CN206178741U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种显示面板及显示装置，显示面板包括：基板；半导体层，包括多个半导体块；第一金属层，包括多条触控走线；公共电极层，位于第一金属层背离半导体层的一侧；公共电极层与第一金属层之间设置有绝缘层；公共电极层包括多个触控电极，每个触控电极与至少一条触控走线在走线连接处电连接；走线连接处与一半导体块对应设置；各个半导体块在基板上的正投影与所对应的走线连接处在基板上的正投影有交叠区域。本实用新型提出了一种在触控走线与公共电极层的走线连接处设置半导体块的技术方案，增加走线连接处的膜厚，减小与其他区域的厚度差，从而减轻因膜厚不均而造成的斜线mura现象，提高显示面板的生产效率，降低显示面板的成本。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

触摸屏作为一种输入媒介，是目前最为简单、方便、自然的一种人机交互方式。在显示装置上集成触控功能，已经成为越来越多显示器厂商的研发热点。

如图1所示，为现有技术中显示面板的剖视结构示意图。其中显示面板包括在图中z方向自下而上的基板1’、第二金属层、栅极绝缘层3’、第一金属层、绝缘层6’和公共电极层7’。其中第二金属层包括多条栅线2’，所述栅线2’在第二方向延伸。所述第一金属层包括多条数据线5’。为了减少显示面板制备过程中掩膜的次数，可以将触控走线也设置在所述第一金属层中。公共电极层7’复用为触控电极层，分割成多个触控电极，每个所述触控电极与至少一条所述触控走线在走线连接处4’电连接。在所述走线连接处4’，所述触控走线一般通过接线耳连接到所对应的触控电极上，接线耳是所述触控走线延伸出的凸起，且所述触控走线与所述接线耳通过过孔进行电连接。图中未示出像素电极层，像素电极层的位置可以根据实际需要选择设置。

如图2所示，为现有技术中显示面板的俯视图。其中进一步示出了显示面板中基板、第一金属层和第二金属层与其他部分的连接关系。其中栅线2’在第二方向延伸，数据线5’和触控走线8’均在第一方向延伸，所述第一方向和所述第二方向交叉。数据线5’与各个像素电极9’一一对应。所述公共电极层7’与所述触控走线8’在各个走线连接处4’相连接。其中，图示X方向为第二方向，图示Y方向为第一方向，垂直于第一方向和第二方向所在平面的方向为Z方向（参考图1）。

如图3所示，为现有技术中公共电极层与触控走线连接的俯视图，其中示出了现有技术中，所述触控走线8’与所述公共电极层7’的各个走线连接处4’呈斜线状排列。如图4所示，为现有技术中触控走线的接线耳与触控电极连接的剖视结构示意图。由于各个走线连接处4’均存在一个过孔，而各个过孔就是一个个凹坑，因此在图1和图4中z方向，走线连接处4’的膜厚总厚度小于其他区域的膜厚总厚度，这些厚度较小的区域，容易引起摩擦异常和配向异常，导致这些区域的像素亮度与其他区域的亮度不同，从而形成斜线mura现象，从而造成显示面板生产效率降低，增加了成本。其中Mura现象指的是显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型的目的在于提供一种显示面板，增加触控走线与触控电极连接处的膜厚，减小与其他区域的厚度差，从而减轻因膜厚不均而造成的斜线mura现象。

本实用新型实施例提供了一种显示面板，包括：

基板；

半导体层，位于所述基板的一侧，所述半导体层包括多个半导体块；

第一金属层，位于所述半导体层背离所述基板的一侧，所述第一金属层包括多条触控走线；

公共电极层，位于所述第一金属层背离所述半导体层的一侧；所述公共电极层与所述第一金属层之间设置有绝缘层；所述公共电极层包括多个触控电极，每个所述触控电极与至少一条所述触控走线在走线连接处电连接；

所述走线连接处与一所述半导体块对应设置；各个所述半导体块在所述基板上的正投影与所对应的走线连接处在所述基板上的正投影有交叠区域。

可选地，所述第一金属层还包括数条数据线，所述数据线与所述触控走线均在第一方向延伸。

可选地，还包括：

第二金属层，位于所述基板与所述半导体层之间，所述第二金属层包括多条栅线，所述栅线在第二方向延伸；

栅极绝缘层，位于所述第二金属层与所述半导体层之间；所述第一方向垂直于所述第二方向。

可选地，所述走线连接处为从所述触控走线延伸的接线耳，且所述半导体块在所述基板上的正投影与所对应的接线耳在所述基板上的正投影有交叠区域。

可选地，所述触控电极与所述接线耳通过过孔进行电连接。

可选地，所述半导体块在所述基板上的正投影面积大于等于所述接线耳在所述基板上的正投影面积。

可选地，所述接线耳在所述基板上的正投影位于所述半导体块在所述基板上的正投影之内。

可选地，所述半导体为非晶硅、多晶硅、单晶硅、有机半导体或金属氧化物半导体。

可选地，沿所述基板的法线方向，所述半导体块的高度为

本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

本实用新型所提供的显示面板及显示装置具有下列优点：

本实用新型提供了一种在触控走线与公共电极层的走线连接处设置半导体块的技术方案，增加走线连接处的膜厚，减小与其他区域的厚度差，从而减轻因膜厚不均而造成的斜线mura现象，提高显示面板的生产效率，降低显示面板的成本，适用于大规模推广应用。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1是现有技术中显示面板的剖视结构示意图；

图2是现有技术中显示面板的俯视图；

图3是现有技术中公共电极层与触控走线连接的俯视图；

图4是现有技术中触控走线的接线耳与触控电极连接的剖视结构示意图；

图5是本实用新型一实施例的显示面板的剖视结构示意图；

图6是本实用新型一实施例的走线连接处的剖视结构示意图；

图7是本实用新型中半导体块与走线连接处一一对应的示意图；

图8是本实用新型中半导体块与走线连接处一对多的示意图；

图9是本实用新型另一实施例的走线连接处的剖视结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本实用新型将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

本实用新型提供了一种显示面板，在触控走线与公共电极层的走线连接处设置半导体块的技术方案，增加走线连接处的膜厚，减小与其他区域的厚度差。

如图5所示，为本实用新型一实施例的显示面板的剖视结构示意图，其中所述显示面板包括在图中z方向从下至上的基板1、第一金属层、绝缘层6和公共电极层7。所述公共电极层7分割为多个触控电极，所述第一金属层设置有触控走线，每个所述触控电极与至少一条所述触控走线在走线连接处4连接，具体地，所述触控电极与所述触控走线可以根据需要设置为一一对应的关系或一对多的关系。其中，走线连接处4与触控走线电连接，并且，走线连接处4与触控走线均由第一金属层形成。并且，第一金属层还包括数据线5与薄膜晶体管的源极和漏极，其中，源极和数据线5电连接，漏极与像素电极（图中未示出）电连接。为了增加所述走线连接处4的膜厚，在所述第一金属层和所述基板1之间设置半导体层，所述半导体层包括多个半导体块10以及位于薄膜晶体管的硅岛11。半导体块10和硅岛11分开设置，硅岛11在薄膜晶体管的栅极的作用下，控制源极和漏极的导通或者断开，以把来自数据线5的显示信号传递给像素电极。所述走线连接处4与一所述半导体块10对应设置，即在图中z方向上，所述半导体块8设置于所对应的走线连接处4的下方。所述基板1和所述第一金属层之间还设置有第二金属层，所述第二金属层设置有栅线2，所述第一金属层和第二金属层之间进一步可以设置有栅极绝缘层3，使得所述第一金属层和第二金属层绝缘设置，此处绝缘设置指在显示区，所述第一金属层和第二金属层是互相绝缘的，在边缘区域，则可能会因为金属走线布置等原因，存在两者电连接的情况。栅线2与薄膜晶体管中的栅极电连接，以把来及栅极驱动电路的栅极信号传递至薄膜晶体管的栅极。

图中未示出像素电极层，在实际应用中，像素电极层可以根据实际需要选择设置的位置，所述公共电极层可以复用为显示公共电极和触控电极。需要说明的是，当公共电极复用为触控电极时，需要将公共电极层分割成多个触控电极，不同的触控电极之间绝缘设置，并且每个触控电极可以与多个像素对应设置。同时，所述第二金属层和所述栅极绝缘层3的位置也可以根据需要进行调整。图5中示出的仅是一种可选的实施方式，而实际应用中不以此为限。

进一步地，所述第一金属层中还可以包括数据线5，即可选地采用源漏极金属层制作所述触控走线，所述数据线5和所述触控走线均在第一方向延伸，在第二方向排列，且所述第一方向和第二方向可选为互相垂直，并且数据线5和触控走线互相绝缘。将所述数据线5和触控走线均形成于第一金属层中，相比于现有技术中一般采用的将所述数据线5和触控走线分别形成于不同的金属层中的结构，省去了一次制作金属层的结构，即可以减少显示面板制程中的掩膜次数，缩短显示面板制程，提高显示面板生产效率。但是，本实用新型不限于此种特定结构，采用其他形式的显示面板结构，例如，将所述数据线5和触控走线设置在不同的金属层，将源漏极金属层设置于所述第一金属层和第二金属层之间，或将源漏极金属层设置于所述第二金属层的上方，均属于本实用新型的保护范围之内。

如图6所示，为本实用新型一实施例的走线连接处的剖视结构示意图，其中走线连接处4和基板1之间设置有半导体块10。在基板1和走线连接处4之间设置有第二金属层和栅极绝缘层时，半导体块10可以设置在栅极绝缘层的上方，即设置于所述栅极绝缘层和所述第一金属层之间。所述栅极绝缘层的材质可以为氮化硅，但不限于此。在该图中，可以比较直观地看到，所述半导体块10增加了在图中z方向上所述走线连接处4的膜厚。从图中可以看出，公共电极层7通过位于绝缘层6的过孔12与走线连接处4实现电连接，由于半导体块10的设置，使得走线连接处4被垫高，相比现有技术中，过孔12的深度变小，由于刻蚀工艺的限制，过孔通常会有一定的倾斜角，当过孔的深度变小时，由于倾斜角固定，其开口口径也会变小。由此，在绝缘层6中，由于过孔12带来的膜厚减薄区相比现有技术中变小，因此，最终形成在所有膜层上的配向层会趋于平坦，最终摩擦配向的时候不会引起摩擦异常和配向异常，因此，走线连接处不会出现与其他区域亮度不同，从而改善了斜线mura。

所述半导体块10与所述走线连接处4的对应关系可以是一对一的关系，也可以是一对多的关系。如图7所示，为本实用新型中半导体块与走线连接处一一对应的俯视结构示意图。所述走线连接处4为从触控走线延伸出的凸起的接线耳，且所述公共电极与所述接线耳通过过孔进行电连接。所述半导体块10在所述基板1上的正投影与所对应的接线耳（即走线连接处）在所述基板1上的正投影有交叠区域。由相互平行的投射线所产生的投影称为平行投影，且其中平行投射线垂直于投影面的称为正投影。

其中，所述半导体块10在所述基板1上的正投影与所对应的走线连接处4在所述基板1上的正投影有交叠区域，指的是所述半导体块10在所述基板1上的正投影可以完全覆盖所对应的走线连接处4在所述基板1上的正投影，也可以不完全覆盖所对应的走线连接处4在所述基板1上的正投影。

在实际应用中，所述半导体块10在所述基板1上的正投影面积可选大于等于所述接线耳在所述基板1上的正投影面积，且所述走线连接处在所述基板上的正投影可选位于所对应的半导体块在所述基板上的正投影之内。采用该种尺寸，可以保证在所述基板1的俯视图方向上，所述半导体块10完全覆盖所对应的各个走线连接处4，提高所述走线连接处4的整体厚度。并且当出现对位偏差时，仍可以保证走线连接处4的与半导体块具有重叠区域，提高了产品的可靠性。

如图8所示，为本实用新型中半导体块与走线连接处一对多的俯视结构示意图。可以采用一个半导体块10增加多个走线连接处4的膜厚。所述走线连接处4为从触控走线延伸出的接线耳，所述接线耳在所述基板1上的正投影可选位于所述半导体块10在所述基板1上的正投影之内。采用该种尺寸，在所述基板1的俯视图方向，一个半导体块10即可以完全覆盖多个走线连接处4，即同时增加了多个走线连接处4的膜厚。

然而，在生产过程中，当所述半导体块10和所述走线连接处4的面积较为接近时，将两者上下对准的工艺精度不一定很高，可能会出现两者错位的情况。例如，如图9所示，为本实用新型另一实施例的走线连接处的剖视结构示意图。在该实施例中，在所述基板的俯视图方向，所述走线连接处4并未完全落入所对应的半导体块10的正投影中，两者仅是部分交叠。但采用该种技术方案，仍可以实现增加走线连接处4的膜厚。因此，半导体块10的大小和与走线连接处4的位置关系可以根据需要进一步进行调整，只要能够保证显示面板中各个部分的稳定性即可，由此也降低了工艺对准的精度要求。另外，也可以根据实际需要将各个所述半导体块8的体积进行缩小，以减少相应材料的使用，仍可以实现本实用新型的技术效果。

所述半导体块8可选为非晶硅块。另外，在实际应用中，所述半导体也可以采用多晶硅、单晶硅、有机半导体或金属氧化物半导体等其他类型，均属于本实用新型的保护范围之内。

所述半导体块8在图中z方向的厚度可选设置为此处半导体块8的厚度值仅为一个可选的数值范围，在实际应用中，可以根据实际需要在该范围之内选取，也可以在该范围之外选择其他的厚度值。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的显示面板，所述显示装置包括上述的显示面板。所述显示装置可以是电脑显示器、手机、平板电脑、电子相册等广泛应用的显示装置。采用本实用新型的技术方案的显示装置，可以进一步提高显示效果，并且当采用数据线和触控走线设置于同一金属层的技术方案时，可以进一步缩短整个显示装置的制程。

综上，本实用新型所提供的显示面板及显示装置具有下列优点：

本实用新型提供了一种在触控走线与公共电极层的走线连接处设置半导体块的技术方案，增加走线连接处的膜厚，减小与其他区域的厚度差，从而减轻因膜厚不均而造成的斜线mura现象，提高显示面板的生产效率，降低显示面板的成本，适用于大规模推广应用。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；

半导体层，位于所述基板的一侧，所述半导体层包括多个半导体块；

第一金属层，位于所述半导体层背离所述基板的一侧，所述第一金属层包括多条触控走线；

公共电极层，位于所述第一金属层背离所述半导体层的一侧；所述公共电极层与所述第一金属层之间设置有绝缘层；所述公共电极层包括多个触控电极，每个所述触控电极与至少一条所述触控走线在走线连接处电连接；

所述走线连接处与一所述半导体块对应设置；各个所述半导体块在所述基板上的正投影与所对应的走线连接处在所述基板上的正投影有交叠区域。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属层还包括数条数据线，所述数据线与所述触控走线均在第一方向延伸。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，还包括：

第二金属层，位于所述基板与所述半导体层之间，所述第二金属层包括多条栅线，所述栅线在第二方向延伸；

栅极绝缘层，位于所述第二金属层与所述半导体层之间；所述第一方向垂直于所述第二方向。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述走线连接处为从所述触控走线延伸的接线耳，且所述半导体块在所述基板上的正投影与所对应的接线耳在所述基板上的正投影有交叠区域。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述触控电极与所述接线耳通过过孔进行电连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述半导体块在所述基板上的正投影面积大于等于所述接线耳在所述基板上的正投影面积。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述接线耳在所述基板上的正投影位于所述半导体块在所述基板上的正投影之内。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体为非晶硅、多晶硅、单晶硅、有机半导体或金属氧化物半导体。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述基板的法线方向，所述半导体块的高度为

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的显示面板。