CN206258170U - 液位传感器校准装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种液位传感器校准装置，包括：储液罐；位于储液罐侧壁上且垂直排列的至少两个液位传感器；位于储液罐内，并通过与第一阀门和第二阀门配合，将储液罐隔离成第一腔室和第二腔室的隔离墙壁，其中，第一阀门位于所述储液罐上方，第二阀门位于所述储液罐下方，所述隔离墙壁分别与所述储液罐上方和下方设有预设距离；位于所述储液罐上方、且部分进入所述储液罐内的液流管，其中，所述液流管上设置有第三阀门；位于所述第二腔室上表面的注入口；以及位于所述第二腔室下表面的排泄口。通过本实用新型提供的液位传感器校准装置，解决了利用现有校准装置进行校准时不仅耗费时间、浪费研磨液，而且还降低了校准的效率和准确度的问题。

Description

液位传感器校准装置

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，特别是涉及一种液位传感器校准装置。

背景技术

基于全球经济的快速发展，IC技术(Integrated circuit)已经渗透到国防建设和国民经济发展的各个领域，成为世界第一大产业。IC所用的材料主要是硅和砷化镓等，全球90％以上IC都采用硅片。随着半导体工业的飞速发展，一方面，为了增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大；另一方面，为了提高IC的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺，它极大地影响着材料和器件的成品率，并肩负消除前加工表面损伤沾污以及控制诱生二次缺陷和杂质的双重任务。在特定的抛光设备条件下，硅片抛光效果取决于抛光剂及其抛光工艺技术。

最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光，例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing)取代了旧的方法，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光液(浆料)的化学腐蚀作用，在化学成膜和机械去膜的交替过程中，从被研磨的介质表面上去除极薄的一层材料，实现超精密平坦表面加工。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。

研磨液是CMP的关键要素之一，研磨液的性能直接影响抛光后表面的质量，研磨液一般由超细固体粒子研磨剂、表面活性剂、稳定剂、氧化剂、螯合剂、去离子水混合后组成，固体粒子提供研磨作用，化学氧化剂提供腐蚀溶解作用。

研磨液通常是由研磨液自动配比装置配比并且供应到机台,当研磨液配比装置的液位传感器教点(teach point)发生偏移时，需要对其进行校准。而现有技术是直接使用研磨液配比装置对其进行校准，其校准装置如图1所示，包括储液罐1，以及位于所述储液罐上的液位传感器2。

当使用上述装置对液位传感器进行校准时，需要等研磨液实际到达液位传感器的位置时，才可以进行校准，由于储液罐体积较大，如果正常消耗研磨液，则需要耗费较长时间，而如果在短时间内排出大量研磨液，则造成了研磨液的浪费；因此，使用现有装置无法进行多次校准，不仅降低了校准效率而且还降低了校准的准确度。

鉴于此，有必要设计一种新的液位传感器校准装置用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种液位传感器校准装置，解决了利用现有校准装置进行校准时不仅耗费时间、浪费研磨液，而且还降低了校准的效率和准确度的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种液位传感器校准装置，所述液位传感器校准装置包括：

储液罐；

位于所述储液罐侧壁上且垂直排列的至少两个液位传感器；

位于所述储液罐内，并通过与第一阀门和第二阀门配合，将所述储液罐隔离成第一腔室和第二腔室的隔离墙壁，其中，所述第一阀门位于所述储液罐上方，所述第二阀门位于所述储液罐下方，所述隔离墙壁分别与所述储液罐上方和下方设有预设距离；

位于所述储液罐上方、且部分进入所述储液罐内的液流管，其中，所述液流管上设置有第三阀门；

位于所述第二腔室上表面的注入口；以及

位于所述第二腔室下表面的排泄口。

优选地，所述液流管包括主管路，与所述主管路分别连接的第一管路和第二管路，其中，所述第一管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第一腔室，所述第二管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第二腔室。

优选地，所述第三阀门位于所述主管路上或所述第三阀门位于所述第二管路上。

优选地，所述第一腔室和第二腔室的宽度比大于或等于5:1。

优选地，所述隔离墙壁与所述储液罐上方的预设距离、和所述隔离墙壁与所述储液罐下方的预设距离相等。

优选地，所述预设距离小于所述储液罐高度的一半。

优选地，所述液位传感器为接触式液位传感器或非接触式液位传感器中的一种。

优选地，所述隔离墙壁为防酸碱腐蚀隔离墙壁。

优选地，所述储液罐为半透明储液罐。

优选地，所述液位传感器的数量为4个。

如上所述，本实用新型的液位传感器校准装置，具有以下有益效果：

1.本实用新型所述液位传感器校准装置通过将所述储液罐设置为第一腔室和第二腔室，并通过小体积的第二腔室进行液位传感器的校准，不仅节省了大量时间，而且还减少了研磨液的浪费，提高了校准的效率。

2.本实用新型所述液位传感器校准装置校准简单方便，可短时间内进行多次校准，提高了校准准确度。

附图说明

图1显示为现有液位传感器校准装置的结构示意图。

图2显示为本实用新型所述液位传感器校准装置的结构示意图。

图3～图6显示为本实用新型所述液位传感器校准装置进行液位传感器校准时的步骤示意图。

元件标号说明

1 储液罐

2 液位传感器

3 隔离墙壁

4 第一阀门

5 第二阀门

6 第一腔室

7 第二腔室

8 液流管

81 主管路

82 第一管路

83 第二管路

9 第三阀门

10 注入口

11 排泄口

12 研磨液

13 测试液

14 清洗液

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图2和图6。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。

如图2所示，本实用新型提供一种液位传感器校准装置，所述液位传感器校准装置包括：

储液罐1；

位于所述储液罐1侧壁上且垂直排列的至少两个液位传感器2；

位于所述储液罐1内，并通过与第一阀门4和第二阀门5配合，将所述储液罐1隔离成第一腔室6和第二腔室7的隔离墙壁3，其中，所述第一阀门4位于所述储液罐上方，所述第二阀门5位于所述储液罐下方，所述隔离墙壁3分别与所述储液罐上方和下方设有预设距离；

位于所述储液罐上方、且部分进入所述储液罐1内的液流管8，其中，所述液流管8上设置有第三阀门9；

位于所述第二腔室7上表面的注入口10；以及

位于所述第二腔室7下表面的排泄口11。

具体的，所述储液罐1为防酸碱腐蚀的储液罐，且所述储液罐1为半透明储液罐。优选地，在本实施例中，所述储液罐1的材料为工程塑料PVC。

具体的，所述液位传感器2为接触式液位传感器或非接触式液位传感器中的一种。优选地，在本实施例中，所述液位传感器为接触式液位传感器。优选地，在本实施例中，所述液位传感器2的数量为4个。

具体的，所述隔离墙壁3与所述储液罐上方的预设距离、和所述隔离墙壁3与所述储液罐下方的预设距离相等。优选地，所述预设距离小于所述储液罐高度的一半。

需要说明的是，当所述第一阀门4和第二阀门5打开时，所述预设距离用于使研磨液自由流通在第一腔室6和第二腔室7之间。

优选地，所述隔离墙壁3为防酸碱腐蚀隔离墙壁。进一步优选地，在本实施例中，所述隔离墙壁3的材料为工程塑料PVC。

具体的，所述第一腔室6的宽度为W1，所述第二腔室7的宽度为W2，并且所述W1与W2的比大于或等于5:1。

需要说明的是，小体积的第二腔室7用于进行液位传感器2的校准，但所述第二腔室的宽度并非越小越好，即所述第二腔室7的宽度太小会影响到液位传感器2的校准。

具体的，所述液流管8包括主管路81，与所述主管路81分别连接的第一管路82和第二管路83，其中，所述第一管路82位于所述储液罐上方且部分进入所述第一腔室6，所述第二管路83位于所述储液罐上方且部分进入所述第二腔室7。

优选地，所述第三阀门9位于所述主管路81上或所述第三阀门9位于所述第二管路83上。进一步优选地，在本实施例中，所述第三阀门9位于所述第二管路83上。

需要说明的是，当所述装置作为研磨液储液罐正常使用时，所述第三阀门9为打开状态，并通过第一管路82和第二管路83向所述第一腔室6和第二腔室7注入研磨液12，以供抛光研磨使用；当所述装置进行液位传感器校准时，所述第三阀门则为关闭状态，此时仅通过第一管路82向所述第一腔室6内注入研磨液，以供抛光研磨使用。

下面请参阅图3至图6，对本实用新型所述液位传感器校准装置的使用方法进行详细说明。

如图3所示，所述液位传感器校准装置作为研磨液储液罐正常使用时，所述第一阀门4、第二阀门5及第三阀门9均处于打开状态，所述注入口10和排泄口11则处于关闭状态，此时第一腔室6和第二腔室7为导通状态，研磨液12从第一管路82和第二管路83分别进入第一腔室6和第二腔室7内，以供抛光研磨使用。

当需要使用该装置进行液位传感器2校准时，关闭第一阀门4、第二阀门5和第三阀门9，并打开排泄口11，将所述第二腔室7内的研磨液通过排泄口11排放掉后关闭排泄口11，如图4所示；而后通过注入口10向所述第二腔室7内注入测试液13，进行液位传感器2的校准，如图5所示。

当校准完成后，打开排泄口11，将所述第二腔室7内的测试液排放掉后关闭所述排泄口11；而后通过注入口10向所述第二腔室7内注入清洗液14，对所述第二腔室7进行清洗，如图6所示；清洗完成后，清洗液14通过排泄口11排出；最后打开所述第一阀门4、第二阀门5和第三阀门9，将所述第一腔室6内的研磨液12流入所述第二腔室7内的同时，通过第二管路83向所述第二腔室7内注入研磨液12，使所述装置作为研磨液储液罐正常使用。

需要说明的是，所述液位传感器2的校准方法为现有任意一种可实现校准液位传感器的方法。

需要说明的是，在本实施例中，所述测试液为去离子水，所述清洗液为超纯水。

综上所述，本实用新型的液位传感器校准装置，具有以下有益效果：

1.本实用新型所述液位传感器校准装置通过将所述储液罐设置为第一腔室和第二腔室，并通过小体积的第二腔室进行液位传感器的校准，不仅节省了大量时间，而且还减少了研磨液的浪费，提高了校准的效率。

2.本实用新型所述液位传感器校准装置校准简单方便，可短时间内进行多次校准，提高了校准准确度。

上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种液位传感器校准装置，其特征在于，所述液位传感器校准装置包括：

储液罐；

位于所述储液罐侧壁上且垂直排列的至少两个液位传感器；

位于所述储液罐内，并通过与第一阀门和第二阀门配合，将所述储液罐隔离成第一腔室和第二腔室的隔离墙壁，其中，所述第一阀门位于所述储液罐上方，所述第二阀门位于所述储液罐下方，所述隔离墙壁分别与所述储液罐上方和下方设有预设距离；

位于所述储液罐上方、且部分进入所述储液罐内的液流管，其中，所述液流管上设置有第三阀门；

位于所述第二腔室上表面的注入口；以及

位于所述第二腔室下表面的排泄口。

2.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述液流管包括主管路，与所述主管路分别连接的第一管路和第二管路，其中，所述第一管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第一腔室，所述第二管路位于所述储液罐上方且部分进入所述第二腔室。

3.根据权利要求2所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述第三阀门位于所述主管路上或所述第三阀门位于所述第二管路上。

4.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述第一腔室和第二腔室的宽度比大于或等于5:1。

5.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述隔离墙壁与所述储液罐上方的预设距离、和所述隔离墙壁与所述储液罐下方的预设距离相等。

6.根据权利要求5所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述预设距离小于所述储液罐高度的一半。

7.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述液位传感器为接触式液位传感器或非接触式液位传感器中的一种。

8.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述隔离墙壁为防酸碱腐蚀隔离墙壁。

9.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述储液罐为半透明储液罐。

10.根据权利要求1所述的液位传感器校准装置，其特征在于，所述液位传感器的数量为4个。