CN206059178U - 一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构 - Google Patents

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龚学毅
李旭光
刘斌
张维
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Abstract

本实用新型公开了一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构,包括封装外围及封装外围内置的两级串联电容容芯,其中,第一电容容芯的另一端通过高压引线连接高压端子,第二电容容芯的另一端通过低压引线连接低压端子,所述封装外围内两级串联电容之间及与封装外围内壁之间均浇筑有绝缘物质层。本实用新型两级容芯串联式结构的10kV配网智能开关内置高压电容较现有技术的高压电容,能有效地改善电容内部的电场分布,防止击穿现象的发生,提高高压电容的运行可靠性以及运行寿命。

Description

一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构
技术领域
本实用新型涉及高压电容技术领域,具体涉及一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构。
背景技术
社会的高速发展对供电可靠性及停电时间提出了更高的要求,为了持续提高配网供电可靠性,加大配网建设与改造力度,强化配网安全管理,不断提高配网安全可靠运行水平,国家电网公司与南方电网公司对10kV配网开关的安全性能要求越来越高。目前国内10kV配网智能开关较多的通过内置高压电容来采集零序电压信号,及时发现配网线路上发生的接地故障,进而通过继电保护动作及时对故障点进行处理。然而市场上高压电容的绝缘材料质量及绝缘结构设计参差不齐,部分高压电容长期运行会存在较高的安全隐患。在材料降本的大环境下通过高压电容结构的改善来提高高压电容的质量成为了国内外众多企业的创新技术研究之一。
10kV配网智能开关内置高压电容的安全可靠运行关系到配网线路故障信息的采集,对配网继电保护设备的准确可靠动作具有非常重要的影响。因此需要一种高安全高可靠的高压电容来保证10kV配网智能开关能及时准确地收集配网线路接地故障零序电压信息,进而通过继电保护设备准确可靠地对故障进行处理,提高配网安全运行的可靠性。
目前使用的10kV配网智能开关内置高压电容结构简单,主要存在以下两个缺点:
(1)由于是内置高压电容,体积大小受到限制,电气绝缘也因此而受到限制,导致高压电容在耐压过程中容易发生击穿现象;
(2)现有技术的10KV配网智能开关内置高压电容只有一个容芯,当发生高低压击穿时会导致高压直接接地,构成线路接地故障,而且电容的劣化不易被及时发现,扩大高压电容故障带来的不良影响。
发明内容
基于现有技术的不足,本实用新型提供了一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构,用于解决10kV配网智能开关内置高压电容容易发生耐压击穿、电容劣化难发现,故障影响范围大等问题。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案为:
包括封装外围及封装外围内置的两级串联电容容芯,其中,第一电容容芯的另一端通过高压引线连接高压端子,第二电容容芯的另一端通过低压引线连接低压端子,所述封装外围内两级串联电容之间及与封装外围内壁之间均浇筑有绝缘物质层。
所述串联的两级电容容芯相同。
所述两级电容通过铜线串联。
所述两级串联的电容容芯的上下表面都镀有银层。
所述两级电容容芯均为高介陶瓷容芯。
所述绝缘物质层为环氧树脂绝缘层。
本实用新型的有益效果为:两级容芯串联式结构的10kV配网智能开关内置高压电容较现有技术的高压电容,能有效地改善电容内部的电场分布,防止击穿现象的发生,提高高压电容的运行可靠性以及运行寿命;同时两级容芯串联使用,若发生单级容芯被击穿劣化,会立即反映到智能开关二次终端零序采集信号的变化,从而被及时发现而进行及时的处理,避免了高压电容高压对地击穿造成严重的接地故障,大大缩小了高压电容故障带来的不良影响,因此,本实用新型优化了10kV配网智能开关内置高压电容的安全性能,提高了配电网供电可靠性,降低了停电时间,从而产生非常良好的经济效益和社会效益。
附图说明
图1为本实用新型具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本实用新型的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构,包括封装外围1及封装外围1内置的两级电容容芯2,其中,第一电容容芯与第二电容容芯之间通过铜线连接,第一电容容芯的另一端通过高压引线3连接高压端子4,第二电容容芯的另一端通过低压引线5连接低压端子6,封装外围1内两级串联电容容芯2之间及与封装外围1内壁之间均浇筑有绝缘物质7。封装外围1下部还设置有安装嵌件8。
本实施例串联的两级电容容芯相同。
本实施例两级串联的电容容芯的上下表面都镀有银层。
本实施例两级电容容芯均为高介陶瓷容芯。
本实施例绝缘物质层为环氧树脂绝缘层。
本实施例的技术结构主要是将现有高压电容单个容芯结构优化为两个相同的容芯串联使用的结构,两个串联容芯通过金属引线连接,上下端引线引出高低压端子,周围通过浇注环氧树脂绝缘层进行电气绝缘。
通过两级容芯串联使用结构增大了容芯表面高低压之间的电气距离,增强了高低压之间的绝缘强度,优化了高压电容内部的电场分布。本实施例对现有高压电容和本实用新型高压电容基于Ansoft Maxwell电场仿真软件进行了60kV耐压电场仿真,仿真过程除了高压电容容芯结构不一样,其它仿真条件保持一致。通过电场仿真结果可以得出,相对于现有的单容芯高压电容,本实施例的两级容芯串联结构高压电容电场分布有明显的优化效果,最高场强下降了2kV/cm,高场强范围也明显缩小。可见,本实施例提高了高压电容的耐压水平,有效防止了高压电容在耐压过程中出现击穿现象。
同时本实施例中两级容芯串联使用的过程中若发生单级容芯被击穿劣化,可以立即反映到零序电压采集信号的变化,进而及时发现劣化的高压电容,从而对其进行及时的处理,避免了高压电容直接发生高压对地击穿,发生单相接地故障,扩大故障的不良影响。
需要说明的是,以上所述只是本实用新型的较佳实施例而已,本实用新型并不局限于上述实施方式,只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果,都应属于本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:包括封装外围及封装外围内置的两级串联电容容芯,其中,第一电容容芯的另一端通过高压引线连接高压端子,第二电容容芯的另一端通过低压引线连接低压端子,所述封装外围内两级串联电容之间及与封装外围内壁之间均浇筑有绝缘物质层。
2.如权利要求1所述的配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:所述串联的两级电容容芯相同。
3.如权利要求1或2所述的配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:所述两级电容通过铜线串联。
4.如权利要求2所述的配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:所述两级串联的电容容芯的上下表面都镀有银层。
5.如权利要求1、2或4所述的配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:所述两级电容容芯均为高介陶瓷容芯。
6.如权利要求1所述的配网智能开关内置防击穿高压电容结构,其特征在于:所述绝缘物质层为环氧树脂绝缘层。
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