CN206251575U - 一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构 - Google Patents
一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，包括吸嘴基板，在所述吸嘴基板上开设真空吸口，所述真空吸口为由一个主吸口及多个副吸口连接形成的一体式结构或分体式结构。本实用新型结构简单、使用方便，与现有技术相比本实用新型通过将真空吸空设置为主吸口及副吸空，其不仅能增加真空吸附面积，提高吸附力，同时各副吸口作用能增加电子元器件被吸附时的平衡性，大大提高了吸附效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空吸嘴领域，尤其涉及一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构。
背景技术
目前，现有用于测试或装片的吸嘴结构端面通常为一矩形结构，在该结构的中心处开设一用于吸取电子元器件的吸孔，该吸孔均为圆形，但是由于吸取的电子元器件均为长方形，在吸取电子元器件后由于真空负压作用使电子元器件产生高速移动或振动，导致电子元器件在圆形吸孔周围发生转动，从而产生吸附位置偏差的问题，吸附位置的一致性较差。
实用新型内容
本申请人针对上述现有问题，进行了研究改进，提供一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其不仅提高了吸附力，还保证了吸附位置的一致性，防止偏差。
本实用新型所采用的技术方案如下：
一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，包括吸嘴基板，在所述吸嘴基板上开设真空吸口，所述真空吸口为由一个主吸口及多个副吸口连接形成的一体式结构或分体式结构。
其进一步技术特征在于：
所述真空吸口为一体式结构时，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第一矩形吸口；各第一矩形吸口均与主吸口互为连通；
所述真空吸口为一体式结构时，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为圆形吸口；各圆形吸口均与主吸口互为连通；
所述真空吸口为分体式结构时，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第二矩形吸口；各第二矩形吸口互相独立且均与主吸口不连通。
所述主吸口的孔径大于副吸口的孔径。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型结构简单、使用方便，与现有技术相比本实用新型通过将真空吸空设置为主吸口及副吸空，其不仅能增加真空吸附面积，提高吸附力，同时各副吸口作用能增加电子元器件被吸附时的平衡性，大大提高了吸附效率。
附图说明
图1为本实用新型第一种实施例的结构示意图。
图2为本实用新型第二种实施例的结构示意图。
图3为本实用新型第三种实施例的结构示意图。
其中：1、吸嘴基板；2、真空吸口；201、主吸口；202、第一矩形吸口；203、圆形吸口；204、第二矩形吸口。
具体实施方式
下面说明本实用新型的具体实施方式。
一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构包括吸嘴基板1，在吸嘴基板1上开设真空吸口2，真空吸口2为由一个主吸口201及多个副吸口连接形成的一体式结构或分体式结构。
如图1所示，本实用新型中第一种实施例结构如下：
当上述真空吸口2为一体式结构时，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第一矩形吸口202；各第一矩形吸口202均与主吸口201互为连通。
如图2所示，本实用新型中第二种实施例结构如下：
当上述真空吸口2为一体式结构时，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为圆形吸口203；各圆形吸口203均与主吸口201互为连通。
如图3所示，本实用新型中第三种实施例结构如下：
当上述真空吸口2为分体式结构时，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第二矩形吸口204；各第二矩形吸口204互相独立且均与主吸口201不连通。
在本实用新型中主吸口201的孔径大于各副吸口的孔径。
本实用新型结构简单、使用方便，与现有技术相比本实用新型通过将真空吸空设置为主吸口及副吸空，其不仅能增加真空吸附面积，提高吸附力，同时各副吸口作用能增加电子元器件被吸附时的平衡性，大大提高了吸附效率。
以上描述是对本实用新型的解释，不是对实用新型的限定，本实用新型所限定的范围参见权利要求，在不违背本实用新型的基本结构的情况下，本实用新型可以作任何形式的修改。
Claims (5)
1.一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其特征在于：包括吸嘴基板(1)，在所述吸嘴基板(1)上开设真空吸口(2)，所述真空吸口(2)为由一个主吸口(201)及多个副吸口连接形成的一体式结构或分体式结构。
2.如权利要求1所述的一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其特征在于：所述真空吸口(2)为一体式结构时，所述真空吸口(2)包括主吸口(201)，沿所述主吸口(201)的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第一矩形吸口(202)；各第一矩形吸口(202)均与主吸口(201)互为连通。
3.如权利要求1所述的一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其特征在于：所述真空吸口(2)为一体式结构时，所述真空吸口(2)包括主吸口(201)，沿所述主吸口(201)的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为圆形吸口(203)；各圆形吸口(203)均与主吸口(201)互为连通。
4.如权利要求1所述的一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其特征在于：所述真空吸口(2)为分体式结构时，所述真空吸口(2)包括主吸口(201)，沿所述主吸口(201)的四个角部分别向外延伸形成副吸口，各副吸口均为第二矩形吸口(204)；各第二矩形吸口(204)互相独立且均与主吸口(201)不连通。
5.如权利要求1所述的一种用于吸取电子元器件的真空吸嘴结构，其特征在于：所述主吸口(201)的孔径大于副吸口的孔径。
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