CN206388846U - 新型板载4g全向天线 - Google Patents

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许辉山
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Ankexun (Fujian) Technology Co., Ltd.
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Fujian Sunnada Network Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供了一种新型板载4G全向天线,包括倒F天线本体、耦合接地片、第二辐射片、第一引向片和第二引向片,所述倒F天线本体包括馈电片、短接片和第一辐射片,所述馈电片位于所述倒F天线本体的中部,所述短接片的形状为L形,所述短接片位于所述馈电片的下方,所述第一辐射片位于所述馈电片的上方,所述馈电片另一端与外设的电路板连接;所述耦合接地片一端与所述短接片的另一端连接,第二辐射片与第一辐射片平行设置,所述第二辐射片也与所述馈电片连接,第一引向片位于所述倒F天线本体的上方,且与馈电片平行设置,第二引向片位于所述倒F天线本体的下方,且与馈电片平行设置。所述天线体积小、增益强、具有全向辐射能力。

Description

新型板载4G全向天线
技术领域
本实用新型涉及4G天线技术领域,特别涉及一种新型板载4G全向天线。
背景技术
近年来随着TD-LTE的迅猛发展,人民对通信网络及数据流量要求越来越高,尽管宏站建设已经覆盖了各个城市,然而城市综合环境复杂,网络信号覆盖仍然存在较多盲区,特别是室内应用场景,信号弱,用户量多,这都是亟需解决的问题。由于宏站站址资源匮乏,建站成本高,依靠增加宏站建设并不是解决该问题的最佳途径。分布式解决方案正是针对室内热点扩容和盲点补充的室内无线多模深度覆盖解决方案。
在室内覆盖设备中,内置天线直接集成在主板上,体积小,经济成本低,而且相对外置天线等其他非集成一体化的天线而言,它减少了主板射频端口与天线端口之间的连接损耗,从而减少射频功率损耗并提高设备稳定性。所以从工艺、经济、性能三个角度分析,内置天线具有无与伦比的优势,在室内覆盖设备中,得到越来越多的应用。
目前内置集成天线采用的方案有:PIFA面天线、金属结构IFA。PIFA虽然增益大,但需要一定的高度空间,而金属结构IFA也需要一定的高度空间,而且因为它垂直焊接在主板上,也难以满足辐射场的全向性。由于天线与设备主板集成一体化,主板上金属散热器、插件器件和天线区域空间较小等因素的限制都加大天线设计难度,天线辐射场性能难以达到全向覆盖的效果。在复杂的主板环境中如何保证内置天线辐射场的全向性、天线本身驻波比及同频天线之间的隔离度指标是业界一直在突破的重要问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种新型板载4G全向天线,将天线内置在电路板上,使体积小、加工性和经济性好,提高天线增益,改善天线阻抗匹配,降低驻波比,并使天线具有全向辐射能力。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种新型板载4G全向天线,包括倒F天线本体、耦合接地片、第二辐射片、第一引向片和第二引向片,所述倒F天线本体包括馈电片、短接片和第一辐射片,所述馈电片位于所述倒F天线本体的中部,所述短接片的形状为L形,所述短接片位于所述馈电片的下方,所述第一辐射片位于所述馈电片的上方,所述馈电片一端与所述短接片的一端和第一辐射片的一端连接,另一端与外设的电路板连接;所述耦合接地片一端与所述短接片的另一端连接,所述第二辐射片与所述第一辐射片平行设置,所述第二辐射片也位于所述馈电片的上方,所述第二辐射片也与所述馈电片连接,所述第一引向片位于所述倒F天线本体的上方,且与所述馈电片平行设置,所述第一引向片一端与外设的电路板连接,所述第二引向片位于所述倒F天线本体的下方,且与所述馈电片平行设置,所述第二引向片一端与外设的电路板连接。
进一步的,所述耦合接地片与所述馈电片垂直设置,且所述耦合接地片的另一端向所述馈电片延伸设置。
进一步的,所述耦合接地片到外设的电路板的边界的距离为0.3mm。
进一步的,所述4G全向天线的厚度为1.6mm。
进一步的,所述第一辐射片的宽度为1.3mm。
进一步的,所述第二辐射片的宽度为1.2mm,所述第一辐射片与第二辐射片之间的距离为4.5-4.8mm。
进一步的,所述第一引向片的宽度为1mm。
进一步的,所述第一引向片的长度为8-8.5mm。
进一步的,所述第二引向片的宽度为2mm。
进一步的,所述第二引向片的长度为13.3mm。
本实用新型的有益效果在于:馈电片、第一辐射片和L形的短接片组成倒F天线本体,馈电片直接与电路连接,使4G天线与电路板直接连接,具有体积小、节省空间、阻抗低的优点;在馈电片上连接有平行设置的第一辐射片和第二辐射片,两个辐射片的存在缩短了4G天线的长度,使4G天线具有双谐振功能,提高了4G天线在馈电点的阻抗匹配能力,且第一辐射片与第二辐射片之间的距离大小还可调节4G天线的阻抗、驻波比以及带宽;耦合接地片与短接片连接,使倒F天线本体具有耦合接地能力;第一引向片和第二引向片分别位于倒F天线的上方和下方,且均与电路板连接,第一引向片和第二引向片协同作用,共同改善4G天线的辐射场,结合倒F天线本体,所述4G天线具有全向辐射的能力。
附图说明
图1为本实用新型实施例的新型板载4G全向天线的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的新型板载4G全向天线的辐射效果图。
标号说明:
1、倒F天线本体;2、耦合接地片;3、第二辐射片;4、第一引向片;
5、第二引向片;6、电路板;
11、馈电片;12、短接片;13、第一辐射片。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本实用新型最关键的构思在于:将倒F天线本体与电路板连接,耦合接地片与倒F天线本体连接,设置两个辐射片,还设有分别位于倒F天线本体上方和下方的第一引向片和第二引向片,使4G天线体积小,且具有全向辐射能力。
请参照图1,本实用新型提供了一种新型板载4G全向天线,包括倒F天线本体1、耦合接地片2、第二辐射片3、第一引向片4和第二引向片5,所述倒F天线本体1包括馈电片11、短接片12和第一辐射片13,所述馈电片11位于所述倒F天线本体1的中部,所述短接片12的形状为L形,所述短接片12位于所述馈电片11的下方,所述第一辐射片13位于所述馈电片11的上方,所述馈电片11一端与所述短接片12的一端和第一辐射片13的一端连接,另一端与外设的电路板6连接;所述耦合接地片2一端与所述短接片12的另一端连接,所述第二辐射片3与所述第一辐射片13平行设置,所述第二辐射片3也位于所述馈电片11的上方,所述第二辐射片3也与所述馈电片11连接,所述第一引向片4位于所述倒F天线本体1的上方,且与所述馈电片11平行设置,所述第一引向片4一端与外设的电路板6连接,所述第二引向片5位于所述倒F天线本体1的下方,且与所述馈电片11平行设置,所述第二引向片5一端与外设的电路板6连接。
进一步的,所述耦合接地片2与所述馈电片11垂直设置,且所述耦合接地片2的另一端向所述馈电片11延伸设置。
由上述描述可知,耦合接地片2一端与短接片12的另一端连接,另一端向馈电片11延伸设置,且耦合接地片2与馈电片11垂直设置,则耦合接地片2的另一端指向馈电片11的另一端,馈电片11另一端与电路板6连接,则耦合接地片2靠近电路板6的边界,结构合理,保证耦合接地稳定性。
进一步的,所述耦合接地片2到外设的电路板6的边界的距离为0.3mm。
由上述描述可知,外设的电路板6在与所述耦合接地片2位置对应的边界上设有地线,耦合接地片2到电路板6的边界的距离为0.3mm,具有结构紧凑,耦合接地性能稳定的特点。
进一步的,所述4G全向天线的厚度为1.6mm。
由上述描述可知,4G全向天线的厚度为1.6mm,具有体积小、重量轻、便于安装的优点。
进一步的,所述第一辐射片13的宽度为1.3mm。
由上述描述可知,第一辐射片13的宽度为1.3mm,具有体积小、重量轻、便于安装的优点。
进一步的,所述第二辐射片3的宽度为1.2mm,所述第一辐射片13与第二辐射片3之间的距离为4.5-4.8mm。
由上述描述可知,第二辐射片3的宽度为1.2mm,具有体积小、重量轻、便于安装的优点;第一辐射片13与第二辐射片3之间的间距会影响4G天线在馈电点的阻抗匹配能力、驻波比以及带宽,将第一辐射片13与第二辐射片3之间的距离设为4.5-4.8mm,使4G天线具有较好的馈电点阻抗匹配能力、驻波比以及良好的带宽。
进一步的,所述第一引向片4的宽度为1mm。
由上述描述可知,第一引向片4的宽度为1mm,具有体积小、重量轻、便于安装的优点。
进一步的,所述第一引向片4的长度为8-8.5mm。
由上述描述可知,第一引向片4的长度为8-8.5mm,便于对天线的辐射方向进行引导。
进一步的,所述第二引向片5的宽度为2mm。
由上述描述可知,第二引向片5的宽度为2mm,具有体积小、重量轻、便于安装的优点。
进一步的,所述第二引向片5的长度为13.3mm。
由上述描述可知,第二引向片5的长度为13.3mm,便于对天线的辐射方向进行引导。
进一步的,外设的电路板6的右上角设有一个与所述4G全向天线形状适配的L形缺口。
由上述描述可知,所述4G天线安装在电路板6的右上角的L形缺口处,使4G天线不占用额外的空间,不超过电路板6在长度和宽度方向上的轮廓,安装便捷。
进一步的,外设的电路板6上安装有散热器,所述散热器在所述电路板6的L形缺口处也设有相同形状的缺口。
由上述描述可知,所述4G天线所在位置处的散热器也同样设置有对应的缺口,可以减少金属散热器对天线辐射场的影响。
请参照图1,本实用新型的实施例一为:
一种新型板载4G全向天线,包括倒F天线本体1、耦合接地片2、第二辐射片3、第一引向片4和第二引向片5,所述倒F天线本体1包括馈电片11、短接片12和第一辐射片13,所述馈电片11位于所述倒F天线本体1的中部,所述短接片12的形状为L形,所述短接片12位于所述馈电片11的下方,所述第一辐射片13位于所述馈电片11的上方,所述馈电片11一端与所述短接片12的一端和第一辐射片13的一端连接,另一端与外设的电路板6连接;所述耦合接地片2一端与所述短接片12的另一端连接,所述第二辐射片3与所述第一辐射片13平行设置,所述第二辐射片3也位于所述馈电片11的上方,所述第二辐射片3也与所述馈电片11连接,所述第一引向片4位于所述倒F天线本体1的上方,且与所述馈电片11平行设置,所述第一引向片4一端与外设的电路板6连接,所述第二引向片5位于所述倒F天线本体1的下方,且与所述馈电片11平行设置,所述第二引向片5一端与外设的电路板6连接;优选地,所述耦合接地片2与所述馈电片11垂直设置,且所述耦合接地片2的另一端向所述馈电片11延伸设置。
请参照图1至图2,本实用新型的实施例二为:
一种新型板载4G全向天线,在实施例一的基础上,具体尺寸为:所述4G全向天线的厚度为1.6mm,所述耦合接地片2到外设的电路板6的边界的距离为0.3mm,所述第一辐射片13的宽度为1.3mm,所述第二辐射片3的宽度为1.2mm,所述第一辐射片13与第二辐射片3之间的距离为4.5-4.8mm,所述第一引向片4的宽度为1mm,长度为8-8.5mm,所述第二引向片5的宽度为2mm,长度为13.3mm。
对上述4G全向天线的辐射效果进行测试,具体测试结果见图2所示,从图2中可以看出,上述4G全向天线在360°范围内均具有较好的辐射效果。
综上所述,本实用新型提供的新型板载4G全向天线,通过馈电片11直接与外设的电路板6连接,通过耦合接地片2与电路板6耦合接地,通过第一辐射片13和第二辐射片3形成双谐振功能,通过第一引向片4和第二引向片5进行方向引导,所述4G天线体积小、安装便捷,加工性和经济性好,提高了天线增益,具有良好的馈电点阻抗匹配能力,良好的驻波比,良好的带宽,且具有360°全向辐射能力。
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种新型板载4G全向天线,其特征在于,包括倒F天线本体、耦合接地片、第二辐射片、第一引向片和第二引向片,所述倒F天线本体包括馈电片、短接片和第一辐射片,所述馈电片位于所述倒F天线本体的中部,所述短接片的形状为L形,所述短接片位于所述馈电片的下方,所述第一辐射片位于所述馈电片的上方,所述馈电片一端与所述短接片的一端和第一辐射片的一端连接,另一端与外设的电路板连接;所述耦合接地片一端与所述短接片的另一端连接,所述第二辐射片与所述第一辐射片平行设置,所述第二辐射片也位于所述馈电片的上方,所述第二辐射片也与所述馈电片连接,所述第一引向片位于所述倒F天线本体的上方,且与所述馈电片平行设置,所述第一引向片一端与外设的电路板连接,所述第二引向片位于所述倒F天线本体的下方,且与所述馈电片平行设置,所述第二引向片一端与外设的电路板连接。
2.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述耦合接地片与所述馈电片垂直设置,且所述耦合接地片的另一端向所述馈电片延伸设置。
3.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述耦合接地片到外设的电路板的边界的距离为0.3mm。
4.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述4G全向天线的厚度为1.6mm。
5.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第一辐射片的宽度为1.3mm。
6.根据权利要求5所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第二辐射片的宽度为1.2mm,所述第一辐射片与第二辐射片之间的距离为4.5-4.8mm。
7.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第一引向片的宽度为1mm。
8.根据权利要求7所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第一引向片的长度为8-8.5mm。
9.根据权利要求1所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第二引向片的宽度为2mm。
10.根据权利要求9所述的新型板载4G全向天线,其特征在于,所述第二引向片的长度为13.3mm。
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