temperature flip method for thermal budget balance and minimum electric parameter variation | |
CN107805732A (zh) | 一种用于电加热器的新型合金材料 | |
CN201890953U (zh) | 扩散炉装置 | |
CN202889669U (zh) | 用于对金属平面加热的加热板 | |
CN208313038U (zh) | 一种加热炉的加热装置 | |
CN207197259U (zh) | 一种具有高低组合发热棒的高温推板电窑炉 | |
KR20140052272A (ko) | 소둔공정용 열처리 장치 | |
CN206583289U (zh) | 板式加热器分组布置结构 | |
CN213126511U (zh) | 分布式发热板结构 | |
JP2015077266A (ja) | 調理器用のヒーター構造 | |
CN207031250U (zh) | 3d玻璃弯曲机的均匀加热装置及3d玻璃弯曲机 | |
CN103374813B (zh) | 烫斗底板 | |
CN213878027U (zh) | 一种晶圆表面温度一致的加热装置 | |
CN201974032U (zh) | 一种节能隧道炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 201306 plant 3, Lane 2699, Jiangshan Road, Lingang xinpian District, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai Patentee after: Ideal Wanlihui Semiconductor Equipment (Shanghai) Co.,Ltd. Address before: 201203 No.1, Curie Road, Zhangjiang hi tech, Pudong New Area, Shanghai Patentee before: SHANGHAI LIXIANG WANLIHUI FILM EQUIPMENT Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address |