CN206194783U - 一种低破片率的led芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低破片率的LED芯片，涉及半导体芯片领域，所述LED芯片从下而上依次包括：衬底，所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的N型半导体层；位于所述N型半导体上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层；位于所述电流阻挡层上的透明导电层；所述透明导电层上设有纳米金属层，所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒，本实用新型抗静电能力强，有效的降低封装LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性，提高LED芯片的亮度，可降低LED芯片的破片率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体芯片领域，特别涉及一种低破片率的LED芯片。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。由于其具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。随着技术的发展，人们对LED芯片的亮度要求越来越高，但是目前LED芯片抗静电能力较弱，封装应用存在破损率高和失效风险，LED芯片的可靠性和稳定性较低，容易失效。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种低破片率的LED芯片，以解决现有技术中导致的上述多项缺陷。
实现上述目的，本实用新型提供以下的技术方案：一种低破片率的LED芯片，所述LED芯片从下而上依次包括：
衬底，所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的N型半导体层；
位于所述N型半导体上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的电流阻挡层；
位于所述电流阻挡层上的透明导电层；
所述透明导电层上设有纳米金属层，所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。
优选的，所述N型半导体层上设有与N型半导体层电性相连的N电极，N电极与N型半导体层接触，所述P型半导体层上设有与P型半导体层电性相连的P电极，P电极通过所述透明导电层与P型半导体层连接。
优选的，所述P电极包括电极主体部及沿电极主体部向N电极一侧延伸的引脚电极。
优选的，所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
优选的，所述透明导电层为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。
优选的，所述隐形切割纹的纵深为60-67μm。
采用以上技术方案的有益效果是：透明导电层能提高芯片的抗静电能力，有效的降低封装LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性；纳米金属层能够有效降低透明导电层的体电阻，同时纳米金属层能与透明导电层相有效结合从而提高了透明导电层的电流横向扩展能力，纳米金属层表面的纳米金属颗粒能够有效反射荧光粉回射回来的光，从而提高LED芯片的亮度；衬底的白膜层可粘性固定住LED芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低，纵深的隐形切割纹也可降低经过后续工艺处理后LED芯片的破片率。
附图说明
图1是本实用新型低破片率的LED芯片的侧面剖面示意图。
图2是本实用新型低破片率的LED芯片的俯视示意图。
图3是本实用新型低破片率的LED芯片衬底底部的结构示意图。
其中，1-白膜层，2-隐形切割纹，3-衬底，4-缓冲层，5-N型半导体层，6-发光层，7-P型半导体层，8-电流阻挡层，81-凸出结构，9-透明导电层，10-纳米金属层，11-N电极，12-P电极,121-电极主体部，122-引脚电极。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本实用新型低破片率的LED芯片的优选实施方式。
图1-图3出示本实用新型LED芯片的具体实施方式：一种低破片率的LED芯片，所述LED芯片从下而上依次包括：
衬底3，衬底3可以是蓝宝石、SiC、GaN等，所述衬底3下部设有白膜层1和隐形切割纹2，在LED芯片的工艺过程中，很容易出现破片，通过在芯片衬底的背面黏贴白膜层1后，LED芯片的整体保持力得到增强，在外力作用下不易破碎，从而降低了LED芯片的破片率，同样的，通过预先设置隐形切割纹2也可以交底LED芯片的破片率，隐形切割纹2的形状可以更具情况进行多样选择。生产过程中，每次生产的芯片是数以万计来计量的，通过对衬底3底部设置白膜层1和隐形切割纹2，节约了生产成本，保证了LED芯片的稳定性；
位于所述衬底3上的缓冲层4，缓冲层4可以为GaN等，起到了对N型半导体层5的缓冲保护作用；
位于所述缓冲层4上的N型半导体层5，N形半导体层5可以是N型GaN等；
位于所述N型半导体5上的发光层6，发光层6可以是GaN、InGaN等；
位于所述发光层6上的P型半导体层7，P形半导体层5可以是P型GaN等；
位于所述P型半导体层7上的电流阻挡层8，电流阻挡层8可以为SiO2、Si3N4、SiOxNy等，电流阻挡层8能够阻挡对应区域透明导电层9与P型半导体层7之间的电流，进一步提高LED芯片的亮度；
位于所述电流阻挡层8上的透明导电层9；
所述透明导电层9上设有纳米金属层10，所述纳米金属层10上设有纳米金属颗粒，纳米金属层10可以为纳米级别的金、银、铜层等，纳米金属层10 可以起到导热的作用，由于金属的导热性是比较好的，它可以把LED芯片表面的热量传导出去，使得散热效果大大的增强。同时，纳米金属层10解决切片过程中的边缘塌陷问题，减少静电，有效降低透明导电层9的电阻，还可以与透明导电层9相结合，能够提高透明导电层的电流横向扩展能力，从而提高LED芯片的亮度。
在本实施例中，所述N型半导体层5上设有与N型半导体层5电性相连的N电极11，N电极11与N型半导体层5接触，所述P型半导体层7上设有与P型半导体层7电性相连的P电极12，P电极12通过所述透明导电层9与P型半导体层7连接。
在本实施例中，所述P电极12包括电极主体部121及沿电极主体部121向N电极5一侧延伸的引脚电极122。
在本实施例中，所述电流阻挡层8位于P电极12下方，所述电流阻挡层在9临近于N电极11的一端设置为向两侧凸出的凸出结构81。
在本实施例中，所述透明导电层9为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合，即可以为单层或者组合层结构。
在本实施例中，所述隐形切割纹2的纵深为60-67μm，隐形切割纹2的深度太低的话无法起到预先切割芯片的效果，导致后续工艺降低LED芯片破片率的效果降低。
基于上述，本实用新型与现有技术相比有益效果为：透明导电层9能提高芯片的抗静电能力，有效的降低封装LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性；纳米金属层10能够有效降低透明导电层的体电阻，同时纳米金属层10能与透明导电层9相有效结合从而提高了透明导电层9的电流横向扩展能力，纳米金属层表面10的纳米金属颗粒能够有效反射荧光粉回射回来的光，从而提高LED芯片的亮度；衬底3的白膜层1可粘性固定住LED芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低，纵深的隐形切割纹2 也可降低经过后续工艺处理后LED芯片的破片率。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种低破片率的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片从下而上依次包括：
衬底，所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的N型半导体层；
位于所述N型半导体上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的电流阻挡层；
位于所述电流阻挡层上的透明导电层；
所述透明导电层上设有纳米金属层，所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上设有与N型半导体层电性相连的N电极，N电极与N型半导体层接触，所述P型半导体层上设有与P型半导体层电性相连的P电极，P电极通过所述透明导电层与P型半导体层连接。
3.根据权利要求2所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括电极主体部及沿电极主体部向N电极一侧延伸的引脚电极。
4.根据权利要求1或3任意一项所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
5.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述隐形切割纹的纵深为60-67μm。
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| CN201621134635.1U CN206194783U (zh) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | 一种低破片率的led芯片 |
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|---|---|---|---|---|
| CN108470809A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-08-31 | 江西乾照光电有限公司 | 具有透明导电层复合膜组的led芯片及其制作方法 |
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