CN206210500U - 双l形射频功率电阻器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出了一种双L形射频功率电阻器，包括法兰盘和基体，还包括A面电极、B面电极、电阻体和金属引线，所述A面电极连接在基体的上表面，B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面且全部覆盖；电阻体位于A面电极之上并且保证与A面电极搭接端搭接，还包括覆盖在整个电阻体上起保护作用的介质保护层；所述A面电极为两个L形电极组成并且呈中心对称，电阻体横向放置搭接在两个搭接端上。本设计在未改变原有引出端方向的前提下将电阻体横放，充分的利用了基体的剩余面积，电阻体的长度不再受电极焊区的限制。在保障整体阻抗不变的情况下增加电阻体长度从而增加电阻体面积提高功率容量。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频功率电阻器领域，特别是指一种双L形射频功率电阻器。
背景技术
在飞速发展的广播通信领域,射频器件的设计也越来越多元化，对于射频功率电阻器的要求也越来越苛刻，由于很多器件的尺寸已经固化，如何在原有的尺寸下提升其功率容量和频率特性从而使得器件的整体性能获得提升成为一个急需解决的问题。现有的双引线功率电阻采用的是如图所示设计。
现有的功率电阻为了设计方便采用的是简单的电流直通式设计(电流流经方向)如图4所示，由于此类型设计电阻的长度(电流流经的长度)受限，要增加电阻体面积提高功率容量，就只能把电阻体的宽度(电流流经的宽度)加宽。在射频功率电阻器的设计当中由于电阻体的宽度决定了电阻器整体的阻抗，加宽后会导致阻抗发生变化使得匹配失衡，从而使整体频率特性降低。
实用新型内容
本实用新型提出一种双L形射频功率电阻器，能够在不降低频率特性的情况下增加功率容量。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种双L形射频功率电阻器，包括法兰盘和基体，还包括A面电极、B面电极、电阻体和金属引线，所述A面电极连接在基体的上表面，B面电极采用丝网漏印工艺印在基体的下表面且全部覆盖；电阻体位于A面电极之上并且保证与A面电极搭接端搭接，还包括覆盖在整个电阻体上起保护作用的介质保护层；所述金属引线位采用焊接工艺焊接于A面电极之上；所述A面电极为两个L形电极组成并且呈中心对称，其两个搭接端位于基体较短的两个边上，且电阻体横向放置搭接在两个搭接端上。
作为优选，所述基体上表面还设有保护电阻器有效零件的封装盖板，且封装盖板采用高温粘接剂粘接。
作为优选，所述法兰盘为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。
作为优选，所述基体采用氧化铍陶瓷。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本设计在未改变原有引出端方向的前提下将电阻体横放，充分的利用了基体的剩余面积，电阻体的长度不再受电极焊区的限制。在保障频率特性的情况下提升了电阻体的面积从而提升了电阻器的功率容量。
附图说明
图1为本实用新型金属引线和封装盖板部分的结构示意图；
图2为本实用新型介质保护层部分的结构示意图；
图3为本实用新型A面电极部分的结构示意图；
图4为现有的电流直通式设计。
图中：1、法兰盘；2、基体；3、B面电极；41、42、A面电极；5、电阻体；6、介质保护层；71、72、金属引线；8、封装盖板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例：参见图1、图2和图3，一种双L形射频功率电阻器，包括法兰盘1和基体2，还包括A面电极41、42、B面电极3、电阻体5和金属引线71、72，所述A面电极41、42连接在基体2的上表面，B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面且全部覆盖；电阻体5位于A面电极41、42之上并且保证与A面电极41、42搭接端搭接，还包括覆盖在整个电阻体5上起保护作用的介质保护层6；所述金属引线71、72位采用焊接工艺焊接于A面电极41、42之上；所述A面电极41、42为两个L形电极组成并且呈中心对称，电阻体5横向放置搭接在两个搭接端上。
作为优选，所述基体2上表面还设有保护电阻器有效零件的封装盖板8，且封装盖板8采用高温粘接剂粘接。
作为优选，所述法兰盘1为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。
作为优选，所述基体2采用氧化铍陶瓷。
如图所示，本实用新型包括了法兰盘1，基体2，B面电极3，A面电极(包含2个电极41、42)，电阻体5，介质保护层6，金属引线(包含两根引线71、72)，封装盖板8。
法兰盘1优先选用紫铜，并在表面镀上银层便于焊接；基体2采用氧化铍陶瓷；B面电极3采用丝网漏印工艺印在基体2的下表面并且覆盖全部下表面，A面电极41、42在基体2的上表面，电阻体5位于基体2的上表面并与A面电极4其搭接端搭接良好；介质保护层6覆盖整个电阻体5以保护电阻体5受到物理伤害并防止其在使用过程中遭到热击穿；金属引线71、72位采用焊接工艺焊接于A面电极41、42之上；封装盖板8在基体2上表面，采用高温粘接剂粘接，有效保护电阻器有效零件，确保整个电阻器的结构完整性和性能稳定性。
本设计在未改变原有引出端方向的前提下将电阻体5横放，充分的利用了基体2的剩余面积，电阻体5的长度不再受电极焊区的限制。在保障整体阻抗不变(电阻体5宽度不变)的情况下增加电阻体5长度从而增加电阻体5面积提高功率容量。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种双L形射频功率电阻器，包括法兰盘(1)和基体(2)，其特征在于：还包括A面电极(41、42)、B面电极(3)、电阻体(5)和金属引线(71、72)，所述A面电极(41、42)连接在基体(2)的上表面，B面电极(3)采用丝网漏印工艺印在基体(2)的下表面且全部覆盖；电阻体(5)位于A面电极(41、42)之上并且保证与A面电极(41、42)搭接端搭接，还包括覆盖在整个电阻体(5)上起保护作用的介质保护层(6)；所述金属引线(71、72)位采用焊接工艺焊接于A面电极(41、42)之上；所述A面电极(41、42)为两个L形电极组成并且呈中心对称，电阻体(5)横向放置搭接在两个搭接端上。
2.根据权利要求1所述的双L形射频功率电阻器，其特征在于：所述基体(2)上表面还设有保护电阻器有效零件的封装盖板(8)，且封装盖板(8)采用高温粘接剂粘接。
3.根据权利要求1所述的双L形射频功率电阻器，其特征在于：所述法兰盘(1)为紫铜材料，并在表面镀上便于焊接的银层。
4.根据权利要求1所述的双L形射频功率电阻器，其特征在于：所述基体(2)采用氧化铍陶瓷。
Priority Applications (1)
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| CN201620934936.6U CN206210500U (zh) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 双l形射频功率电阻器 |
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Publications (1)
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| CN (1) | CN206210500U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112701433A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-23 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 负载片及其制备方法 |
| CN114792592A (zh) * | 2021-01-26 | 2022-07-26 | 深圳市振华微电子有限公司 | 一种射频功率电阻器 |
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2016
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| CN112701433A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-23 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 负载片及其制备方法 |
| CN112701433B (zh) * | 2020-12-21 | 2022-07-15 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 负载片及其制备方法 |
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