CN206396324U - 一种mocvd真空烤盘炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种MOCVD真空烤盘炉,包括烤盘炉壳体、真空系统、冷却系统、气源系统、上盖、辅助加热器一、侧盖体、辅助加热器二、基盘、加热装置、隔热座、隔热层、旋转座、外锥面、内锥面、连接轴、防护层和电机;本实用新型具有结构合理简单、生产成本低,本实用新型中设置的辅助加热器一和辅助加热器二,能够有效的对基盘上面的空间进行加热,另外电热丝一和电热丝二呈扇形排列,使得整体的加热更加均匀,另外设置的外锥面和内锥面,能够有效的增加旋转座与烤盘炉壳体的接触面积,从而使空气很难进入到烤盘炉壳体内部,保证了真空烤盘炉内部的密封性,另外设置的防护层,能够有效的保证本烤盘炉的安全性,以及操作人员的安全性。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,特别涉及一种MOCVD真空烤盘炉。
背景技术
MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)即金属有机化合物化学气相沉积,是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。MOCVD设备是研发世界先进水平的S、C、X、K和Q等波段的氮化镓大功率电子器件和高压大功率固体开关器件、高端激光器件及效率可达40%以上的太阳电池等光电子器件不可或缺的。它利用较易挥发的有机物作为较难挥发的金属原子的源反应物,通过载气携带到反应器内,在适当的气压、温度等条件发生化学反应,在加热的衬底基片上外延生长出薄膜;而现有的真空烤盘炉加热不够均匀,另外真空烤盘炉内部的密封性也比较差,另外整体的安全性也比较差。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种MOCVD真空烤盘炉,解决了现有的真空烤盘炉加热不够均匀,另外真空烤盘炉内部的密封性也比较差,另外整体的安全性也比较差的问题。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种技术方案:一种MOCVD真空烤盘炉,包括烤盘炉壳体、真空系统、冷却系统、气源系统和上盖,所述真空系统、冷却系统和气源系统分别与烤盘炉壳体内部相连接,所述上盖固定连接在烤盘炉壳体顶部,其创新点在于:还包括辅助加热器一、侧盖体、辅助加热器二、基盘、加热装置、隔热座、隔热层、旋转座、外锥面、内锥面、连接轴、防护层和电机;所述辅助加热器一位于烤盘炉壳体内部顶部,所述辅助加热器一固定连接在上盖底面上;所述辅助加热器二固定连接在烤盘炉壳体内部侧壁上;所述侧盖体设在烤盘炉壳体侧面;所述隔热层固定连接在烤盘炉壳体下侧内部顶面上,所述隔热层底面中央固定连接有电机;所述电机上侧输出轴与旋转座下侧中央固定连接;所述旋转座活动连接在烤盘炉壳体内部下侧中央,所述旋转座顶部固定连接有连接轴,所述旋转座下侧外部设有外锥面;所述外锥面与内锥面相连接;所述内锥面设在烤盘炉壳体下侧内部顶面中央;所述基盘位于烤盘炉壳体内部下侧,所述基盘底部中央固定连接在连接轴顶部;所述加热装置位于基盘下侧,所述加热装置底部固定连接在隔热座上面;所述隔热座固定连接在烤盘炉壳体内部底面上;所述防护层设在烤盘炉壳体外部表面上。
作为优选,所述加热装置具体包括电热丝一、电极柱一、电热丝二、电极柱二和壳体;所述壳体内部呈扇形设有电热丝一和电热丝二;所述电热丝一两端分别固定连接有电极柱一;所述电热丝二两端分别固定连接有电极柱二;所述电极柱一和电极柱二均固定连接在壳体侧面。
作为优选,所述电机为直流减速电机。
作为优选,所述防护层由隔热防火材料制成。
本实用新型的有益效果:本实用新型具有结构合理简单、生产成本低、安装方便,功能齐全,本实用新型中设置的辅助加热器一和辅助加热器二,能够有效的对基盘上面的空间进行加热,另外电热丝一和电热丝二呈扇形排列,使得整体的加热更加均匀,另外设置的外锥面和内锥面,能够有效的增加旋转座与烤盘炉壳体的接触面积,从而使空气很难进入到烤盘炉壳体内部,保证了真空烤盘炉内部的密封性,另外设置的防护层,能够有效的保证本烤盘炉的安全性,以及操作人员的安全性。
附图说明
为了易于说明,本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为加热装置的结构示意图。
1-烤盘炉壳体;2-真空系统;3-冷却系统;4-气源系统;5-上盖;6-辅助加热器一;7-侧盖体;8-辅助加热器二;9-基盘;10-加热装置;11-隔热座;12-隔热层;13-旋转座;14-外锥面;15-内锥面;16-连接轴;17-防护层;18-电机;101-电热丝一;102-电极柱一;103-电热丝二;104-电极柱二;105-壳体。
具体实施方式
如图1所示,本具体实施方式采用以下技术方案:一种MOCVD真空烤盘炉,包括烤盘炉壳体1、真空系统2、冷却系统3、气源系统4和上盖5,所述真空系统2、冷却系统3和气源系统4分别与烤盘炉壳体1内部相连接,所述上盖5固定连接在烤盘炉壳体1顶部,还包括辅助加热器一6、侧盖体7、辅助加热器二8、基盘9、加热装置10、隔热座11、隔热层12、旋转座13、外锥面14、内锥面15、连接轴16、防护层17和电机18;所述辅助加热器一6位于烤盘炉壳体1内部顶部,所述辅助加热器一6固定连接在上盖5底面上;所述辅助加热器二8固定连接在烤盘炉壳体1内部侧壁上;所述侧盖体7设在烤盘炉壳体1侧面;所述隔热层12固定连接在烤盘炉壳体1下侧内部顶面上,所述隔热层12底面中央固定连接有电机18;所述电机18上侧输出轴与旋转座13下侧中央固定连接;所述旋转座13活动连接在烤盘炉壳体1内部下侧中央,所述旋转座13顶部固定连接有连接轴16,所述旋转座13下侧外部设有外锥面14;所述外锥面14与内锥面15相连接;所述内锥面15设在烤盘炉壳体1下侧内部顶面中央;所述基盘9位于烤盘炉壳体1内部下侧,所述基盘9底部中央固定连接在连接轴16顶部;所述加热装置10位于基盘9下侧,所述加热装置10底部固定连接在隔热座11上面;所述隔热座11固定连接在烤盘炉壳体1内部底面上;所述防护层17设在烤盘炉壳体1外部表面上。
如图2所示,所述加热装置10具体包括电热丝一101、电极柱一102、电热丝二103、电极柱二104和壳体105;所述壳体105内部呈扇形设有电热丝一101和电热丝二103;所述电热丝一101两端分别固定连接有电极柱一102;所述电热丝二103两端分别固定连接有电极柱二104;所述电极柱一102和电极柱二104均固定连接在壳体105侧面。
其中,所述电机18为直流减速电机;所述防护层17由隔热防火材料制成。
本实用新型的使用状态为:本实用新型具有结构合理简单、生产成本低、安装方便,功能齐全,本实用新型中设置的辅助加热器一6和辅助加热器二8,能够有效的对基盘9上面的空间进行加热,另外电热丝一101和电热丝二103呈扇形排列,使得整体的加热更加均匀,另外设置的外锥面14和内锥面15,能够有效的增加旋转座13与烤盘炉壳体1的接触面积,从而使空气很难进入到烤盘炉壳体1内部,保证了真空烤盘炉内部的密封性,另外设置的防护层17,能够有效的保证本烤盘炉的安全性,以及操作人员的安全性。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内,本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.一种MOCVD真空烤盘炉,包括烤盘炉壳体(1)、真空系统(2)、冷却系统(3)、气源系统(4)和上盖(5),所述真空系统(2)、冷却系统(3)和气源系统(4)分别与烤盘炉壳体(1)内部相连接,所述上盖(5)固定连接在烤盘炉壳体(1)顶部,其特征在于:还包括辅助加热器一(6)、侧盖体(7)、辅助加热器二(8)、基盘(9)、加热装置(10)、隔热座(11)、隔热层(12)、旋转座(13)、外锥面(14)、内锥面(15)、连接轴(16)、防护层(17)和电机(18);
所述辅助加热器一(6)位于烤盘炉壳体(1)内部顶部,所述辅助加热器一(6)固定连接在上盖(5)底面上;
所述辅助加热器二(8)固定连接在烤盘炉壳体(1)内部侧壁上;
所述侧盖体(7)设在烤盘炉壳体(1)侧面;
所述隔热层(12)固定连接在烤盘炉壳体(1)下侧内部顶面上,所述隔热层(12)底面中央固定连接有电机(18);
所述电机(18)上侧输出轴与旋转座(13)下侧中央固定连接;
所述旋转座(13)活动连接在烤盘炉壳体(1)内部下侧中央,所述旋转座(13)顶部固定连接有连接轴(16),所述旋转座(13)下侧外部设有外锥面(14);
所述外锥面(14)与内锥面(15)相连接;
所述内锥面(15)设在烤盘炉壳体(1)下侧内部顶面中央;
所述基盘(9)位于烤盘炉壳体(1)内部下侧,所述基盘(9)底部中央固定连接在连接轴(16)顶部;
所述加热装置(10)位于基盘(9)下侧,所述加热装置(10)底部固定连接在隔热座(11)上面;
所述隔热座(11)固定连接在烤盘炉壳体(1)内部底面上;
所述防护层(17)设在烤盘炉壳体(1)外部表面上。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD真空烤盘炉,其特征在于:所述加热装置(10)具体包括电热丝一(101)、电极柱一(102)、电热丝二(103)、电极柱二(104)和壳体(105);
所述壳体(105)内部呈扇形设有电热丝一(101)和电热丝二(103);
所述电热丝一(101)两端分别固定连接有电极柱一(102);
所述电热丝二(103)两端分别固定连接有电极柱二(104);
所述电极柱一(102)和电极柱二(104)均固定连接在壳体(105)侧面。
3.根据权利要求1所述的一种MOCVD真空烤盘炉,其特征在于:所述电机(18)为直流减速电机。
4.根据权利要求1所述的一种MOCVD真空烤盘炉,其特征在于:所述防护层(17)由隔热防火材料制成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720026126.5U CN206396324U (zh) | 2017-01-11 | 2017-01-11 | 一种mocvd真空烤盘炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720026126.5U CN206396324U (zh) | 2017-01-11 | 2017-01-11 | 一种mocvd真空烤盘炉 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206396324U true CN206396324U (zh) | 2017-08-11 |
Family
ID=59512558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720026126.5U Active CN206396324U (zh) | 2017-01-11 | 2017-01-11 | 一种mocvd真空烤盘炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN206396324U (zh) |
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- 2017-01-11 CN CN201720026126.5U patent/CN206396324U/zh active Active
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Denomination of utility model: MOCVD vacuum overware stove Effective date of registration: 20180314 Granted publication date: 20170811 Pledgee: Xi'an innovation financing Company limited by guarantee Pledgor: Xi'an Gemei Metal Material Co., Ltd. Registration number: 2018610000034 |