CN206312735U - 超薄变压器 - Google Patents

Abstract

一种超薄变压器，该超薄变压器包括磁芯和骨架，磁芯包括下盖及上盖，下盖设置有导磁柱及半封闭容槽，上盖与半封闭容槽之间形成有容置空间；骨架包括架体及两引脚，架体设置有中孔和绕线槽，绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈，绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈，架体嵌入容置空间中，导磁柱穿设于中孔内，上盖及下盖分别与架体连接，一引脚与初级线圈连接并外露于容置空间，另一引脚与次级线圈连接并外露于容置空间。上述超薄变压器，整体的高度得到显著地降低，与此同时增强了磁芯的磁导率，减小了电磁干扰，提升了能量转换效率，并且具有良好散热效果。

Description

超薄变压器

技术领域

本实用新型涉及变压器技术领域，特别是涉及一种超薄变压器。

背景技术

随着电子技术的迅速发展，人们对电子产品的要求越来越高，就目前来讲，大部分的电子产品正朝着高性价比、小型化、薄型化方向发展，而超薄变压器的出现为电子产品的小型化及薄型化发展提供了可能。

然而，现今市面上的一些超薄变压器还是不能满足社会的需求，如超薄型的LED灯具等，这些灯具希望能更薄、成本更低、功能更强大，因此也对超薄变压器有了更高的要求。

实用新型内容

基于此，有必要针对如何使产品体积更薄、功率密度更高的技术问题，提供一种超薄变压器。

一种超薄变压器，该超薄变压器包括磁芯和骨架，所述磁芯为扁平结构，所述磁芯包括下盖及上盖，所述下盖设置有导磁柱及半封闭容槽，所述导磁柱位于所述半封闭容槽中，且所述上盖与所述半封闭容槽之间形成有容置空间；所述骨架包括架体及与所述架体连接的两引脚，所述架体设置有中孔和绕线槽，所述绕线槽围绕所述中孔设置，所述绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈，所述绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈，所述架体嵌入所述容置空间中，所述导磁柱穿设于所述中孔内，且导磁柱远离下盖的一端与上盖抵接，所述上盖及所述下盖分别与所述架体连接，一所述引脚与所述初级线圈连接并外露于所述容置空间，另一所述引脚与所述次级线圈连接并外露于所述容置空间。

在其中一个实施例中，所述导磁柱具有椭圆形的横截面。

在其中一个实施例中，所述半封闭容槽具有两个相对应的开口，所述导磁柱朝向所述半封闭容槽的两个开口的方向拉伸形成椭圆形的柱体结构。

在其中一个实施例中，所述磁芯的最大长度的二分之一小于所述导磁柱的最大外径。

在其中一个实施例中，所述磁芯为扁平的规则形状结构。

在其中一个实施例中，所述磁芯为扁平的正方形结构。

在其中一个实施例中，所述磁芯为扁平的长方形结构。

在其中一个实施例中，所述骨架为扁平结构。

在其中一个实施例中，所述第一导线为漆包线或者套管包线。

在其中一个实施例中，所述第二导线为漆包线或者套管包线。

上述超薄变压器，整体的高度得到显著地降低，与此同时增强了磁芯的磁导率，减小了电磁干扰，提升了能量转换效率，并且具有良好散热效果，绝缘性能也得到了进一步的增强，对于电源小型化、薄型化，对提高电源的功率密度及提升电源的效率有着突出的贡献。

附图说明

图1为一个实施例中超薄变压器的结构示意图；

图2为另一个实施例中超薄变压器的结构示意图；

图3为一个实施例中上盖的结构示意图；

图4为一个实施例中下盖的结构示意图；

图5为一个实施例中上盖与下盖的连接结构示意图；

图6为另一个实施例中磁芯的结构示意图；

图7为另一个实施例中磁芯的结构示意图；

图8为另一个实施例中下盖的结构示意图；

图9为一个实施例中骨架的结构示意图；

图10为另一个实施例中骨架的结构示意图；

图11为另一个实施例中骨架的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

请参阅图1，例如，一种超薄变压器10包括磁芯110及骨架120，骨架120设置于磁芯110中。例如，由电磁感应原理以及传统的变压器的结构类推可知，磁芯110用于产生电滋力并引导磁场的分布。例如，骨架120用于设置电源变压用的线圈，以升高输入的电压或者降低输入的电压。例如，磁芯110为由各种氧化铁混合物组成的烧结磁性金属氧化物。例如，磁芯110为锰-锌铁氧体材料制成；又如，磁芯110为镍-锌铁氧体材料制成，以利用其高磁导率和高磁通密度的特点降低对电磁场的损耗。

本实施例中，磁芯110为扁平结构。也就是说，磁芯110在整体上呈现出扁平的形状结构，以满足电子产品的小型化及薄型化的发展需求，可以理解，扁平结构的磁芯110可以降低电子产品的体积，使得电子产品也趋向于小型化及薄型化。例如，磁芯110为扁平的规则形状结构。一实施例中，磁芯110为扁平的正方形结构。一实施例中，磁芯110为扁平的长方形结构。

同理的，例如，骨架120为扁平结构。也就是说，骨架120在整体上呈现出扁平的形状结构，以满足电子产品的小型化及薄型化的发展需求。可以理解，由于磁芯110为扁平结构，骨架120设置于磁芯110中，因此骨架120也应为扁平结构，以使得超薄变压器整体为扁平的结构。

请一并参阅图2、图3和图4，例如，磁芯110包括上盖111及下盖112。本实施例中，下盖112及上盖111对称设置。下盖112设置有第一半封闭容槽113及第一中柱114。对应的，上盖111设置有第二半封闭容槽115及第二中柱116。本实施例中，第一中柱114和第二中柱116为相同的形状结构。

需要说明的是，第一半封闭容槽113以及第二半封闭容槽115均为半封闭槽，也就是说，第一半封闭容槽113以及第二半封闭容槽115均为半开放的形式，可以理解，半封闭或者说半开放的形式主要是为了设置所述骨架120，以使骨架120的引脚外露，从而便于接线。

例如，第一中柱114位于第一半封闭容槽113中。例如，第二中柱116位于第二半封闭容槽115中。进一步的，第一中柱114位于第一半封闭容槽113的中部区域。进一步的，第二中柱116位于第二半封闭容槽115的中部区域。这样可以更合理的设置磁芯110，使得导磁的效果更好。

例如，下盖112一体成型设置第一中柱114。例如，下盖112一体成型设置第二中柱116。这样可以提高结构的稳定性，提高产品的使用寿命。

请参阅图5，例如，第一中柱114与第二中柱116抵接并形成有导磁柱117。本实施例中，第一中柱114和第二中柱116具有椭圆形的横截面，也就是说，第一中柱114和第二中柱116均为椭圆形的柱体结构。对应的，例如，导磁柱117具有椭圆形的横截面。例如，第一中柱114的轴线与第二中柱116的轴线共线设置。这样，第一中柱114和第二中柱116结合成导磁柱117，使得导磁柱117从整体上可以更好更优化地引导磁场。

例如，第一半封闭容槽113和第二半封闭容槽115之间形成有容置空间118。导磁柱117位于容置空间118中。进一步的，导磁柱117位于容置空间118的中部区域。这样可以更好地设置导磁柱117与所述骨架120的位置关系。

请一并参阅图5和图6，一实施例中，第一中柱114和第二中柱116一体成型形成导磁柱117，第二半封闭容槽115和第一半封闭容槽113一体成型形成半封闭容槽119，导磁柱117位于半封闭容槽119中，且上盖111与半封闭容槽119之间形成有容置空间118。例如，下盖112设置有导磁柱117；又如，导磁柱117与下盖112固定连接；又如，下盖112一体形成该导磁柱117。例如，导磁柱117与上盖111可拆卸连接。这样，一体成型的导磁柱117可以更好地引导磁场，提高电能的转换效率。

例如，第二半封闭容槽115和第一半封闭容槽113均具有两个相对应的开口。又如，半封闭容槽具有两个相对应的开口，导磁柱117朝向半封闭容槽的两个开口的方向拉伸形成椭圆形的柱体结构。进一步的，磁芯110的最大长度的二分之一小于导磁柱117的最大外径。这样可以更好的引导电磁场，提高变压器的能量转化效率。

请一并参阅图5、图6和图7，为了提高装配效率，一实施例中，磁芯110包括下盖112、上盖111及导磁柱117，也就是说，导磁柱117分别与下盖112及上盖111可拆卸连接。例如，下盖112设置有第一限位槽1121，上盖111设置有第二限位槽1111，导磁柱117的一端插设于第一限位槽1121中，另一端插设于第二限位槽1111中。又如，导磁柱117的一端螺接于第一限位槽1121中，另一端螺接于第二限位槽1111中。这样，通过下盖112、上盖111及导磁柱117分离独立设置的形式，使得导磁柱117分别与下盖112及上盖111可拆卸连接，可以有效地提高装配效率，节省组装成本。

请一并参阅图4、图7和图8，例如，下盖112包括下板体131及位于下板体131两侧的下档条132，下板体131与两下档条132之间形成第一半封闭容槽113。例如，两下档条132凸出于下板体131的同一侧面。例如，下板体131朝背向下档条132的方向凹陷形成第一限位槽1121。例如，下档条132具有弧形的侧面；又如，两个下档条132的弧形的侧面相对设置。

例如，下盖和上盖为对称结构，对应的，例如，上盖包括上板体及位于上板体两侧的上档条，上板体与两上档条之间形成第二半封闭容槽。例如，两上档条凸出于上板体的同一侧面。例如，上板体朝背向上档条的方向凹陷形成第二限位槽。

请参阅图9，例如，骨架120包括架体121及两引脚122，两引脚122与架体121连接。例如，架体121设置有中孔123和绕线槽124，绕线槽124围绕中孔123设置。本实施例中，绕线槽124中盘绕有第一导线(图未示)以形成初级线圈(图未示)，绕线槽124中盘绕有第二导线(图未示)以形成次级线圈(图未示)。需要说明的是，初级线圈和次级线圈的位置关系可以根据产品的实际需求进行调整，结合图图5、图6、图7、图8和图9，例如，初级线圈位于第一半封闭容槽中，又如，次级线圈位于第二半封闭容槽中。

例如，架体121嵌入容置空间118中，导磁柱117穿设于中孔123内，且导磁柱117远离下盖112的一端与上盖111抵接，上盖111及下盖112分别与架体121连接，一引脚122与初级线圈连接并外露于容置空间118，另一引脚122与次级线圈连接并外露于容置空间118。这样，骨架120可以较好地设置于磁芯110中，以形成一种超薄、体积小、功率密度高的超薄变压器，大大减小了变压器的整体高度、提升了变压器功率密度，使该型号变压器可以有广泛的应用。

进一步的，为方便外部线缆与引脚122的接线，例如，两引脚122设置于架体121的相异位置。例如，两引脚122对称设置于架体121的两侧壁上。这样可以更好地将外部的线缆接入引脚122上。

例如，中孔123的横截面的形状结构等于导磁柱117的横截面的形状结构。这样可以更好地将导磁柱117穿过中孔123。

例如，第一导线为漆包线或者套管包线。例如，第二导线为漆包线或者套管包线。也就是说，骨架可盘绕漆包线、套管包线或混合搭配，具有良好的绝缘性能，符合各种安全规范。本实施例中，骨架为绝缘体。

本实施例中，超薄变压器装配合成后如图1所示，其包括有磁芯和骨架，分解后如图2、图3和图4所示，磁芯由上盖和下盖对合形成，磁芯为扁平方形，其上下盖及为对称体。磁芯内部设有中柱及围绕中柱的半封闭容槽，中柱为椭长形柱体，中柱最大外径朝半封闭容槽之开口侧方向拉伸，中柱最大外径的尺寸大于磁芯同向的长度尺寸的一半。骨架为扁平体，骨架嵌设于磁芯内部的容槽，磁芯的中柱则插入骨架的中孔；导线绕在骨架空间内，围绕磁芯的中柱外周盘绕，构成变压器的初级线圈和次级线圈；骨架上设有分别与初级线圈和次级线圈连接的引脚，骨架为绝缘体，骨架可盘绕漆包线、套管包线或混合搭配，具有良好的绝缘性能，符合各种安全规范。

请一并参阅图9、图10和图11，例如，架体121包括第一限位板141、套筒142及第二限位板143，两引脚122分别与第二限位板143连接，第一限位板141开设有第一通孔(图未示)，第二限位板143开设有与第一通孔相对应的第二通孔(图未示)，套筒142具有穿孔(图未示)，套筒142分别与第一限位板141及第二限位板143连接，且第一通孔、穿孔及第二通孔依次连通，例如，第一通孔、穿孔及第二通孔依次连通形成中孔123。

例如，第一限位板141、套筒142及第二限位板143一体成型。这样可以提高架体121整体的机械强度，提高产品的使用寿命。

请一并参阅图1、图10和图11，例如，第一限位板141的两侧设置有卡接块151，第二限位板143的两侧设置有限位块152，卡接块151卡设于上盖111的背向骨架120的侧边上，限位块152与下盖112的背向骨架120的侧边抵接。例如，第一限位板141的两侧一体设置有卡接块151，第二限位板143的两侧一体设置有限位块152。这样，通过卡接块151和限位块152可以使得骨架120与磁芯110紧密扣合连接，提高了装配的稳定性。

通过上述实施方式，本实用新型是整体高度较小并且安全性能较好的一种超薄变压器，具有良好的功能性、散热效果及绝缘性能，大大减小了变压器的整体高度、提升了变压器功率密度，使该型号变压器可以有广泛的应用。

值得一提的是，本实用新型的变压器已用于0-10V调光系列LED驱动电源和超薄隔离型LED驱动电源上面，本产品可适用于消费型LED灯具、酒店及别墅等高档场所使用的LED灯具。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种超薄变压器，其特征在于，包括：

磁芯，所述磁芯为扁平结构，所述磁芯包括下盖及上盖，所述下盖设置有导磁柱及半封闭容槽，所述导磁柱位于所述半封闭容槽中，且所述上盖与所述半封闭容槽之间形成有容置空间；

骨架，所述骨架包括架体及与所述架体连接的两引脚，所述架体设置有中孔和绕线槽，所述绕线槽围绕所述中孔设置，所述绕线槽中盘绕有第一导线以形成初级线圈，所述绕线槽中盘绕有第二导线以形成次级线圈，

所述架体嵌入所述容置空间中，所述导磁柱穿设于所述中孔内，且导磁柱远离下盖的一端与上盖抵接，所述上盖及所述下盖分别与所述架体连接，一所述引脚与所述初级线圈连接并外露于所述容置空间，另一所述引脚与所述次级线圈连接并外露于所述容置空间。

2.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述导磁柱具有椭圆形的横截面。

3.根据权利要求2所述的超薄变压器，其特征在于，所述半封闭容槽具有两个相对应的开口，所述导磁柱朝向所述半封闭容槽的两个开口的方向拉伸形成椭圆形的柱体结构。

4.根据权利要求3所述的超薄变压器，其特征在于，所述磁芯的最大长度的二分之一小于所述导磁柱的最大外径。

5.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述磁芯为扁平的规则形状结构。

6.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述磁芯为扁平的正方形结构。

7.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述磁芯为扁平的长方形结构。

8.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述骨架为扁平结构。

9.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述第一导线为漆包线或者套管包线。

10.根据权利要求1所述的超薄变压器，其特征在于，所述第二导线为漆包线或者套管包线。