CN206076197U - 真空腔室温控装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种真空腔室温控装置，用于对真空腔室的电极进行温度控制，包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器，导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在真空腔室内，导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接，且导热板与电极连接，半导体温控板上开设有安装孔，温度传感器放置在安装孔内，且温度传感器与导热板连接，控制器分别与半导体温控板和温度传感器连接，温度传感器用于检测电极的温度，并将信号发送给控制器，控制器根据温度信号控制半导体温控板两端施加的电压。上述真空腔室温控装置，使用简单且控温速度快，并且半导体温控材料的使用寿命长，无需经常更换和保养。

Description

真空腔室温控装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种真空腔室温控装置。

背景技术

在显示技术领域，通常通过干法刻蚀工艺对基板进行刻蚀。一般的，用于进行干法刻蚀工艺的真空腔室内设置有电极，在基板的制作过程中，基板固定在电极的表面。因此，电极的温度均匀性影响基板表面的温度均匀性，从而影响基板刻蚀的均匀性。

通常情况下，真空腔室内设置有温度控制装置，用于保持电极温度的稳定。一般的，在电极下方安装有温控板，温控板通过控制器控制其内部液体的循环使电极温度保持稳定。然而，通过液体循环进行控温，控温速度比较慢，电极温度需要进行调节的时间比较长。此外，温控板需要定期保养，每次进行保养时都需要将循环液排空，更换循环液并对温控板内管道进行吹扫，温控板的保养操作繁琐复杂、费时费力。另外，一旦温控板内的循环液发生泄漏，还会对真空腔室造成污染。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种控温速度快、操作简单且使用安全的真空腔室温控装置。

一种真空腔室温控装置，用于对真空腔室的电极进行温度控制，包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器，导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在真空腔室内，导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接，且导热板与电极连接，半导体温控板上开设有安装孔，温度传感器放置在安装孔内，且温度传感器与导热板连接，控制器分别与半导体温控板和温度传感器连接，温度传感器用于检测电极的温度，并将温度信号发送给控制器，控制器根据温度信号控制半导体温控板两端施加的电压。

上述真空腔室温控装置，设置在半导体温控板中的温度传感器检测电极的温度，并将检测到的温度信号发送给控制器，控制器根据接收的温度信号对半导体温控板施加相应的电压，半导体温控板内部的半导体温控材料迅速反应，半导体温控板的温度迅速变化，通过设置在半导体温控板上方的导热板对电极进行温度传导，对电极进行加热或降温，通过设置在半导体温控板下方的散热板将半导体温控板下部产生的能量快速释放。因此，只需控制半导体温控板施加的电压就可实现对电极温度的控制，真空腔室温控装置操作简单且控温速度快，并且半导体温控材料的使用寿命长，无需经常更换和保养，同时，避免了温控板使用循环液可能造成的真空腔室的污染，使用安全方便。

在其中一个实施例中，安装孔为通孔。

在其中一个实施例中，安装孔为盲孔。

在其中一个实施例中，半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层、多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体，半导体温控板的第一导热绝缘层与导热板连接，半导体温控板的第二导热绝缘层与散热板连接，多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间，且多个金属导体设于第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，以及第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，相邻的N型半导体和P型半导体之间通过金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联。

在其中一个实施例中，半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层和多个半导体温控单元，半导体温控板的第一导热绝缘层与导热板连接，半导体温控板的第二导热绝缘层与散热板连接，半导体温控单元包括多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体，多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间，且多个金属导体设于第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，以及第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，相邻的N型半导体和P型半导体之间通过金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联，多个半导体温控单元之间间隔设置，各半导体温控单元均与控制器连接。

在其中一个实施例中，温度传感器的数量与半导体温控单元的数量相等。

在其中一个实施例中，半导体温控板上开设有多个安装孔，安装孔开设在半导体温控板上半导体温控单元位置处，安装孔的数量与温度传感器的数量相等。

在其中一个实施例中，装置还包括风扇，风扇设置在真空腔室外，且风扇连接至真空腔室底部。

在其中一个实施例中，温度传感器为接触式温度传感器。

附图说明

图1为一个实施例中真空腔室温控装置的结构剖视图；

图2为一个实施例中半导体温控板的结构剖视图；

图3为另一个实施例中半导体温控板的结构示意图。

附图标号：

10、真空腔室；12、散热板；14、半导体温控板；15、安装孔；16、导热板；18、温度传感器；20、腔室壁；22、控制器；30、电极；142、N型半导体；144、P型半导体；145、半导体温控单元；146、金属导体；147、第一导热绝缘层；148、第二导热绝缘层。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，一实施方式的真空腔室温控装置，包括导热板16、半导体温控板14、散热板12、温度传感器18和控制器22。导热板16、半导体温控板14和散热板12设置在真空腔室10内，导热板16、半导体温控板14和散热板12由上至下依次连接，且导热板16与电极30连接，半导体温控板14上开设有安装孔15，温度传感器18放置在安装孔15内，且温度传感器18与导热板16连接，控制器22分别与半导体温控板14和温度传感器18连接。温度传感器18用于检测电极30的温度，并将温度信号发送给控制器22，控制器22根据温度信号控制半导体温控板14两端施加的电压。

真空腔室10是由腔室壁20组成的密闭空间，导热板16、半导体温控板14和散热板12设置在真空腔室10的底部，并且由上至下依次连接，散热板12与真空腔室10底部的腔室壁20接触连接，真空腔室10中的电极30设置在导热板16上并与导热板16连接，半导体温控板14位于导热板16与散热板12之间。其中，导热板16和散热板12均采用导热性能良好的金属导体材料，有利于对半导体温控板14产生的热量进行传导。

在一个实施例中，温度传感器18采用接触式温度传感器，具体为热电阻温度传感器或热电偶式温度传感器。温度传感器18放置在安装孔15中时，温度传感器18的感温侧朝上，并且与半导体温控板14上方的导热板16接触连接，使得温度传感器18能够不受环境温度的干扰，准确检测导热板16的温度。

在一个实施例中，安装孔15是通孔，在另一个实施例中，安装孔15也可以是盲孔。具体的，安装孔15的具体形态可以根据温控板14的厚度和温度传感器的18的高度进行选择，当温控板14的厚度和温度传感器18的高度相等时，可开设安装孔15为通孔，通孔贯穿整个半导体温控板14，温度传感器18放置在安装孔15内，感温侧与导热板16接触连接；当温控板14的厚度大于温度传感器18的高度时，开设安装孔15为盲孔，盲孔从半导体温控板14的上表面开设至半导体温控板14的内部且不贯通半导体温控板14，盲孔开设的深度与温度传感器18的高度匹配，使温度传感器18放置在安装孔15内后，温度传感器18的感温侧与半导体温控板14的上表面齐平且与导热板16接触连接。

具体的，由于电极30中心位置的温度比较接近电极30的平均温度，因此，在一个实施例中，安装孔15开设在半导体温控板14的中心位置，使放置在其中的温度传感器18能够检测电极30中心位置的温度，得到电极30的平均温度。

控制器22设置在真空腔室10的外部，控制器22分别与半导体温控板14和温度传感器18电连接。控制器22中预先设定有预设温度，控制器22用于接收温度传感器18发送的温度信号，将温度信号与预设温度进行比较，然后控制施加在半导体温控板14左右两端的电压，施加电压后使得半导体温控板14内的半导体材料发生反应并且上下两端的温度改变，半导体温控板14通过导热板16传导热量对电极30的温度进行控制。当温度信号小于预设温度时，控制器22控制施加在半导体温控板14两端的电压使半导体温控板14上端的温度升高，对电极30进行加热，当温度信号大于预设温度时，控制器22控制施加在半导体温控板14两端的电压使半导体温控板14上端的温度降低，对电极30进行降温。

在一个实施例中，半导体温控板14的结构示意图如图2所示，半导体温控板14包括第一导热绝缘层147、第二导热绝缘层148、多个N型半导体142、多个P型半导体144和多个金属导体146。半导体温控板14的第一导热绝缘层147与导热板16连接，半导体温控板14的第二导热绝缘层148与散热板12连接，N型半导体142与P型半导体144的数量相同，N型半导体142和P型半导体144依次交替排列且位于第一导热绝缘层147和第二导热绝缘层148之间，且多个金属导体146设于第一导热绝缘层147与各N型半导体142、P型半导体144之间，以及第二导热绝缘层148与各N型半导体142、P型半导体144之间，相邻的N型半导体142和P型半导体144之间通过金属导体146首尾连接使得各N型半导体142和P型半导体144形成串联。第一导热绝缘层147和第二导热绝缘层148分别与连接N型半导体142和P型半导体144的多个金属导体146连接，从而连接至多个N型半导体142和多个P型半导体144的上下两端。半导体温控板14左右两端施加的电压的正负极分别与连接最左端N型半导体142和最右端P型半导体144的金属导体146连接。

半导体温控板14的工作原理是利用了珀耳帖效应，在电流通过N型半导体142和P型半导体144组成的回路时，除了会产生不可逆的焦耳热外，在连接N型半导体142和P型半导体144的金属导体146处随着电流方向的不同会分别出现吸热和放热现象。具体的，如图2所示，当在半导体温控板14左右两端施加一个正向电压时，连接N型半导体142和P型半导体144上端的金属导体146中的电流是由N型半导体142流向P型半导体144，吸收热量成为冷端，连接上端金属导体146的第一导热绝缘层147成为冷端导热绝缘层，冷端导热绝缘层通过导热板16对电极30进行降温；连接N型半导体142和P型半导体144下端的金属导体146中的电流是由P型半导体144流向N型半导体142，释放热量成为热端，连接下端金属导体146的第二导热绝缘层148成为热端导热绝缘层，热端导热绝缘层通过散热板12将热量释放出去。

反之，当在半导体温控板14左右两端施加一个反向电压时，连接N型半导体142和P型半导体144上端的金属导体146中的电流是由P型半导体144流向N型半导体142，释放热量成为热端，连接上端金属导体146的第一导热绝缘层147成为热端导热绝缘层，热端导热绝缘层通过导热板16对电极30进行加热升温；连接N型半导体142和P型半导体144下端的金属导体146中的电流是由N型半导体142流向P型半导体144，吸收热量成为冷端，连接下端金属导体146的第二导热绝缘层148成为冷端导热绝缘层。更进一步的，可以通过控制施加在半导体温控板14左右两端的电压大小或者N型半导体142、P型半导体144的数量调节半导体温控板14放热和吸热的大小，从而可以调节半导体温控板14对电极30降温或者加热的速率。

进一步的，真空腔室温控装置还包括风扇(未图示)，风扇设置在真空腔室10的外部，并且连接至真空腔室10底部的腔室壁20上。风扇可以辅助真空腔室温控装置对真空腔室10进行散热，进一步提高真空腔室温控装置的散热速度，使真空腔室10的整体温度快速保持稳定。

上述真空腔室温控装置的工作过程具体如下：

半导体温控板14的工作模式分为加热模式、降温模式和待机模式，在控制器22中预先设定预设温度，当电极30的温度小于预设温度时，半导体温控板14开启加热模式，当电极30的温度等于预设温度时，半导体温控板14开启待机模式，当电极30的温度大于预设温度时，半导体温控板14开启降温模式。

当刻蚀加工未开始，电极30处于待机工作状态时，真空腔室10中的温度为室温，需要对电极30进行预热使其温度保持在预设温度。温度传感器18通过检测导热板16的温度检测电极30的温度，并将检测到的温度信号发送给控制器22，控制器22将检测到的温度信号与预设温度进行比较，检测到的温度信号小于预设温度，控制器22判定半导体温控板14的工作模式为加热模式，控制器22向半导体温控板14左右两端施加反向电压，上端金属导体146中的电流由P型半导体144流向N型半导体142，释放热量，连接上端金属导体146的第一导热绝缘层147成为热端导热绝缘层，热端导热绝缘层通过导热板16对电极30进行加热升温。温度传感器18对导热板16的温度进行连续检测，当检测到的温度信号达到预设温度时，控制器22判定半导体温控板14的工作模式为待机模式，停止向半导体温控板14施加反向电压，半导体温控板14的温度保持恒定，既不对电极30加热，也不对电极30降温。当开始进行刻蚀加工，电极30处于工作状态时，工作过程中会放出大量的热，电极30的温度会急剧升高，此时温度传感器18检测到的温度信号大于预设温度，控制器22判定半导体温控板14的工作模式为降温模式，控制器22向半导体温控板14左右两端施加正向电压，上端金属导体146中的电流由N型半导体142流向P型半导体144，吸收热量，连接上端金属导体146的第一导热绝缘层147成为冷端导热绝缘层，冷端导热绝缘层通过导热板16对电极30进行降温，直至温度传感器18检测到的导热板16的温度下降到预设温度为止。真空腔室10的下方还设置有风扇，当工作过程中放出大量的热，并且半导体温控板14下端的第二导热绝缘层148为热端导热绝缘层时，热端导热绝缘层产生的热量通过半导体温控板14下面的散热板12迅速释放，真空腔室10底部的温度会升高，在真空腔室10下方设置风扇有助于加速真空腔室10散热，使真空腔室10的温度保持稳定。

上述真空腔室温控装置中的温度传感器18检测电极30的温度信号并发送给控制器22，控制器22根据检测到的温度信号对半导体温控板14左右两端施加相应的电压，半导体温控板14内部的半导体温控材料迅速反应并且上端的温度立即发生变化，通过设置在半导体温控板14上方的导热板16迅速对电极30进行热量传导，对电极30进行加热或者降温，并通过设置在半导体温控板14下方的散热板12加速半导体温控板14进行散热，使其下端的热量能够迅速传导出去，不影响半导体温控板14上端的温度，保证半导体温控板14的温控效果。因此，所述真空腔室温控装置通过控制半导体温控板14两端施加的电压即可实现对电极30温度的控制，使电极30的温度保持稳定，控温速度快。并且，半导体温控材料的使用寿命长，无需经常更换和保养，避免了温控板使用循环液时可能造成的真空腔室10的污染，使用安全方便。另外，上述真空腔室温控装置在真空腔室10下方还设置风扇，能够加速真空腔室10散热，进一步提高真空腔室温控装置的温控速度。综上所述，上述真空腔室温控装置控温速度快、使用简单，且使用安全方便。

另一个实施例中，在图2所描述的具体实施例基础之上，还包括半导体温控板14的内部设置有多个温控单元，每个温控单元可以单独控制所在区域对应的电极30的区域的温度，实现对电极30的局部控温。具体的，结合图2和图3，半导体温控板14包括第一导热绝缘层147、第二导热绝缘层148和多个半导体温控单元145。半导体温控板14的第一导热绝缘层147与导热板16连接，半导体温控板14的第二导热绝缘层148与散热板12连接。半导体温控单元145包括多个N型半导体142、多个P型半导体144和多个金属导体146，每个半导体温控单元145中，N型半导体142和P型半导体144依次交替排列且位于第一导热绝缘层147和第二导热绝缘层148之间，且多个金属导体146设于第一导热绝缘层147与各N型半导体142、P型半导体144之间，以及第二导热绝缘层148与各N型半导体142、P型半导体144之间，相邻的N型半导体142和P型半导体144之间通过金属导体146首尾连接使得各N型半导体142和P型半导体144形成串联。多个半导体温控单元145之间间隔设置，各半导体温控单元145均与控制器22连接。在本实施例中，半导体温控单元145的数量为九个，每个半导体温控单元145中N型半导体142与P型半导体144的数量相等，N型半导体142、P型半导体144和金属导体146的数量可以根据半导体温控单元145的大小进行具体设置。相邻的半导体温控单元145之间具有一定的间隔，使得每个半导体温控单元145相互独立。第二导热绝缘层148的数量为两个，分别与九个半导体温控单元145中的连接N型半导体142和P型半导体144的上下两端的多个金属导体146连接，从而连接至九个半导体温控单元145的上下两端。每个半导体温控单元145均与控制器22电连接，每个半导体温控单元145左右两端施加的电压的正负极分别与每个半导体温控单元145中的连接最左端N型半导体142和最右端P型半导体144的金属导体146连接，因此，控制器22可以对每个半导体温控单元145两端的电压进行单独控制。

温度传感器18的数量为九个，与半导体温控单元145的数量相等。半导体温控板14上开设有九个安装孔15，安装孔15的数量与温度传感器18的数量相等，每个半导体温控单元145位置处都开始有一个安装孔15，每个安装孔15内放置一个温度传感器18。安装孔15开设在半导体温控板14的每个半导体温控单元145的中心位置，使放置在其中的温度传感器18能够检测所在半导体温控单元145对应区域的电极30中心位置的温度。具体的温度传感器18的类型及安装孔15的形态均与上述实施例相同，在此不予赘述。

由上可知，通过在半导体温控板14内部设置九个半导体温控单元145，每个半导体温控单元145位置处均开设一个安装孔15，每个安装孔15内放置一个温度传感器18，每个半导体温控单元145均分别与控制器22连接，从而每个温度传感器18能够检测所在半导体温控单元145对应区域的电极30的温度，并且控制器22能单独控制每个半导体温控单元145两端的电压，使每个半导体温控单元145能够对与其所在区域对应的电极30的区域温度进行单独控制。相当于将半导体温控板14划分成为九个独立的温控区域A1～A9，实现对电极30的九个区域局部温度的检测与控制。

本实施例中半导体温控单元145的数量为九个，每个半导体温控单元145的面积相等，并且每个半导体温控单元145之间的间隔相等。但是，需要说明的是，在实际应用中，根据电极30局部温控的精度需要，可以对半导体温控单元145的数量、面积和半导体温控单元145之间的间隔进行调整，并不仅限于本实施例。

具体的，每个半导体温控单元145内的温度传感器18检测所在区域对应的电极30区域的温度信号并发送给控制器22，控制器22根据接收到的每个区域内的温度传感器18发送的温度信号，将各个区域的温度信号分别与预设温度进行比较，判断各个半导体温控单元145的工作模式是加热模式、降温模式还是待机模式，并根据每个半导体温控单元145的工作模式分别向每个半导体温控单元145施加相应的电压，每个半导体温控单元145分别对与其对应的电极30的区域进行加热或者降温，从而实现对电极30的温度进行分区域局部控制。特别是在电极30的温度与预设温度比较接近的情况下，通过设置多个半导体温控单元145可以根据需要调控电极30的局部温度，实现对电极30的温度更加精细的调控，使电极30的温度分布更加均匀。

进一步的，在电极30的温度与预设温度的差值比较大的情况下，无需对电极30的温度进行精细调控，可以只通过一个半导体温控单元145中的温度传感器18采集电极30的温度，实现对电极30温度的整体调控。例如，只有A5区域内的温度传感器18检测所在区域的半导体温控单元145对应电极30的区域的温度，并将温度信号发送给控制器22，控制器22根据接收到的A5区域内的温度传感器18发送的温度信号，将A5区域的温度信号与预设温度进行比较，判断A5区域中半导体温控单元145的工作模式，将A5区域中半导体温控单元145的工作模式作为A1～A9所有区域中半导体温控单元145的工作模式，并向九个半导体温控单元145施加相同的电压，半导体温控板14的九个半导体温控单元145对所在区域对应的电极30进行同步加热或降温，对电极30的温度进行整体控制。因此，在电极30的温度与预设温度的差值比较大的情况下，通过整体调控可以加快电极30温度调控的速度，提高温控效率。当经过整体调控后，电极30的温度与预设温度的差值比较小时，可以转换为调控电极30的局部温度，即每个半导体温控单元145内的温度传感器18都检测所在区域对应的电极30区域的温度，控制器22根据各温度传感器18检测的温度分别对每一个半导体温控单元145施加相应的电压，调控每一个半导体温控单元145的温度，对电极30的温度进行精细调控。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种真空腔室温控装置，用于对真空腔室的电极进行温度控制，其特征在于，

包括导热板、半导体温控板、散热板、温度传感器和控制器，所述导热板、半导体温控板、散热板和温度传感器设置在所述真空腔室内，所述导热板、半导体温控板和散热板由上至下依次连接，且所述导热板与电极连接；

所述半导体温控板上开设有安装孔；

所述温度传感器放置在所述安装孔内，且所述温度传感器与所述导热板连接；

所述控制器分别与所述半导体温控板和所述温度传感器连接；

所述温度传感器用于检测所述电极的温度，并将温度信号发送给所述控制器；

所述控制器根据所述温度信号控制所述半导体温控板两端施加的电压。

2.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层、多个N型半导体、多个P型半导体和多个金属导体，所述半导体温控板的第一导热绝缘层与所述导热板连接，所述半导体温控板的第二导热绝缘层与所述散热板连接，所述多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于所述第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间，且所述多个金属导体设于所述第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，以及所述第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，相邻的N型半导体和P型半导体之间通过所述金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联。

3.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述半导体温控板包括第一导热绝缘层、第二导热绝缘层和多个半导体温控单元，所述半导体温控板的第一导热绝缘层与所述导热板连接，所述半导体温控板的第二导热绝缘层与所述散热板连接，所述半导体温控单元包括多个N型半导体、多个P型半导体和个金属导体，所述多个N型半导体和多个P型半导体依次交替排列且位于所述第一导热绝缘层和第二导热绝缘层之间，且所述多个金属导体设于所述第一导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，以及所述第二导热绝缘层与各N型半导体、P型半导体之间，相邻的所述N型半导体和P型半导体之间通过所述金属导体首尾连接使得各N型半导体和P型半导体形成串联，所述多个半导体温控单元之间间隔设置，各所述半导体温控单元均与所述控制器连接。

4.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述安装孔为通孔。

5.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述安装孔为盲孔。

6.根据权利要求5所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述温度传感器的数量与所述半导体温控单元的数量相等。

7.根据权利要求6所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述半导体温控板上开设有多个所述安装孔，所述安装孔开设在所述半导体温控板上所述半导体温控单元位置处，所述安装孔的数量与所述温度传感器的数量相等。

8.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，还包括风扇，所述风扇设置在所述真空腔室外，且所述风扇连接至所述真空腔室底部。

9.根据权利要求1所述的真空腔室温控装置，其特征在于，所述温度传感器为接触式温度传感器。