CN206301046U - 高效能闪烁晶体阵列 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种高效能闪烁晶体阵列,属于医疗器械设备领域,解决了现有技术中闪烁晶体阵列放光效率下降、阵列物理强度不足、及光学UV胶溢出导致加工难度增加等问题,提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,涂胶结合处位于反射膜两侧的上下两段1/10‑4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20‑50%,本实用新型通过减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗,在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高30%的光输出。
Description
技术领域
本实用新型属于医疗器械设备领域,具体涉及一种高效能闪烁晶体阵列。
背景技术
多数高能射线探测器应用过程中使用闪烁晶体阵列作为能量接收端,受到能量激发的闪烁晶体放出荧光,由光电倍增管(PMT)将光信号转换成电子信号后输出。高能射线探测器的效率受闪烁晶体阵列的光输出及能量分辨率影响,具有较高光输出(light output)的闪烁晶体阵列可以缩短探测器所需的侦测时间,并提高准确率。闪烁晶体的生长已经十分成熟,闪烁晶体阵列的性能很难依靠提升材料的品质而有所成长,需藉由阵列组装工艺来提升闪烁晶体阵列的性能。
通常情况下,使用高反射率反射膜作为闪烁晶体阵列的反射层,阵列的组装过程中会在每根晶条之间以UV胶将反射膜与闪烁晶体晶条接合,确定阵列的排序及位置无误后再进行固定,现阶段使用UV胶的方法为“完全涂胶”,指晶条与反射膜之间涂满UV胶并且压紧后无空隙存在,但过多的UV胶导致闪烁晶体阵列的放光效率降低,且溢出的UV胶布满阵列端面,导致后续加工困难,若减少UV胶的使用量也会导致阵列强度不足易散开的问题,导致晶体阵列的放光效率下降及产生漏光的问题。
实用新型内容
为了解决现有技术中闪烁晶体阵列中晶条若UV胶过多则影响放光效率或污染阵列端面,而UV胶过少则使阵列强度不足,受压等情况下易发生损坏、放光效率降低、产生漏光现象等缺陷,本实用新型提供一种放光效率高、强度大、不会污染阵列端面的高效能闪烁晶体阵列。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案如下:一种高效能闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20-50%,光学UV胶层位于在反射膜上。
做为本实用新型的优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置,两区域共占反射膜总面积的30-50%,光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。
做为本实用新型的更优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的40-50%,光学UV胶层位于在涂胶接合处范围内,均匀的贴合于涂胶接合处上。
做为本实用新型的最优选技术方案,涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的50%。
做为本实用新型的优选技术方案,位于反射膜两侧的涂胶结合处位置相对,大小相同。
所述晶条为N×M条,N≥2,M≥2,组合成阵列,大多情况下,N=M。
还包括高反射率外包层,高反射率外包层位于阵列外,包裹阵列的5个面,未被包裹的阵列的面为由闪烁晶体晶条端面组成的平面。
当然,做为本实用新型的替换,涂胶接合处也可以在闪烁晶体晶条上,光学UV胶层基本位于涂胶接合处范围内,光学UV胶层的形状可以不规则,也可以规则。但是这是一种变劣的技术方案,因为闪烁晶体晶条对洁净度的需求非常高,若在闪烁晶体晶条上设置涂胶接合处进行光学UV胶层的铺设,很容易污染闪烁晶体晶条,使得产品质量下降。
与现有阵列制作方式相比,本实用新型的有益效果:
1.本实用新型与传统方式比较,减少光学UV胶层量和控制光学UV胶层分布位置可以减少放光损耗,在相同晶体材料、光学UV胶的条件下能提高30%的光输出(lightoutput)。
2.本实用新型适当减少光学UV胶的使用量和控制其位置,并使其达到最佳的平衡,避免UV胶在组装过程中溢出残留于阵列表面,减低组装过程中的难度。
3.本实用新型控制UV胶的接合位置,使阵列具有良好的固化强度,经试验验证,与全面积涂胶强度差别不大,完全能适应3倍当前工作环境压力的条件,经循环压力检测,没发生脱落、损坏。
4.本实用新型控制涂胶位置,降低了因中部位置涂胶而产生的放光损耗,经试验验证,在相同晶体材料、光学UV胶、涂胶面积相同的情况下,在上下两端不涂胶,只在中部涂胶,则强度降低,放光损耗也比在两端涂胶大。
5.本实用新型产品光输出强,牢固性强,结构设计科学合理、降低了组装难度,适宜推广应用。
附图说明
图1为实施例1高效能闪烁晶体阵列结构示意图;
图2为实施例1晶条和高反射率反射层拆分结构示意图;
图3为实施例1晶条和高反射率反射层组合结构示意图;
图4为实施例2晶条和高反射率反射层组合结构示意图。
具体实施方式
下面参照附图详细描述本实用新型的实施方式。
实施例1:
参见图1-3本实施例高效能闪烁晶体阵列结构示意图,其中图3是选取了高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合:
一种高效能闪烁晶体阵列,它包括闪烁晶体晶条3、高反射率反射层4,所述闪烁晶体晶条为25条,形成5×5的阵列1,还包括高反射率外包层2,高反射率外包层2位于阵列1外,包裹阵列1的5个面,未被包裹的阵列1的面为由闪烁晶体晶条端面8组成的平面。
所述高反射率反射层4位于闪烁晶体晶条3与晶条之间;所述高反射率反射层4包括反射膜5、光学UV胶层6和涂胶接合处7,其中,位于反射膜5两侧的涂胶结合处7位置相对大小相同,涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的30%左右,光学UV胶层6均匀分布在涂胶接合处7上。
上述各图仅为示意图,仅供参考和理解,具体比例和位置以实施例说明为准。
实施例2:
参见图4,其中图4是选取了本实施例高效能闪烁晶体阵列中部的3条闪烁晶体晶条和高反射率反射层的组合:涂胶结合处7位于反射膜5两侧的上段3/22-6/22及下段3/22-6/22位置,涂胶结合处7中心位于上段及下段的3.5/22位置上,涂胶结合处7的上下两段上的两区域共占反射膜总面积的27%。其余同实施例1。上述各图仅为示意图,具体比例和位置以实施例说明为准。
实施例3:
涂胶结合处7中心位于反射膜5两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的50%,其余同实施例1。
当然,以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
Claims (7)
1.一种高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:它包括闪烁晶体晶条、高反射率反射层,所述闪烁晶体晶条为1条以上,所述高反射率反射层位于闪烁晶体晶条与闪烁晶体晶条之间;所述高反射率反射层包括反射膜、光学UV胶层和涂胶接合处,其中,涂胶结合处位于反射膜两侧的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,两区域共占反射膜总面积的20-50%,光学UV胶层位于在反射膜上。
2.根据权利要求1所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:所述涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置,两区域共占反射膜总面积的30-50%;反射膜与闪烁晶体晶条侧面大小和形状都相同;光学UV胶层位于在涂胶接合处及涂胶接合处至端面边沿的范围内。
3.根据权利要求2所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:涂胶结合处中心位于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的40-50%;光学UV胶层位于在涂胶接合处范围内,均匀的贴合于涂胶接合处上。
4.根据权利要求3所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:涂胶结合处位中心于反射膜两侧的上段1/3及下段1/3位置,两区域共占反射膜总面积的50%。
5.根据权利要求2所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:位于反射膜两侧的涂胶结合处位置相对,大小相同。
6.根据权利要求1所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:所述晶条为N×M条,N≥2,M≥2组合成阵列。
7.根据权利要求6所述的高效能闪烁晶体阵列,其特征在于:还包括高反射率外包层,高反射率外包层位于阵列外,包裹阵列的5个面,未被包裹的阵列的面为由闪烁晶体晶条端面组成的平面。
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