CN205958739U

CN205958739U - 用于测试传感器组件的站

Info

Publication number: CN205958739U
Application number: CN201620969497.2U
Authority: CN
Inventors: 郭建
Original assignee: Apple Computer Inc
Current assignee: Apple Inc
Priority date: 2015-09-30
Filing date: 2016-08-29
Publication date: 2017-02-15
Anticipated expiration: 2026-08-29

Abstract

本实用新型涉及用于测试传感器组件的站。一种测试站可以操作用来通过相对于电磁体轴将组件保持在三个测试取向中的每个测试取向处来测试三轴磁力计传感器组件。在每个特定传感器轴的每个特定测试取向处，可以确定在沿着电磁体轴施加第一磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场和在沿着电磁体轴施加第二磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场之间的差。可以利用这些确定的差与第一磁场和第二磁场的幅度和在每个测试取向处电磁体轴在每个传感器轴上的向量分量一起来确定每个传感器轴的灵敏度性能。

Description

用于测试传感器组件的站

技术领域

本公开涉及用于高效地测试传感器组件的系统、方法和计算机可读介质，更具体地涉及用于高效地测试用户电子装置内的磁力计传感器组件的灵敏度性能的系统、方法和计算机可读介质。

背景技术

电子装置(例如，膝上型计算机、蜂窝电话等)可以设置有用于测量装置的环境的磁性的磁力计组件。但是，迄今为止，测试这种磁力计组件的灵敏度性能一直低效。

实用新型内容

本文描述用于高效地测试传感器组件的系统、方法和计算机可读介质。

例如，一种用于测试包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块的传感器组件的站可包括一对电磁体，该对电磁体包括第一电磁体和相对于第一电磁体以固定关系保持的第二电磁体，其中，该对电磁体操作用来产生沿着在第一电磁体和第二电磁体之间延伸的电磁体轴的至少一个磁场。该站还可包括：保持器，操作用来相对于保持器以固定关系保持传感器组件；以及重新定向子组件，操作用来相对于电磁体轴在多个测试取向之间移动保持器。所述多个测试取向包括：第一测试取向，在该第一测试取向，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场与第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴形成三个相等的角度；第二测试取向，在该第二测试取向，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第一传感器轴，又处于包括第二传感器轴和第三传感器轴的第一平面中；以及第三测试取向，在该第三测试取向，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第三传感器轴，又处于包括第一传感器轴和第二传感器轴的第二平面中。

又例如，一种用于测试包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块的传感器组件的方法可包括：相对于在第一电磁体和第二电磁体之间延伸的电磁体轴将传感器组件定向在三个不同的测试取向中的每个测试取向。当传感器组件被定向在所述三个不同的测试取向中的每个测试取向时，所述方法可包括在第一方向上施加沿着电磁体轴的第一磁场和在与第一方向相反的第二方向上施加沿着电磁体轴的第二磁场。对于当被定向在所述三个不同的测试取向中的每个测试取向时第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴，所述方法还可包括确定在施加第一磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场和在施加第二磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场之间的差。所述方法还可包括：定义第一矩阵的矩阵元素以包括所确定的差；定义第二矩阵的矩阵元素以包括关于第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的主轴灵敏度性能和两个交叉轴灵敏度性能中的每一个；定义第三矩阵的矩阵元素以包括在所述三个不同的测试取向中的每个测试取向电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴上的向量分量；以及通过利用将第一矩阵设置为等于下述因子的乘积的方程式来确定第二矩阵的每个矩阵元素的值：第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和、第三矩阵和第二矩阵。

再例如，可以提供一种用于相对于电磁体轴测试传感器组件的非暂态计算机可读介质，其中，该传感器组件包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块，所述非暂态计算机可读介质包括其上记录的计算机可读指令，用于：访问包括多个第一矩阵元素的第一矩阵，其中，每个第一矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在三个不同的测试取向中的相应的特定测试取向时沿着电磁体轴在第一方向上施加第一磁场期间由传感器组件的第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的特定传感器轴感测到的任何磁场、与当传感器组件相对于电磁体被定位在所述相应的特定测试取向时沿着电磁体轴在第二方向上施加第二磁场期间由所述相应的特定传感器轴感测到的任何磁场之间的差；访问包括多个第二矩阵元素的第二矩阵，其中，每个第二矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在所述三个不同的测试取向中的相应测试取向时电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的传感器轴上的向量分量；以及利用第一矩阵、第二矩阵、以及第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和来确定第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的灵敏度性能。

提供了一种用于测试传感器组件的站，该传感器组件包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块，其特征在于，所述站包括：一对电磁体，包括第一电磁体和相对于第一电磁体以固定的关系保持的第二电磁体，其中该对电磁体操作用来沿着在第一电磁体和第二电磁体之间延伸的电磁体轴产生至少一个磁场；保持器，操作用来相对于保持器以固定的关系保持传感器组件；以及重新定向子组件，操作用来相对于电磁体轴在多个测试取向之间移动保持器，其中所述多个测试取向包括：第一测试取向，在该第一测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场与第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴形成三个相等的角度；第二测试取向，在该第二测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第一传感器轴，又处于包括第二传感器轴和第三传感器轴的第一平面中；以及第三测试取向，在该第三测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第三传感器轴，又处于包括第一传感器轴和第二传感器轴的第二平面中。

在一些实施例中，重新定向子组件操作用来绕旋转轴旋转保持器，以便在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何两个测试取向之间移动保持器。

在一些实施例中，当传感器组件被保持器保持时所述旋转轴与第二传感器轴对准。

在一些实施例中，重新定向子组件操作用来：绕所述旋转轴在第一方向把保持器旋转第一旋转角，用于将保持器从第一测试取向移动到第二测试取向；以及绕所述旋转轴在第二方向上把保持器旋转第二旋转角，用于将保持器从第一测试取向移动到第三测试取向。

在一些实施例中，第一旋转角的大小等于第二旋转角的大小。

在一些实施例中，第一旋转角和第二旋转角中的每个旋转角的大小是45°。

在一些实施例中，当传感器组件被保持器保持并且保持器处于第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何一个测试取向处时，第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴的相交处位于电磁体轴上。

在一些实施例中，当传感器组件被保持器保持并且保持器处于第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何一个测试取向处时，第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴的相交处位于沿着电磁体轴离第一电磁体和第二电磁体中的每个电磁体等距离的位置处。

在一些实施例中，该站还包括处理器，该处理器操作用来：访问包括多个第一矩阵元素的第一矩阵，其中每个第一矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体轴被定位在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第一方向上施加所述至少一个磁场中的第一磁场期间由传感器组件的第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的特定传感器轴感测到的任何磁场、与当传感器组件相对于电磁体被定位在所述相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第二方向上施加所述至少一个磁场中的第二磁场期间由所述相应的特定传感器轴感测到的任何磁场之间的差；访问包括多个第二矩阵元素的第二矩阵，其中每个第二矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在所述第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的相应的测试取向处时电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的传感器轴上的向量分量；以及利用第一矩阵、第二矩阵、以及第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和来确定第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的灵敏度性能。

在一些实施例中，该站还包括处理器，其中：

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第一测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第一电磁体离开第二电磁体产生所述至少一个磁场中的第一磁场时，处理器操作用来确定：

第一第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第一第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第一第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第一测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第二电磁体离开第一电磁体产生所述至少一个磁场中的第二磁场时，处理器操作用来确定：

第二第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第二第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第二第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第二测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第一电磁体离开第二电磁体产生第一磁场时，处理器操作用来确定：

第三第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第三第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第三第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第二测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第二电磁体离开第一电磁体产生第二磁场时，处理器操作用来确定：

第四第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第四第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第四第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第三测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第一电磁体离开第二电磁体产生第一磁场时，处理器操作用来确定：

第五第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第五第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第五第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

当传感器组件被保持器保持时，当保持器处于第三测试取向处时，并且当沿着电磁体轴向着第二电磁体离开第一电磁体产生第二磁场时，处理器操作用来确定：

第六第一传感器模块值，指示由第一传感器模块感测到的任何磁场；

第六第二传感器模块值，指示由第二传感器模块感测到的任何磁场；

第六第三传感器模块值，指示由第三传感器模块感测到的任何磁场；

处理器操作用来定义第一矩阵、第二矩阵和第三矩阵，第一矩阵包括以下第一矩阵元素：

第七第一传感器模块值，指示第一第一传感器模块值和第二第一传感器模块值之间的差；

第七第二传感器模块值，指示第一第二传感器模块值和第二第二传感器模块值之间的差；

第七第三传感器模块值，指示第一第三传感器模块值和第二第三传感器模块值之间的差；

第八第一传感器模块值，指示第三第一传感器模块值和第四第一传感器模块值之间的差；

第八第二传感器模块值，指示第三第二传感器模块值和第四第二传感器模块值之间的差；

第八第三传感器模块值，指示第三第三传感器模块值和第四第三传感器模块值之间的差；

第九第一传感器模块值，指示第五第一传感器模块值和第六第一传感器模块值之间的差；

第九第二传感器模块值，指示第五第二传感器模块值和第六第二传感器模块值之间的差；

第九第三传感器模块值，指示第五第三传感器模块值和第六第三传感器模块值之间的差；

第二矩阵包括以下第二矩阵元素：

第一灵敏度值，指示用于在第一传感器轴上检测任何磁场的第一传感器模块的主轴灵敏度性能；

第二灵敏度值，指示用于在第一传感器轴上检测任何磁场的第二传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第三灵敏度值，指示用于在第一传感器轴上检测任何磁场的第三传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第四灵敏度值，指示用于在第二传感器轴上检测任何磁场的第一传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第五灵敏度值，指示用于在第二传感器轴上检测任何磁场的第二传感器模块的主轴灵敏度性能；

第六灵敏度值，指示用于在第二传感器轴上检测任何磁场的第三传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第七灵敏度值，指示用于在第三传感器轴上检测任何磁场的第一传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第八灵敏度值，指示用于在第三传感器轴上检测任何磁场的第二传感器模块的交叉轴灵敏度性能；

第九灵敏度值，指示用于在第三传感器轴上检测任何磁场的第三传感器模块的主轴灵敏度性能；

第三矩阵包括以下第三矩阵元素：

1/√3；1/√3；1/√3；√2/√3；1/√3；0；0；1/√3；和√2/√3；并且

处理器操作用来通过利用将第一矩阵设置为等于下述因子的乘积的方程式来确定第二矩阵的每个第二矩阵元素的值：第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和；第三矩阵；以及第二矩阵。

仅仅为了概括一些示例实施例而提供本实用新型内容，以提供对本文中描述的主题的一些方面的基本理解。因此，将会认识到，实用新型内容中描述的特征仅仅是示例，并且不应该被解释为以任何方式缩小本文所描述的主题的范围或精神。除非另有说明，在一个示例的情景中描述的特征可以与在一个或多个其他示例的情景中描述的特征组合或一起使用。根据下述的具体实施方式、附图和权利要求书，本文中描述的主题的其他特征、方面和优点将变得明显。

附图说明

下面的讨论参考以下附图，在附图中相同的附图标记可以始终指示相同的部分，并且在附图中：

图1是包括具有传感器组件的电子装置的示例性系统的示意图；

图1A是图1的电子装置的前、左、底透视图；

图1B是图1和图1A的电子装置的后、右、底透视图；

图2是图1的系统的工厂子系统的测试站的前、右、顶透视图；

图2A是图2的测试站的前、左、底透视图；

图2B是从图2A的线IIB-IIB截取的但是由测试站的保持器保持图1至图1B的电子装置的图2和图2A的测试站的一部分的侧正视图；

图3是图2至图2B的测试站的固定部分和相对于测试站的固定部分由测试站的保持器(未示出)保持在第一测试取向的图1至图1B和图2B的电子装置的传感器组件的类似于图2A的前、左、底透视图；

图3A是图2至图3的测试站的固定部分和相对于测试站的固定部分由测试站的保持器(未示出)保持在第二测试取向的图1至图1B、图2B和图3的电子装置的传感器组件的类似于图2A和图3的前、左、底透视图；

图3B是图2至图3A的测试站的固定部分和相对于测试站的固定部分由测试站的保持器(未示出)保持在第三测试取向的图1至图1B和图2B至图3A的电子装置的传感器组件的类似于图2A、图3和图3A的前、左、底透视图；以及

图4和图5是用于测试传感器组件的示例性过程的流程图。

具体实施方式

可以提供用于高效地测试传感器组件的系统、方法和计算机可读介质。一种工厂子系统的测试站可操作用来测试任何合适的三轴传感器组件(例如，三轴磁力计传感器组件)，该传感器组件可包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块。测试站可以操作用来相对于电磁体轴(例如，在电磁体对的两个电磁体之间)将传感器组件保持在三个不同的测试取向中的每个测试取向，其中沿着该电磁体轴，可以由测试站在不同的方向上施加不同的场。在每个特定传感器模块的每个特定测试取向，可以确定在沿着电磁体轴在第一方向上施加第一磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场和在沿着电磁体轴在第二方向上施加第二磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场之间的差。这些确定的差可以与第一磁场和第二磁场的幅度以及在三个不同的测试取向中的每个测试取向电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴上的向量分量组合利用，以便确定第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的灵敏度性能(例如，对于第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的主轴灵敏度性能和两个交叉轴灵敏度性能中的每一个)。在一些实施例中，测试取向中的第一测试取向可以被配置为使得在传感器组件被保持在第一测试取向时电磁体轴与第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴形成三个相等的角度，同时测试取向中的第二测试取向可以被配置为使得在传感器组件被保持在第二测试取向时电磁体轴既与第一传感器轴垂直，又处于包括第二传感器轴和第三传感器轴的第一平面中，并且/或者同时测试取向中的第三测试取向可以被配置为使得在传感器组件被保持器保持时电磁体轴既与第三传感器轴垂直，又处于包括第一传感器轴和第二传感器轴的第二平面中，由此特定测试取向可以实现更快和/或更小的测试站。

图1至图1B的说明

图1是具有示例性电子装置100的系统1的示意图，该电子装置100可包括用于测量该装置的环境的任何合适的磁性的传感器组件115，该传感器组件115可以以低功率、高偏移稳定性、低偏移、高灵敏度、低灵敏度误差和/或任何其它合适的高性能属性进行操作。系统1还可包括工厂子系统20，该子系统20可包括可操作用来(例如，在将装置100提供给终端用户之前在工厂里)组装、校准、测试和/或封装装置100的任何一个或多个合适的站或设置。例如，工厂子系统20可操作用来提供主线测试、工厂功能主要测试程序和规格、工厂离线测试(例如，工厂离线共存测试程序和规格)、可靠性测试和/或实验覆盖设计，以便确保在电子装置100中成功地实现传感器组件115。

电子装置100可包括，但不限于，音乐播放器(例如，从美国加州Cupertino市的苹果公司可得到的iPod^TM)、视频播放器、静态图像播放器、游戏机、其它媒体播放器、音乐记录器、电影或视频摄像机和记录器、静态照相机、其他媒体记录器、收音机、医疗设备、家用电器、运输车辆仪器、乐器、计算器、蜂窝式电话(例如，从苹果公司可得到的iPhone^TM)、其他无线通信装置、个人数字助理、遥控器、寻呼机、计算机(例如，台式计算机、膝上型计算机、平板计算机(例如，从苹果公司可得到的iPad^TM)、服务器等)、监视器、电视机、音响设备、机上盒(set up box)、机顶盒、手提音响(boom box)、调制解调器、路由器、打印机或它们的任意组合。在一些实施例中，电子装置100可以执行单个功能(例如，专用于测量装置的环境的磁性的装置)，并且在其他实施例中，电子装置100可以执行多种功能(例如，测量装置的环境的磁性、播放音乐以及接收和发送电话呼叫的装置)。

电子装置100可以是任何便携式、移动、手持或微型电子装置，其可以被配置为无论用户行进到哪里都测量装置的环境的磁性。一些微型电子装置可以具有小于手持电子装置(例如，iPod^TM)的形状因数。示例性微型电子装置可以被集成到各种对象中，所述对象可包括，但不限于，手表(例如，从苹果公司可得到的Apple Watch^TM)、戒指、项链、腰带、腰带配件、耳机、鞋子配件、虚拟现实装置、眼镜、其他可穿戴电子产品、运动器材配件、健身器材配件、钥匙链或它们的任意组合。可替换地，电子装置100可以根本不是便携式的，反而可以是大致静止的。

如图1所示，例如，电子装置100可包括处理器102、存储器104、通信部件106、电源108、输入部件110、输出部件112和传感器组件115。电子装置100还可包括总线119，该总线119可以提供一个或多个有线或无线通信链路或路径，用于把数据和/或电力传输到装置100的各种其他部件、从各种其他部件传输数据和/或电力、或者在它们之间传输数据和/或电力。在一些实施例中，可以组合或省略电子装置100的一个或多个部件。而且，电子装置100可包括在图1中没有组合或包括的任何其他合适的部件和/或图1所示的部件的几个实例。为了简单起见，在图1中只示出每个所述部件中的一个。

存储器104可包括一个或多个存储介质，包括例如硬盘驱动器、闪速存储器、持久性存储器(例如，只读存储器(“ROM”))，半持久性存储器(例如，随机存取存储器(“RAM”))、任何其他合适类型的存储部件或它们的任意组合。存储器104可包括高速缓存存储器，其可以是用于临时存储电子装置应用的数据的一种或多种不同类型的存储器。存储器104可以被固定地嵌入电子装置100内，或者可以被合并到可反复地插入电子装置100和从其移除的一种或多种合适类型的部件(例如，用户身份模块(“SIM”)卡或安全数字(“SD”)存储卡)上。存储器104可存储多媒体数据(例如，音乐文件和图像文件)、软件(例如，用于在装置100上实现功能)、固件、偏好信息(例如，媒体回放偏好)、生活方式信息(例如，食物偏好)、锻炼信息(例如，由锻炼监测设备获得的信息)、交易信息(例如，信用卡信息)、无线连接信息(例如，可使装置100能建立无线连接的信息)、订阅信息(例如，跟踪用户订阅的播客或电视节目或其它媒体的信息)、联系人信息(例如，电话号码和电子邮件地址)、日历信息、通行证信息(例如，交通乘车牌、活动门票、优惠券、商店卡，金融支付卡等等)、阈值数据(例如，在测试期间可利用的一组任何合适的阈值数据，如数据105)、任何其它合适的数据或者它们的任意组合。

可以提供通信部件106，以允许装置100使用任何合适的通信协议与系统1的一个或多个其他电子装置或服务器(例如，如下面可能描述的，数据源或服务器50和/或工厂子系统20的一个或多个设置的一个或多个部件)通信。例如，通信部件106可支持Wi-Fi^TM(例如，802.11协议)、ZigBee^TM(例如，802.15.4协议)、WiDi^TM、以太网、Bluetooth^TM、Bluetooth^TM低能量(“BLE”)、高频系统(例如，900MHz通信系统、2.4GHz通信系统和5.6GHz通信系统)、红外、传输控制协议/因特网协议(“TCP/IP”)(例如，各个TCP/IP层中使用的协议中的任一个)、流控制传输协议(“SCTP”)、动态主机配置协议(“DHCP”)、超文本传输协议(“HTTP”)、BitTorrent^TM、文件传输协议(“FTP”)、实时传输协议(“RTP”)、实时流传输协议(“RTSP”)、实时控制协议(“RTCP”)、远程音频输出协议(“RAOP”)、实际数据传输协议^TM(“RDTP”)、用户数据报协议(“UDP”)、安全外壳协议(“SSH”)、无线分布系统(“WDS”)桥接、可由无线电话和蜂窝电话及个人电子邮件装置使用的任何通信协议(例如，全球移动通信系统(“GSM”)、GSM加GSM演进的增强数据速率(“EDGE”)、码分多址(“CDMA”)、正交频分多址(“OFDMA”)、高速分组接入(“HSPA”)、多频带等)、可由低功率无线个人区域网(“6LoWPAN”)模块使用的任何通信协议、任何其他通信协议或其任意组合。通信部件106还可包括或者可以电耦接到任何合适的收发器电路，其可使得装置100能够通信地耦接到另一个装置(例如，主机计算机、扫描仪、附件装置、测试设备等)(例如，服务器50或工厂子系统20的合适部件)并通过无线方式或经由有线连接(例如，使用连接器端口)与该另一个装置传送数据(例如，数据55)。通信部件106可以被配置为确定电子装置100的地理位置和/或可与该位置相关联的任何合适的数据。例如，通信部件106可以利用全球定位系统(“GPS”)或可使用小区塔定位技术或Wi-Fi^TM技术的区域范围定位系统或站点范围定位系统，或者可利用用于提供任何合适的基于位置的数据给装置100的地理围栏的任何合适的基于位置的服务或实时定位系统。如下面更详细地描述的，系统1可包括任何合适的远程实体或数据源，例如服务器50或者工厂子系统20的合适的部件，其可以被配置为使用任何合适的通信协议和/或任何合适的通信介质(例如，经由通信部件106)与电子装置100传送任何合适的数据，例如数据55。

电源108可包括用于接收和/或产生电力并将这种电力提供到电子装置100的一个或多个其他部件的任何合适的电路。例如，电源108可以被耦接至电力网(例如，在装置100不充当便携式装置时或在装置的电池正利用发电厂产生的电力在电插座处充电时)。又例如，电源108可被配置为从天然来源(例如，使用太阳能电池的太阳能)产生电力。又例如，电源108可包括用于提供电力的一个或多个电池(例如，在装置100正充当便携式装置时)。例如，电源108可包括电池(例如，胶体电池、镍金属氢化物电池、镍镉电池、镍氢电池、铅酸电池或锂离子电池)、不间断电源或连续电源(“UPS”或“CPS”)和用于处理从发电来源所接收的电力(例如，由发电厂产生并经由电插座或以其他方式传送至用户的电力)的电路中的一个或多个。电力可以被电源108作为交流电或直流电来提供，并且可被处理以将电力转换为具有特定特性或将所接收电力限制为具有特定特性。例如，电力可被转换成直流电或从直流电转换而来，并且被约束为所接收的电力的平均功率、有效功率、峰值功率、每脉冲的能量、电压、电流(例如，以安培测量)或任何其他特性的一个或多个值。例如，基于电子装置100或可耦接至电子装置100的外围装置的需要或要求，电源108可操作用来在不同时间请求或提供特定量的电力(例如，与在电池已充好电时相比，在为电池充电时要请求更多的电力)。

可提供一个或多个输入部件110以允许用户或装置环境与装置100进行交互或对接。例如，输入部件110可采用各种形式，包括但不限于触摸板、拨号盘、点击式轮、滚轮、触摸屏、一个或多个按钮(例如，键盘)、鼠标、摇杆、轨迹球、麦克风、摄像机、扫描仪(例如，条形码扫描仪或可从代码(例如，线性条形码、矩阵条形码(例如，快速响应(“QR”)码等)获得产品识别信息的任何其他合适的扫描仪)、接近传感器、光检测器、生物测定传感器(例如，指纹读取器或可结合电子装置100能够访问以对用户进行认证的特征处理应用来操作的其他特征识别传感器)、用于数据和/或电力的接入连接器以及它们的组合。每个输入部件110可以被配置为提供一个或多个专用控制功能，用于做出选择或发出与操作装置100相关联的命令。

电子装置100还可包括一个或多个输出部件112，其可将信息(例如，图形信息、听觉信息和/或触觉信息)呈现给装置100的用户。例如，电子装置100的输出部件112可以采用各种形式，包括但不限于音频扬声器、耳机、用于数据和/或电力的接出连接器、视觉显示器(例如，用于经由可见光和/或经由不可见光传输数据)、红外端口、闪光灯(例如，用于提供用于照明装置的环境的人工光的光源)、触觉输出部件(例如，滚筒、振动器等)、或它们的组合。作为一个具体示例，电子装置100可包括作为输出部件112的显示组件输出部件，其中，这种显示组件输出部件可包括用于以可见光向用户呈现视觉数据的任何合适类型的显示器或界面。显示组件输出部件可包括嵌入装置100中或耦接至装置100的显示器(例如，可移除的显示器)。显示组件输出部件可包括例如液晶显示器(“LCD”)、发光二极管(“LED”)显示器、等离子体显示器、有机发光二极管(“OLED”)显示器、表面传导电子发射显示器(“SED”)、碳纳米管显示器、纳米晶体显示器、任何其他合适类型的显示器或它们的组合。可替换地，显示组件输出部件可包括用于在远离电子装置100的表面上提供内容显示的投影系统或可移动显示器，例如视频投影仪、平视显示器或三维(例如，全息)显示器。又例如，显示组件输出部件可包括数字取景器或机械取景器，例如，在紧凑型数字照相机、反射照相机或任何其他合适的静态照相机或摄像机中发现的类型的取景器。显示组件输出部件可包括显示驱动器电路、用于驱动显示驱动器的电路或两者，并且这种显示组件输出部件可操作用来在处理器102指示下显示内容(例如，媒体回放信息、在电子装置100上实现的应用的应用画面、关于进行中的通信操作的信息、关于进入的通信请求的信息、装置操作画面等)。

应该注意，一个或多个输入部件和一个或多个输出部件在本文中有时可被统称为输入/输出(“I/O”)部件或I/O接口(例如，输入部件110和输出部件112作为I/O部件或I/O接口111)。例如，输入部件110和输出部件112有时可以是单个I/O部件111，例如触摸屏，其可通过用户触摸显示屏来接收输入信息并且还可以经由该相同的显示屏来向用户提供视觉信息。

传感器组件115可包括可被独立地和/或组合地配置为检测与装置100相关联的各种类型的运动和/或取向的任何合适的传感器组件或传感器组件的任何合适的组合。例如，如图所示，传感器组件115可包括磁力计或磁传感器组件114、加速度计传感器组件116和/或陀螺仪或角速率传感器组件118。磁力计传感器组件114可包括可操作用来根据任何合适的技术在可被装置100占据或接近装置100的空间90中的点处(例如，在工厂子系统20的任何合适的设置内的空间中的点处，等等)至少部分地(例如，沿着一个轴、两个轴或三个轴中的每个)测量电子装置100的环境90的磁性95(例如，测量接近装置100的磁性材料90的磁化95，测量磁场95的强度和/或方向)(例如，以给置100提供罗盘功能和/或测试传感器组件115和/或校准传感器组件115)的任何合适的部件或部件的组合。磁力计传感器组件114可包括任何合适的磁传感器，包括但不限于可利用磁阻(例如，当对材料施加外部磁场时会改变其电阻值的该材料的特性)的任何合适的传感器，例如磁阻(“MR”)传感器、巨磁阻(“GMR”)传感器、隧道磁阻(“TMR”)传感器、各向异性磁阻(“AMR”)传感器等、可利用超导量子干涉装置(“SQUID”)的任何合适的传感器、任何合适的磁通门磁力计、可利用洛伦兹力的任何合适的传感器(例如，使用洛伦兹力测速(“LFV”)等)、任何其他合适的磁力计，例如霍尔效应磁力计或可利用霍尔效应的霍尔效应传感器(例如，当垂直于电导体中的电流的磁场变化时可能变化的跨该导体产生电压差的产生)、它们的任何组合等等。在一些实施例中，如图所示，磁力计传感器组件114可包括可操作用来沿着第一轴(例如，Xs传感器轴)测量磁场的方向和/或强度的X轴磁力计传感器模块114x、可操作用来沿着第二轴(例如，可垂直于Xs传感器轴的Ys传感器轴)测量磁场的方向和/或强度的Y轴磁力计传感器模块114y、和/或可操作用来沿着第三轴(例如，可垂直于Xs传感器轴和/或垂直于Ys传感器轴的Zs传感器轴)测量磁场的方向和/或强度的Z轴磁力计传感器模块114z。例如，磁力计传感器组件114可以是可操作用来实现地磁场感测应用的3轴数字磁力计。

加速度计传感器组件116可包括任何合适的部件或部件的组合，其可操作用来根据任何合适的技术(例如，用以确定装置100的倾斜角)沿着一个或多个维度(例如，沿着一个轴、两个轴或三个轴中的每个)至少部分地测量电子装置100的物理加速度特性(例如，测量装置100相对于自由落体(例如，相对于重力)的物理加速度)。在一些实施例中，如图所示，加速度计传感器组件116可包括可操作用来沿着第一轴(例如，Xs传感器轴)测量加速度特性的方向和/或强度的X轴加速度计传感器模块116x、可操作用来沿着第二轴(例如，可垂直于Xs传感器轴的Ys传感器轴)测量加速度特性的方向和/或强度的Y轴加速度计传感器模块116y、和/或可操作用来沿着第三轴(例如，可垂直于Xs传感器轴和/或垂直于Ys传感器轴的Zs传感器轴)测量加速度特性的方向和/或强度的Z轴加速度计传感器模块116z。陀螺仪传感器组件118可包括可操作用来根据任何合适的技术(例如，用以确定装置100的取向)至少部分地测量电子装置100的角速度(例如，角速率)(例如，相对于一个或多个维度(例如，沿着一个、两个或三个旋转轴)测量装置100的角速度)的任何合适的部件或部件的组合。在一些实施例中，如图所示，陀螺仪传感器组件118可包括可操作用来沿着第一旋转轴(例如，Xs传感器轴)测量角速度的方向和/或强度的X轴陀螺仪传感器模块118x、可操作用来沿着第二旋转轴(例如，可垂直于Xs传感器轴的Ys传感器轴)测量角速度的方向和/或强度的Y轴陀螺仪传感器模块118y、和/或可操作用来沿着第三旋转轴(例如，可垂直于Xs传感器轴和/或垂直于Ys传感器轴的Zs传感器轴)测量角速度的方向和/或强度的Z轴陀螺仪传感器模块118z。

电子装置100的处理器102可包括可操作用来控制电子装置100的一个或多个部件的操作和性能的任何处理电路。例如，处理器102可从输入部件110接收输入信号和/或通过输出部件112驱动输出信号。如图1所示，处理器102可用于运行一个或多个应用，例如应用103。应用103可包括但不限于一个或多个操作系统应用、固件应用、媒体回放应用、媒体编辑应用、通行证应用、日历应用、状态确定应用、生物测定特征处理应用、罗盘应用、任何其他合适的基于磁检测的应用、任何合适的传感器组件测试应用、任何合适的传感器组件校准应用、或者任何其他合适的应用。例如，处理器102可加载作为用户界面程序的应用103，以确定经由装置100的输入部件110或其他部件所接收的指令或数据可如何操控可存储信息和/或经由输出部件112向用户提供信息的一种或多种方式。又例如，处理器102可加载作为背景应用程序或用户可检测应用程序的应用103，以确定经由传感器组件115和/或服务器50和/或工厂子系统20所接收的指令或数据可如何操控可存储信息和/或该信息以其他方式用来控制装置100的至少一个功能的一种或多种方式(例如，作为磁传感器应用)。应用103可由处理器102从任何合适的源进行访问，例如，从存储器104(例如，经由总线119)或从另一个装置或服务器(例如，服务器50和/或工厂子系统20和/或经由通信部件106的任何其他合适的远程源)进行访问。处理器102可包括单个处理器或多个处理器。例如，处理器102可包括至少一个“通用”微处理器、通用微处理器和专用微处理器的组合、指令集处理器、图形处理器、视频处理器和/或相关的芯片集、和/或专用微处理器。处理器102还可包括用于高速缓存目的的板上存储器。

电子装置100还可设置有外壳101，该外壳101可至少部分地包封装置100的一个或多个部件，以针对装置100外部的碎片和其他劣化力进行保护。在一些实施例中，可在其外壳内提供一个或多个部件(例如，输入部件110可以是其自身外壳内的独立键盘或鼠标，其可以无线方式或通过线路与可在其自身外壳内提供的处理器102进行通信)。

如图1A和图1B所示，电子装置100的一个具体例子可以是手持式电子装置，例如iPhone^TM，其中外壳101可允许访问各种输入部件(例如，输入部件110a、110b和110c)、各种输出部件(例如，输出部件112a、112b和112c)，通过这些部件，装置100和用户和/或周围环境可彼此对接。例如，触摸屏I/O接口111a可包括显示输出部件112a和相关联的触摸输入部件110a，其中显示输出部件112a可用于显示可允许用户与电子装置100进行交互的视觉或图形用户界面(“GUI”)。数据和/电力连接器接口111b可包括用于数据和/或电力的接入连接器输入部件110b和相关联的用于数据和/或电力的接出连接器输出部件112b，其中数据和/或电力经由连接器接口111b(例如，苹果公司的Lightning^TM连接器)从装置100发送和/或由装置100接收。输入部件110c可包括任何合适的按钮组件输入部件，其在被按下时可导致任何合适的功能(例如，使得当前运行应用的“首页(Home)”画面或菜单由装置100的显示输出部件112a进行显示)。输出部件112c可以是任何合适的音频输出部件，例如音频扬声器。任何其他和/或附加的输入部件和/或输出部件可由装置100提供。

外壳101可被配置为至少部分地包封装置100的输入部件和输出部件中的每个。外壳101可以是任何合适的形状，并且可以包括任何合适数量的壁。在一些实施例中，如图1A和图1B所示，例如，外壳101可以是大致六面体形状，并且可包括：顶壁101t；可以(例如，在装置100的所示的Xd-Yd-Zd装置坐标的平行的Xd-Zd平面中)与顶壁101t相对的底壁101b；左壁101l；可以(例如，在装置100的所示的Xd-Yd-Zd装置坐标的平行的Yd-Zd平面中)与左壁101l相对的右壁101r；前壁101f；可以(例如，在装置100的所示的Xd-Yd-Zd装置坐标的平行的Xd-Yd平面中)与前壁101f相对的后壁101k，其中触摸屏I/O接口111a的至少一部分可通过前壁101f经由开口109a至少部分露出到外部环境，其中数据和/或电力连接器接口111b的至少一部分可通过底壁101b经由开口109b至少部分露出到外部环境，其中按钮组件输入部件110c的至少一部分可通过前壁101f经由开口109c至少部分露出到外部环境，并且其中音频扬声器组件输出部件112c的至少一部分可通过前壁101f经由开口109d至少部分露出到外部环境。也如图1A和图1B中的虚线所示，传感器组件115可以被至少部分地定位在外壳101内的任何合适的一个位置(例如，传感器组件115的磁力计传感器组件114、加速度计传感器组件116和陀螺仪传感器组件118可作为用于托管的单个封装系统(“SIP”)被提供在外壳110内)或多个位置(例如，传感器组件115的磁力计传感器组件114、加速度计传感器组件116和陀螺仪传感器组件118可被提供在外壳101内的不同位置处)处。

应当理解，除了图1A和图1B所示的以外，电子装置100可设置为具有任何合适数量和类型的部件的任何合适的大小或形状，并且图1A和图1B的实施例仅仅是示例性的。应当理解，虽然外壳101可针对Xd、Yd和Zd装置轴被示出和描述，但是传感器组件115的任何特定传感器组件的关联的Xs、Ys和Zs传感器轴可与Xd、Yd和Zd装置轴相同或不同(例如，与磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x相关联的X传感器轴可与外壳101的Xd装置轴相同(对准)或不同(相对于它偏移))，其中装置100的Xd-Yd-Zd装置坐标与传感器组件115的传感器组件的Xs-Ys-Zs传感器坐标之间的这种关系可由装置-传感器旋转矩阵定义(例如，在校准过程期间)。

如提及的，系统1还可包括工厂子系统20，该子系统20可包括可操作用来(例如，在将装置100提供给终端用户之前在工厂里)组装、校准、测试和/或封装装置100的任何一个或多个合适的设置。例如，工厂子系统20可操作用来提供主线测试、工厂功能主要测试程序和规格、工厂离线测试(例如，工厂离线共存测试程序和规格)、可靠性测试和/或实验覆盖设计，以便确保在电子装置100中成功地实现传感器组件115。工厂子系统20可包括任何合适的工厂主线或在线测试站，包括但不限于用于任何合适的功能部件测试的一个或多个功能部件测试站(例如，用以检验装置100的主逻辑板或其他合适部分上的部件的功能)、用于任何合适的传感器校准和/或测试的一个或多个惯性测量单元(“IMU”)测试站(例如，用以在最终的组装、测试和封装线上以装置100的形状因数校准和测试传感器组件115的加速度计传感器组件116和/或陀螺仪传感器组件118)、用于任何合适的传感器干扰测试的一个或多个老化测试站(例如，用以检查传感器组件115的任何传感器是否可能遭受由于装置100上的处理活动引起的干扰相关问题)、用于任何合适的传感器性能测试的一个或多个传感器快速测试站(例如，用以确认传感器满足特定的性能规格，但并不意图在最终的组装、测试和封装线上以装置100的形状因数校准传感器)、和/或用于任何合适的传感器共存测试的一个或多个传感器共存测试站(例如，用以识别可显著地影响磁力计传感器组件114的输出的任何装置级问题)。由任何合适的功能部件测试站进行的这种功能部件测试可操作用来在装置100的主逻辑板级进行测试(例如，用以检验在这种主逻辑板(例如，具有诊断软件)上提供的该磁力计传感器组件114)可操作用来与处理器102(例如，通过诊断命令)通信和/或检验来自磁力计传感器组件114的任何合适的传感器特性在为该传感器组件指定的值的范围附近(例如，以提取磁力计传感器组件114的Xs、Ys和/或Zs传感器轴传感器的平均输出值和/或标准偏差，并且确认这种提取的值和偏差以及磁力计传感器组件114的这种传感器的任何输出数据率和/或温度在指定的范围内))。由任何合适的IMU站进行的这种传感器校准和/或测试可操作用来在最终的组装、测试和封装线上以形状因数校准和/或测试传感器组件115的加速度计传感器组件116和/或陀螺仪传感器组件118，并且/或者可操作用来将用于把磁力计传感器组件114的原始罗盘传感器轴(例如，传感器轴Xs,Ys,Zs)映射到电子装置100的(例如，相对于外壳101的)装置轴(例如，装置轴Xd,Yd,Zd)的罗盘旋转矩阵写入例如在装置-传感器旋转矩阵中。由任何合适的老化测试站进行的这种传感器干扰测试可操作用来检查任何传感器干扰的功率归一化水平。由任何合适的传感器快速测试站进行的这种传感器性能测试可操作用来确保传感器组件性能(例如，磁力计传感器组件114的性能)满足任何合适的标准(例如，为了有效的软件级偏移校正和/或其他顶级特征)。由任何合适的传感器共存测试站进行的这种传感器共存测试可操作用来评价装置100的各种其他部件(例如，背光、照相机等)对磁力计传感器组件114的输出的影响。

另外或者可替换地，工厂子系统20可包括任何合适的工厂离线测试站，包括但不限于：用于任何合适的系统共存测试的一个或多个系统共存测试站(例如，用以评价装置级静电或电磁干扰对任何磁力计偏移、噪声和/或灵敏度性能的影响)、和/或用于任何合适的实验设计测试的一个或多个实验测试站的工厂设计(例如，评价偏移、噪声、灵敏度和/或在磁性受控环境中的磁力计传感器组件114的航向性能(heading performance)的实验的亥姆霍兹(Helmholtz)线圈站设计、和/或在装置100可暴露于强外部磁场之前和之后测量装置级部件的装置级偏移量漂移(offset shift)、噪声、灵敏度影响和/或航向误差性能的实验的磁耐受性站设计)。由任何合适的系统共存测试站进行的这种系统共存测试仍可操作用来评价装置100的各种其他部件对磁力计传感器组件114的输出的影响(例如，装置级静电和/或电磁干扰的影响)，与可操作用来只捕获磁场的静态变化的在任何在线测试站处进行的任何共存测试不同，这种离线测试站也可操作用来捕获动态效应(例如，短持续时间、高电流事件等等)。由任何合适的实验测试站的工厂设计进行的这种实验设计测试可操作用来在多个取向上用用于装置100的航向误差测试的亥姆霍兹线圈进行磁场扫描，并且/或者用磁耐受性测试仪对装置100进行消磁和/或施加强磁场。

图2至图3B的说明

如图2至图2B所示，工厂子系统20可包括测试站200，该测试站200可操作用来测试电子装置100的传感器组件115的性能。例如，测试站200可以是任何合适的工厂主线或在线测试站，例如用于任何合适的传感器性能测试的传感器快速测试站(例如，用以确认磁力计传感器组件114满足任何合适的性能规格，但并不意图校准磁力计传感器组件114，同时在最后的组装、测试和封装线上以装置100的形状因数实现磁力计传感器组件114)。测试站200可操作用来以装置级测试磁力计传感器组件114，以使得能够表征静磁场或电磁场对装置100内的磁力计传感器组件114的影响、磁力计传感器组件114或者可在其上提供磁力计传感器组件114的电路板的任何传感器相对于外壳101的失准、和/或由装置100的部件和组件造成的变异性的其他来源。某些预定义的性能规格或限制可与在测试站200处测试期间揭示的数据进行比较，其中这种预定义的限制可以被设置为确保磁力计传感器组件114的性能满足用于装置100的有效的软件级偏移校准和/或其他顶级特征的标准。测试站200可以沿着工厂子系统20的线被提供在任何合适的位置处，并且/或者可以在装置100的组装、校准、测试和封装期间(例如，在将装置100提供给终端用户之前在工厂里)在任何合适的时间使用测试站200。例如，测试站200可被用在任何一个或多个合适的工厂主线或在线测试站之后的主线上(例如，最终的组装、测试和封装线上)，例如，用于任何合适的功能部件测试的一个或多个功能部件测试站、用于任何合适的传感器校准和/或测试的一个或多个惯性测量单元测试站、和/或用于任何合适的传感器干扰测试的一个或多个老化测试站，但是该测试站200可被用在任何合适的离线测试之前，所述离线测试例如为离线系统共存测试和/或实验测试的罗盘亥姆霍兹线圈站设计。

一旦传感器组件115被完全集成到装置100中(例如，如图2B所示，在完全组装的装置100的外壳101内)，测试站200就可被用于测试传感器组件115(例如，磁力计传感器组件114)，或者测试站200可以在集成到装置100之前被用于测试传感器组件115。如图2和图2A所示，测试站200可以包括具有前表面201的基底部件202，该前表面201可以是任何合适的大小和形状，例如具有宽度W和长度L的矩形。基底部件202可用一个或多个腿203被悬置在底板204的上方，并且一个或多个侧壁206可从底板204向上(例如，在测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标的+Zt方向上)延伸高度H。例如，在一些实施例中，宽度W可以是450毫米，长度L可以是800毫米，高度H可以是590毫米，但是任何其他合适的尺寸也是可以的。另外或者可替换地，前表面201可以基本上是平面的，例如，可沿着测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标(例如，测试站200的固定部分(例如基底部件202)的固定Xt-Yt-Zt坐标)的Xt-Yt平面延伸的表面，同时每个侧壁206可沿着测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标的不同的Xt-Zt或Yt-Zt平面延伸。

测试站200也可包括一对任何合适的电磁体或线圈(例如，螺线管电磁体)，例如第一线圈208(例如，上线圈或北线圈)和第二线圈210(例如，下线圈或南线圈)。可用任何合适的方式相对于线圈210的位置固定线圈208的位置。例如，如图所示，第一线圈208可在第一位置处被耦接到可从基底部件202的前表面201延伸的第一线圈支撑体207，并且，第二线圈210可在第二位置处被耦接到可从基底部件202的前表面201延伸的第二线圈支撑体209，使得线圈208和210中的每个线圈的位置相对于基底部件202被固定，由此相对于测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标固定，从而相对于彼此固定。可给所述线圈施加电荷，以便沿着对于这两个线圈共同的线圈或电磁体C轴(例如，在第一线圈208的中心点208c和第二线圈210的中心点210c之间延伸的轴)产生磁场。例如，电荷部件212可被提供(例如，在所述线圈中的一者或两者的下方或附近在基底部件202和底板204之间)，以便在使电流在第一方向上通过线圈208和210(例如，经由线圈支撑体207/209)以沿着C轴在从线圈210到线圈208的+C方向上产生特定磁场和使电流在第二方向上(例如，使电流反向)通过线圈208和210(例如，经由线圈支撑体207/209)以沿着C轴在从线圈208到线圈210的-C方向上产生相同的特定磁场之间交替。沿着+C方向向着第一线圈208离开第二线圈210施加的场可被称为“北(North)”场，并且沿着-C方向向着第二线圈210离开第一线圈208施加的场可被称为“南(South)”场，但是应当理解，“北”场和“南”场仅仅是相对术语，也可被代替地称为“第一”和“第二”场，或者“上”和“下”场，或者“左”和“右”场等等。因此，如线圈对中的每个线圈的位置一样，线圈对的C轴的位置可以相对于测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标被固定。

测试站200也可包括具有可操作用来保持电子装置100或其至少一部分的保持器214的固定装置和重新定向子组件(例如，包括电机216、耦合器218、轴承220、轴承222等中的一个或多个的子组件)，该重新定向子组件可操作用来相对于线圈C轴在多个不同的测试取向之间移动保持器(例如，以相对于基底部件212改变保持器214的位置并由此改变装置100的至少一部分的位置，从而改变相对于线圈208和210的位置，由此改变相对于测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标的位置)。例如，如图所示，保持器214可包括：保持部分213，可操作用来物理地保持任何合适的被测装置(“DUT”)，例如电子装置100或至少其传感器组件；以及支撑部分215，其操作用来在结构上支撑保持部分213(例如，用于从电机216与耦合器物理上相互作用)。例如，耦合器218的第一耦合器部分218a可与电机216耦接，并且可以沿着轴R(例如，沿着测试站200的所示的Xt-Yt-Zt坐标的Yt轴的+Yt方向)向着(例如，在保持器214的第一保持器侧214a处)可耦接到保持器214的耦合器218的第二耦合器部分218b离开电机216延伸。耦合器218还可沿着轴R从第二耦合器部分218b延伸到(例如，在保持器214的第二保持器侧214b处)可耦接到保持器214的耦合器218的第三耦合器部分218c。可替换地，耦合器218只可以单个实例耦接到保持器214，或者可以沿着保持器214的整个长度(例如，在保持器侧214a和214b之间)耦接到保持器214。在一些实施例中，如图所示，耦合器218还可以沿着轴R从第三耦合器部分218c延伸到耦合器218的第四耦合器部分218d。电机216可操作用来把任何合适的力给到耦合器218上，以便在绕轴R的第一旋转方向R1和绕轴R的第二旋转方向R2中的一个或两个上绕轴R旋转耦合器218(例如，在第一耦合器部分218a和第四耦合器部分218d之间)并由此旋转保持器214，该第二旋转方向R2可与第一旋转方向R1相反。可以将电机216与操作用来保持正被测试的传感器组件的保持器214的部分(例如，操作用来保持图3至图3B的传感器组件中心115c的保持器214的部分)分隔开距离N，其中，距离N可以是任何合适的距离，例如至少300毫米。

一个或多个轴承可被提供用于约束耦合器218和/或保持器214的相对运动到特定路径。例如，如图所示，第一轴承220可被提供在电机216和保持器214的第一保持器侧214a之间，并且轴承220可操作用来使耦合器218能够从其通过或者以其他方式与其相互作用，以便限制耦合器218的运动为在第一旋转方向R1和第二旋转方向R2中的一个或两个上绕轴R的旋转运动。另外或者可替换地，第二轴承222可被提供为与保持器214的第二保持器侧214b相邻，并且轴承222可操作用来使耦合器218能够从其通过或者以其他方式与其相互作用(例如，使得在第三耦合器部分218c和第四耦合器部分218d之间延伸的耦合器218的一部分可与第二轴承222相互作用)，以便限制耦合器218的运动为在第一旋转方向R1和第二旋转方向R2中的一个或两个上绕轴R的旋转运动。任何合适的材料可用于提供测试站200的任何合适的轴承。例如，第一轴承220可以至少部分地或全部由塑料制成，而第二轴承222可以是由与第一轴承220相同的材料或者与第一轴承220不同的材料制成的从动轴承。如图所示，电机216和第一轴承220可在第一轴承位置处被提供在可从基底部件202的前表面201延伸的第一轴承支撑体224上，而第二轴承222可在第二轴承位置处被提供在可从基底部件202的前表面201延伸的第二轴承支撑体226上。

测试站200可被配置为使得保持器214可操作用来沿着线圈C轴和/或在线圈208和线圈210之间的等距处(例如，在保持器214相对于C轴的一个、一些或全部取向处(例如，在保持器214相对于旋转轴R的任何旋转取向处))保持装置100的传感器组件115的至少一部分(例如，至少磁力计传感器组件114的至少一部分)。例如，如图2至图3B所示，当传感器组件115被保持器214保持在相对于C轴的任何合适的测试取向处时，传感器组件115的传感器组件中心115c的位置可被保持在线圈208和线圈210之间的线圈对的C轴上或靠近该C轴。在一些实施例中，传感器组件中心115c的位置可以在一个或每个测试取向处在C轴上在线圈208和线圈210之间的等距处(例如，如图3所示，沿着C轴的传感器组件中心115c和线圈208的中心点208c之间的距离D1可与沿着C轴的传感器组件中心115c和线圈210的中心点210c之间的距离D2相同)，但是在其他实施例或其他测试取向中距离D1可以不同于距离D2。传感器组件中心115c可以表示传感器组件的任何合适的部分，例如与特定传感器组件相关联的多个传感器轴的相交处(例如，磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x的X传感器轴Xs、磁力计传感器组件114的Y轴磁力计传感器模块114y的Y传感器轴Ys和磁力计传感器组件114的Z轴磁力计传感器模块114z的Z传感器轴Zs的相交处)。

测试站200的Xt-Yt-Zt坐标和C轴之间的固定关系可以是任何合适的关系。另外或者可替换地，在可旋转保持器214的任何特定旋转取向处在传感器组件115的Xs-Ys-Zs传感器轴(例如，磁力计传感器组件114的X传感器轴磁力计传感器模块114x的X传感器轴Xs、磁力计传感器组件114的Y传感器轴磁力计传感器模块114y的Y传感器轴Ys和磁力计传感器组件114的Z传感器轴磁力计传感器模块114z的Z传感器轴Zs)和C轴之间的关系，由此，可旋转传感器组件115相对于固定的基底部件202的关系，从而可旋转传感器组件115相对于固定的C轴的关系，可以是任何合适的关系(例如，相对于线圈对C轴的保持器214和传感器组件115的任何合适的测试取向可以具有任何合适的关系)。例如，在保持器214和传感器组件115相对于C轴的第一特定测试取向处，如可在图2、图2A和图3中的每个中所示的，传感器组件中心115c可被保持为使得磁力计传感器组件114的每个轴(例如，磁力计传感器组件114的X传感器轴磁力计传感器模块114x的从+Xs到-Xs的X传感器轴Xs、磁力计传感器组件114的Y轴磁力计传感器模块114y的从+Ys到-Ys的Y传感器轴Ys和磁力计传感器组件114的Z轴磁力计传感器模块114z的从+Zs到-Zs的Z传感器轴Zs)可以与测试站200的(例如，基底部件202的)固定的Xt-Yt-Zt坐标轴中的相应的一个轴相同。也就是说，当保持器214和传感器组件115可被保持在相对于C轴的第一特定测试取向处时，如图2、图2A和图3中的每个所示，X传感器轴Xs可与X测试站轴Xt相同，Y传感器轴Ys可与Y测试站轴Yt相同，Z传感器轴Zs可与Z测试站轴Zt相同。另外或者可替换地，在保持器214和传感器组件115相对于C轴的第一特定测试取向处，如可在图2、图2A和图3中的每个中所示的，传感器组件中心115c可被保持在C轴上，使得磁力计传感器组件114的每个轴(例如，X传感器轴Xs、Y传感器轴Ys和Z传感器轴Zs)可以以相等的幅度(例如，相等的比例)暴露于由传感器组件上的线圈对施加的磁场。这可以通过在图2、图2A和图3的测试取向中相对于C轴定向保持器214并由此定向传感器组件中心115c来实现，使得在磁力计传感器组件114的传感器轴中的每个和C轴之间形成的角度可以相同(例如，使得X传感器轴磁力计传感器模块114x的X传感器轴Xs和C轴之间的角度θX、Y传感器轴磁力计传感器模块114y的Y传感器轴Ys和C轴之间的角度θY、以及Z传感器轴磁力计传感器模块114z的Z传感器轴Zs和C轴之间的角度θZ可以彼此相等，例如等于54.76°)。

另外或者可替换地，在保持器214和传感器组件115相对于C轴的第二特定测试取向处，如可在图3A中所示的，传感器组件中心115c可被保持在C轴上，使得磁力计传感器组件114的一个特定轴可与C轴垂直。例如，如图3A所示，在这种第二测试取向处，传感器组件中心115c可被保持在C轴上，使得Z传感器轴磁力计传感器模块114z的Z传感器轴Zs可垂直于C轴(例如，使得C轴和Z传感器轴Zs之间的角度θZ'可以是90°)，并且使得C轴可沿着X传感器轴Xs和Y传感器轴Ys都可在其中延伸的Xs-Ys平面延伸，其中角度θX'可被定义在该Xs-Ys平面中C轴和X传感器轴Xs之间，并且其中角度θY'可被定义在该Xs-Ys平面中C轴和Y传感器轴Ys之间。另外或者可替换地，在保持器214和传感器组件115相对于C轴的第三特定测试取向处，如可在图3B中所示的，传感器组件中心115c可被保持在C轴上，使得磁力计传感器组件114的另一个特定轴可与C轴垂直。例如，如图3B所示，在这种第三测试取向处，传感器组件中心115c可被保持在C轴上，使得X传感器轴磁力计传感器模块114x的X传感器轴Xs可垂直于C轴(例如，使得C轴和X传感器轴Xs之间的角度θX”可以是90°)，并且使得C轴可沿着Y传感器轴Ys和Z传感器轴Zs都可在其中延伸的Ys-Zs平面延伸，其中角度θY”可被定义在该Ys-Zs平面中C轴和Y传感器轴Ys之间，并且其中角度θZ”可被定义在该Ys-Zs平面中C轴和Z传感器轴Zs之间。

在任何三个合适的测试取向(例如，图3、图3A和图3B的测试取向)之间相对于C轴重新定向保持器214和传感器组件115可通过绕轴R旋转保持器214和传感器组件115来实现，该轴R可与测试站200的固定部分的Y测试站轴Yt对准，并且/或者可与Y传感器轴磁力计传感器模块114y的Y传感器轴Ys对准(例如，如图所示，轴R可以与Y传感器轴Ys相同或对准)。例如，保持器214和传感器组件115可在箭头R2的方向上绕轴R旋转任何合适的旋转角R2θ(例如45°)，用于将保持器214和传感器组件115相对于C轴从图3的测试取向和/或从图3B的测试取向重新定向到图3A的测试取向，由此图3A的X传感器轴Xs从X测试站轴Xt偏移了角度R2θ，并且由此图3A的Z传感器轴Zs从Z测试站轴Zt偏移了角度R2θ，但是，由此图3A的Y传感器轴Ys与Y测试站轴Yt仍对准。另外或者可替换地，例如，保持器214和传感器组件115可在箭头R1的方向上绕轴R旋转任何合适的旋转角R1θ(例如45°)，用于将保持器214和传感器组件115相对于C轴从图3的测试取向和/或从图3A的测试取向重新定向到图3B的测试取向，由此图3B的X传感器轴Xs从X测试站轴Xt偏移了角度R1θ，并且由此图3B的Z传感器轴Zs从Z测试站轴Zt偏移了角度R1θ，但是，由此图3B的Y传感器轴Ys与Y测试站轴Yt仍对准。从第一测试取向到第二测试取向绕任何特定轴旋转保持器214的量可与从第一测试取向和/或从第二测试取向到第三测试取向绕该同一特定轴或任何其他特定轴旋转保持器214的量相同或不同。应当理解，保持器214相对于线圈对C轴的任何三个合适的测试取向可被用来测试本文中所述的磁力计组件114。因此，保持器214可操作用来将DUT(例如，传感器组件115或包括传感器组件115的电子装置100)相对于保持器214保持在特定的固定位置和取向处，并且测试站200的其他部件(例如，电机216、耦合器218和/或轴承220/222)可操作用来调整保持器214和其DUT相对于线圈对的C轴的位置和/或取向。

测试站200可以以任何合适的方式被配置为实现对传感器组件115(例如，如可被耦接(例如，焊接)在装置100的主逻辑板上并可能已经通过合适的功能部件测试且在最终的组装、测试和封装线上组装到装置100的形状因数中的磁力计传感器组件114)的适当测试。例如，沿着C轴在+C方向上向着第一线圈208离开第二线圈210施加的第一或北磁场NF可以是任何合适的幅度的磁场或磁通量密度，例如150微特斯拉，而沿着C轴在-C方向上向着第二线圈210离开第一线圈208施加的第二或南磁场SF可以是任何合适的幅度的磁场或磁通量密度，例如150微特斯拉，使得在一些实施例中，线圈对的北减南(“NMS”)的施加场(例如，线圈对的两个相反场的幅度的绝对值之和)可以是300微特斯拉，以便确保充分的场强度来测试DUT。尽管在本公开的某些部分中始终可能会提及150微特斯拉北磁场、150微特斯拉南磁场和得到的300微特斯拉NMS磁场的这种例子，但是应当理解，测试站200可利用任何合适的北磁场幅度和任何合适的南磁场幅度来进行传感器组件115的测试。例如，在其他实施例中，北磁场的幅度可不同于南磁场的幅度(例如，200微特斯拉相比于100微特斯拉)，而不是相同(例如，均为150微特斯拉)。另外或者可替换地，NMS磁场的幅度可大于或小于300微特斯拉。例如，NMS磁场的幅度可以至少是地球的磁场的幅度(例如，50微特斯拉)，但是可以明显大于该幅度(例如，300微特斯拉)，以提供相对于地球的磁场的显著变化。但是，无论测试站200的线圈对利用多大幅度的北磁场和多大幅度的南磁场，在特定的传感器组件115相对于这种磁场的各种测试取向中的每个测试取向，这种幅度都应该在传感器组件115的测试的期间保持一致(例如，以最小化充分测试传感器组件所需的计算处理)。为了充分的结果，测试站的最大电磁场噪声可以被保持为低于0.35微特斯拉均方根。为了确保这种性能，可以常规地(例如，每天)检查和校准测试站200(例如，使用参考磁力计或高斯计，例如，外部参考传感器232，其可相对于保持器214保持得尽可能靠近正被测试的DUT的传感器组件(例如，相对于保持器214尽可能地靠近传感器组件中心115c的位置)，如图2B所示)。而且，在保持器214相对于线圈C轴的特定测试取向(例如，图3的测试取向)处，与DUT的NMS场角度相对于传感器组件115的至少适当的传感器组件的每个轴(例如，磁力计组件115的传感器轴Xs,Ys和Zs)可以被设置为相等，例如53.76°。另外或者可替换地，电机216可被配置为当电机216处于操作中时(例如，当电机216正在图3、图3A和图3B的取向之间重新定向保持器214时)产生小于2微特斯拉的磁干扰。

在保持器214和DUT相对于线圈轴C的每个测试取向(例如，图3、图3A和图3B的取向中的每个取向)处，可进行各种过程来检验DUT(例如，磁力计传感器组件114)的功能和适当的工作条件。例如，当保持器214和传感器组件115被保持在相对于线圈对C轴的第一特定测试取向(“O1”)(例如，图3的测试取向)处时，(例如，在测试站200处)可进行下述过程中的一个或多个：

(1)当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时，可从保持在第一测试取向O1处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且收集输出数据达1秒时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(2)可以为保持在第一测试取向O1处(或者，在每个测试取向处)的每个传感器模块确定由过程(1)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O1.None.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O1.None.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O1.None.Avg.Z”)，然后，由保持在第一测试取向O1处(或者，在每个测试取向处)的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的-1200微特斯拉至+1200微特斯拉之间的范围)内；

(3)可以为保持在第一测试取向O1处(或者，在每个测试取向处)的每个传感器模块确定由过程(1)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的输出数据读数的标准偏差值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O1.None.Std.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O1.None.Std.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O1.None.Std.Z”)，然后，这种标准偏差值可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的0微特斯拉至0.5微特斯拉之间的范围)内；

(4)当测试站200沿着线圈C轴的+C方向向着第一线圈208离开第二线圈210施加第一或北磁场(例如，150微特斯拉的北磁场)时，可从保持在第一测试取向O1处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且收集输出数据达1秒时，对于X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个可收集100个输出数据读数)；

(5)可以为保持在第一测试取向O1处的每个传感器模块确定过程(4)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的+C方向施加第一或北磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O1.North.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O1.North.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O1.North.Avg.Z”)，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(6)可使用过程(5)的确定的平均值来计算由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的幅度，例如，通过计算过程(5)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O1.North.Mag"＝√(("O1.North.Avg.X")²+("O1.North.Avg.Y")²+("O1.North.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的这种幅度可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(7)当测试站200沿着线圈C轴的-C方向向着第二线圈210离开第一线圈208施加第二或南磁场(例如，150微特斯拉的南磁场)时，可从保持在第一测试取向O1处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且收集输出数据达1秒时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(8)可以为保持在第一测试取向O1处的每个传感器模块确定过程(7)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的-C方向施加第二或南磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O1.South.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O1.South.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O1.South.Avg.Z”)，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(9)可使用过程(8)的确定的平均值来计算由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的幅度，例如，通过计算过程(8)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O1.South.Mag"＝√(("O1.South.Avg.X")²+("O1.South.Avg.Y")²+("O1.South.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的这种幅度可以被检验处在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(10)可使用过程(5)和(8)的确定的平均值来计算保持在第一测试取向O1处的每个传感器模块的北减南(“NMS”)平均值，例如，通过计算每个传感器模块的过程(5)和(8)的确定的平均值之间的差(例如，"O1.NMS.Avg.X"＝"O1.North.Avg.X"-"O1.South.Avg.X"，"O1.NMS.Avg.Y"＝"O1.North.Avg.Y"-"O1.South.Avg.Y"，以及"O1.NMS.Avg.Z"＝"O1.North.Avg.Z"-"O1.South.Avg.Z")来计算，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的这种NMS平均值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，每个轴NMS平均值的-200微特斯拉至-140微特斯拉)内；

(11)可使用过程(10)的计算的值来计算由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的NMS的幅度，例如，通过计算过程(10)的计算的值的平方和的平方根(例如，"O1.NMS.Magnitude"＝√(("O1.NMS.Avg.X")²+("O1.NMS.Avg.Y")²+("O1.NMS.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第一测试取向O1处的DUT传感器组件感测到的NMS的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，+250微特斯拉至+350微特斯拉)内。

另外或者可替换地，当保持器214和传感器组件115被保持在相对于线圈对C轴的第二特定测试取向(“O2”)(例如，图3A的测试取向)处时，(例如，在测试站200处)可进行下述过程中的一个或多个：

(12)当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时，可从保持在第二测试取向O2处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(13)可以为保持在第二测试取向O2处的每个传感器模块确定由过程(12)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O2.None.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O2.None.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O2.None.Avg.Z”)，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的-1200微特斯拉至+1200微特斯拉之间的范围)内；

(14)可以为保持在第二测试取向O2处的每个传感器模块确定由过程(12)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的输出数据读数的标准偏差值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O2.None.Std.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O2.None.Std.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O2.None.Std.Z”)，然后，这种标准偏差值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的0微特斯拉至0.5微特斯拉之间的范围)内；

(15)当测试站200沿着线圈C轴的+C方向向着第一线圈208离开第二线圈210施加第一或北磁场时，可从保持在第二测试取向O2处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(16)可以为保持在第二测试取向O2处的每个传感器模块确定过程(15)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的+C方向施加第一或北磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O2.North.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O2.North.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O2.North.Avg.Z”)，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(17)可使用过程(16)的确定的平均值来计算由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的幅度，例如，通过计算过程(16)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O2.North.Mag"＝√(("O2.North.Avg.X")²+("O2.North.Avg.Y")²+("O2.North.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(18)当测试站200沿着线圈C轴的-C方向向着第二线圈210离开第一线圈208施加第二或南磁场(例如，150微特斯拉的南磁场)时，可从保持在第二测试取向O2处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(19)可以为保持在第二测试取向O2处的每个传感器模块确定过程(18)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的-C方向施加第二或南磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O2.South.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O2.South.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O2.South.Avg.Z”)，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(20)可使用过程(19)的确定的平均值来计算由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的幅度，例如，通过计算过程(19)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O2.South.Mag"＝√(("O2.South.Avg.X")²+("O2.South.Avg.Y")²+("O2.South.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(21)可使用过程(16)和(19)的确定的平均值来计算保持在第二测试取向O2处的每个传感器模块的北减南(“NMS”)平均值，例如，通过计算每个传感器模块的过程(16)和(19)的确定的平均值之间的差(例如，"O2.NMS.Avg.X"＝"O2.North.Avg.X"-"O2.South.Avg.X"，"O2.NMS.Avg.Y"＝"O2.North.Avg.Y"-"O2.South.Avg.Y"，以及"O2.NMS.Avg.Z"＝"O2.North.Avg.Z"-"O2.South.Avg.Z")来计算，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的这种NMS平均值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，每个轴NMS平均值的-200微特斯拉至-140微特斯拉)内；

(22)可使用过程(21)的计算的值来计算由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的NMS的幅度，例如，通过计算过程(21)的计算的值的平方和的平方根(例如，"O2.NMS.Magnitude"＝√(("O2.NMS.Avg.X")²+("O2.NMS.Avg.Y")²+("O2.NMS.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第二测试取向O2处的DUT传感器组件感测到的NMS的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，+250微特斯拉至+350微特斯拉)内。

另外或者可替换地，当保持器214和传感器组件115被保持在相对于线圈对C轴的第三特定测试取向(“O3”)(例如，图3B的测试取向)处时，(例如，在测试站200处)可进行下述过程中的一个或多个：

(23)当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时，可从保持在第三测试取向O3处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(24)可以为保持在第三测试取向O3处的每个传感器模块确定由过程(23)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O3.None.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O3.None.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O3.None.Avg.Z”)，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的-1200微特斯拉至+1200微特斯拉之间的范围)内；

(25)可以为保持在第三测试取向O3处的每个传感器模块确定由过程(23)(例如，当测试站200没有沿着线圈C轴施加磁场时)收集的输出数据读数的标准偏差值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O3.None.Std.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O3.None.Std.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O3.None.Std.Z”)，然后，这种标准偏差值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，对于每个传感器轴传感器模块的0微特斯拉至0.5微特斯拉之间的范围)内；

(26)当测试站200沿着线圈C轴的+C方向向着第一线圈208离开第二线圈210施加第一或北磁场(例如，150微特斯拉的北磁场)时，可从保持在第三测试取向O3处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(27)可以为保持在第三测试取向O3处的每个传感器模块确定过程(26)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的+C方向施加第一或北磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O3.North.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O3.North.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O3.North.Avg.Z”)，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(28)可使用过程(27)的确定的平均值来计算由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的幅度，例如，通过计算过程(27)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O3.North.Mag"＝√(("O3.North.Avg.X")²+("O3.North.Avg.Y")²+("O3.North.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的第一磁场的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(29)当测试站200沿着线圈C轴的-C方向向着第二线圈210离开第一线圈208施加第二或南磁场(例如，150微特斯拉的南磁场)时，可从保持在第三测试取向O3处的特定传感器组件的每个传感器模块收集一定数量的输出数据读数，其可指示由每个传感器模块感测到的任何磁场(例如，在磁力计传感器组件114的采样率被设置为100赫兹并且在1秒内收集输出数据时，可从X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个收集100个输出数据读数)；

(30)可以为保持在第三测试取向O3处的每个传感器模块确定过程(29)(例如，当测试站200沿着线圈C轴的-C方向施加第二或南磁场时)的所述数量的输出数据读数的平均值(例如，X轴磁力计传感器模块114x的“O3.South.Avg.X”，Y轴磁力计传感器模块114y的“O3.South.Avg.Y”和Z轴磁力计传感器模块114z的“O3.South.Avg.Z”)，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的这种平均输出数据值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(31)可使用过程(30)的确定的平均值来计算由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的幅度，例如，通过计算过程(30)的确定的平均值的平方和的平方根(例如，"O3.South.Mag"＝√(("O3.South.Avg.X")²+("O3.South.Avg.Y")²+("O3.South.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的第二磁场的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限内；

(32)可使用过程(27)和(30)的确定的平均值来计算保持在第三测试取向O3处的每个传感器模块的北减南(“NMS”)平均值，例如，通过计算每个传感器模块的过程(27)和(30)的确定的平均值之间的差(例如，"O3.NMS.Avg.X"＝"O3.North.Avg.X"-"O3.South.Avg.X"，"O3.NMS.Avg.Y"＝"O3.North.Avg.Y"-"O3.South.Avg.Y"，以及"O3.NMS.Avg.Z"＝"O3.North.Avg.Z"-"O3.South.Avg.Z")来计算，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的这种NMS平均值可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，每个轴NMS平均值的-200微特斯拉至-140微特斯拉)内；

(33)可使用过程(32)的计算的值来计算由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的NMS的幅度，例如，通过计算过程(32)的计算的值的平方和的平方根(例如，"O3.NMS.Magnitude"＝√(("O3.NMS.Avg.X")²+("O3.NMS.Avg.Y")²+("O3.NMS.Avg.Z")²))来计算，然后，由保持在第三测试取向O3处的DUT传感器组件感测到的NMS的这种幅度可以被检验在传感器组件114的任何特定测试界限(例如，+250微特斯拉至+350微特斯拉)内。

因此，在保持器214和DUT传感器组件相对于线圈对C轴的三个测试取向中的每个测试取向处，可针对DUT传感器组件的每个轴传感器模块计算NMS平均值(例如，可在过程(1)至(33)的这种处理期间确定9个不同的NMS平均值，例如，在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的每个测试取向处对于X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个的NMS平均值)。例如，9个NMS平均值的这种集合可被组合成下述的3x3“传感器轴NMS平均值输出矩阵”M1：

其中，矩阵M1的矩阵元素"O1.NMS.Avg.X"、"O1.NMS.Avg.Y"和"O1.NMS.Avg.Z"可以是如可在过程(10)中所计算的当保持在第一测试取向O1处时磁力计组件114的传感器轴Xs、Ys和Zs的相应的NMS平均值，矩阵M1的矩阵元素"O2.NMS.Avg.X"、"O2.NMS.Avg.Y"和"O2.NMS.Avg.Z"可以是如可在过程(21)中所计算的当保持在第二测试取向O2处时磁力计组件114的传感器轴Xs、Ys和Zs的相应的NMS平均值，矩阵M1的矩阵元素"O3.NMS.Avg.X"、"O3.NMS.Avg.Y"和"O3.NMS.Avg.Z"可以是如可在过程(32)中所计算的当保持在第三测试取向O3处时磁力计组件114的传感器轴Xs、Ys和Zs的相应的NMS平均值。尽管针对在传感器组件的采样率被设置为100赫兹时在1秒间隔内可收集的来自每个传感器模块的100个输出数据读数描述了过程(1)、(4)、(7)、(12)、(15)、(18)、(23)、(26)和(29)中的每个过程，但是应当理解，可利用每个过程来收集任何合适数量的输出数据读数(例如，1,2,100,200,900等)，当传感器组件被设置为任何合适的输出频率时可在任何合适的时间段内收集所述任何合适数量的输出数据读数。

可通过过程(1)至(33)中的各种过程确定的这种传感器轴NMS平均值输出矩阵M1的NMS平均值输出元素可被用来计算DUT传感器组件的各种灵敏度性能，例如，磁力计传感器组件114的每个轴传感器模块的主轴灵敏度性能和两个交叉轴灵敏度性能(例如，可使用输出矩阵M1确定9个不同的灵敏度性能，例如，磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个的主轴灵敏度性能，磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个相对于磁力计传感器组件114的第一特定其他轴传感器模块的第一交叉轴灵敏度性能，磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x、Y轴磁力计传感器模块114y和Z轴磁力计传感器模块114z中的每一个相对于磁力计传感器组件114的第二特定其他轴传感器模块的第二交叉轴灵敏度性能)。例如，9个不同的灵敏度性能的这种集合可被组合成下述的3x3“传感器轴灵敏度性能矩阵”M2：

其中，矩阵M2的矩阵元素“Sxx”可以是用于检测Xs传感器轴上的磁场的X轴磁力计传感器模块114x的主轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Syx”可以是用于检测Xs传感器轴上的磁场的Y轴磁力计传感器模块114y的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Szx”可以是用于检测Xs传感器轴上的磁场的Z轴磁力计传感器模块114z的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Sxy”可以是用于检测Ys传感器轴上的磁场的X轴磁力计传感器模块114x的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Syy”可以是用于检测Ys传感器轴上的磁场的Y轴磁力计传感器模块114y的主轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Szy”可以是用于检测Ys传感器轴上的磁场的Z轴磁力计传感器模块114z的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Sxz”可以是用于检测Zs传感器轴上的磁场的X轴磁力计传感器模块114x的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Syz”可以是用于检测Zs传感器轴上的磁场的Y轴磁力计传感器模块114y的交叉轴灵敏度性能，矩阵M2的矩阵元素“Szz”可以是用于检测Zs传感器轴上的磁场的Z轴磁力计传感器模块114z的主轴灵敏度性能。测试站200可被用来求解这些灵敏度性能以便确定多个取向中的DUT传感器组件的航向方向误差的测量值，所述航行方向误差由传感器组件自身的性能不理想性造成并且/或者与如在提供传感器组件的装置100内的静磁场源(例如，接收器、扬声器、照相机等)和AC变化电磁场源(例如，主逻辑板上或通过外壳101的接地返回电流)的装置级效应相组合。

不仅与在测试站200的测试过程期间的线圈对的NMS磁场幅度(例如，线圈对的两个相反场的幅度的绝对值之和(例如，当对于过程(4)-(9)、(15)-(20)、(26)-(31)中的每个过程施加的北场和施加的南场中的每个场都是150微特斯拉时，为300微特斯拉))结合，还与表示在特定的测试取向处线圈对的磁场向量分量在DUT传感器组件的特定传感器轴上的比例的“传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵”M3(例如，基于在特定的测试取向处由C轴和特定传感器轴形成的角度)结合，使用传感器轴NMS平均值输出矩阵M1的NMS平均值输出元素，可计算(例如，求解)这种传感器轴灵敏度性能矩阵M2的灵敏度性能元素。这种传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵M3可包括9个场向量分量，例如，在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的每个测试取向处在磁力计传感器组件114的X轴磁力计传感器模块114x的Xs传感器轴、Y轴磁力计传感器模块114y的Ys传感器轴和Z轴磁力计传感器模块114z的Zs传感器轴中的每一个上的线圈对磁场向量分量。例如，9个场向量分量的这种集合可被组合成下述的3x3“传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵”M3：

其中，矩阵M3的矩阵元素“O1.V.C.X”可以是在第一测试取向O1处线圈对的磁场向量分量在Xs传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O1.V.C.Y”可以是在第一测试取向O1处线圈对的磁场向量分量在Ys传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O1.V.C.Z”可以是在第一测试取向O1处线圈对的磁场向量分量在Zs传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.X”可以是在第二测试取向O2处线圈对的磁场向量分量在Xs传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.Y”可以是在第二测试取向O2处线圈对的磁场向量分量在Ys传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.Z”可以是在第二测试取向O2处线圈对的磁场向量分量在Zs传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.X”可以是在第三测试取向O3处线圈对的磁场向量分量在Xs传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.Y”可以是在第三测试取向O3处线圈对的磁场向量分量在Ys传感器轴上的比例，矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.Z”可以是在第三测试取向O3处线圈对的磁场向量分量在Zs传感器轴上的比例。

在图3的第一测试取向O1的特定实施例中，其中θX、θY和θZ可彼此相等使得“O1.V.C.X”、“O1.V.C.Y”和“O1.V.C.Z”可彼此相等，矩阵M3的矩阵元素“O1.V.C.X”、“O1.V.C.Y”和“O1.V.C.Z”中的每个可等于“1/√3”，使得“O1.V.C.X”、“O1.V.C.Y”和“O1.V.C.Z”的平方和的根可以等于“1”。在图3A的第二测试取向O2的特定实施例中，其中θY'可等于θY使得矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.Y”可等于“O1.V.C.Y”(即，“1/√3”)，并且θZ'可为90°使得矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.Z”可等于“0”，矩阵M3的矩阵元素“O2.V.C.X”可以是“√2/√3”，使得“O2.V.C.X”、“O2.V.C.Y”和“O2.V.C.Z”的平方和的根可以等于“1”。在图3B的第三测试取向O3的特定实施例中，其中θY”可等于θY使得矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.Y”可等于“O1.V.C.Y”(即，“1/√3”)，并且θX”可为90°使得矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.X”可等于“0”，矩阵M3的矩阵元素“O3.V.C.Y”可以是“√2/√3”，使得“O3.V.C.X”、“O3.V.C.Y”和“O3.V.C.Z”的平方和的根可以等于“1”。

不仅与在测试站200的测试过程期间的线圈对的NMS磁场幅度结合，还与通过求解任何合适的方程式得到的传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵M3的场向量分量元素结合，使用传感器轴NMS平均值输出矩阵M1的NMS平均值输出元素，可计算传感器轴灵敏度性能矩阵M2的灵敏度性能元素。例如，传感器轴NMS平均值输出矩阵M1可以等于NMS磁场幅度与传感器轴灵敏度性能矩阵M2和传感器轴旋转矩阵M3之积(例如，M1＝NMS×M3×M2)。如由下式E1确定的这种方程式可被用来求解传感器轴灵敏度性能矩阵M2的灵敏度性能元素：

因此，在过程(34)，例如，方程式E1的转换矩阵可被用来计算磁力计传感器组件114的每个轴传感器模块的主轴和交叉轴灵敏度性能(例如，以求解矩阵M2的元素)。

当使用方程式E1求解传感器轴灵敏度性能矩阵M2的每个灵敏度性能元素(例如，灵敏度性能元素Sxx,Syx,Szx,Sxy,Syy,Szy,Sxz,Syz和Szz)时，可以将每个求解的灵敏度性能与磁力计传感器组件114的相应轴的相关灵敏度误差界限或相关标准阈值灵敏度性能或者任何其他合适的比较数据(例如，数据105)进行比较，以便确定DUT传感器组件是否应该被接受或标记以供进一步分析(例如，如果求解的灵敏度性能中的任何一个或多个从相关标准阈值灵敏度性能偏离+/-10％，则DUT磁力计传感器组件114可被标记以供进一步分析)。例如，对于Sxx,Syy和Szz中的每个，测试界限可以是0.9-1.0，并且/或者对于Syx,Szx,Sxy,Szy,Sxz和Syz中的每个，测试界限可以是0.05-0.06。因此，由测试站200进行的DUT传感器组件的此测试可操作用来只使用DUT传感器组件相对于固定线圈对的三个测试取向来求解所有的9个灵敏度性能参数。

如所提及的，(例如，在工厂子系统20的IMU校准测试站处)可以确定可将磁力计传感器组件114的原始罗盘传感器轴(例如，传感器轴Xs,Ys,Zs)映射到电子装置100(例如，相对于外壳101)的装置轴(例如，装置轴Xd,Yd,Zd)的罗盘旋转矩阵(例如，装置传感器旋转矩阵)。如果适用的话(例如，传感器轴NMS平均值输出矩阵M1和这种装置-传感器旋转矩阵之积可以等于NMS磁场幅度与传感器轴灵敏度误差矩阵M2和传感器轴旋转矩阵M3之积)，也可以在方程式E1中利用这种装置-传感器旋转矩阵。

在一些实施例中，测试站200可设置有任何合适的对准检测部件，用于确定保持器214相对于测试站200的固定部分(例如，基底部件202和/或线圈对C轴)的特定取向是否为特定测试取向所需的。例如，一个或多个发射器/接收器对(例如，激光二极管/光电二极管对)可被提供用于检测保持器214相对于测试站200的固定部分的适当对准。如图2和图2A所示，例如，第一对准检测支撑体228可从基底部件202的第一部分延伸，并且可包括第一发射器228a、第二发射器228b和第三发射器228c，而第二对准检测支撑体230可从基底部件202的第二部分延伸，并且可包括第一接收器230a、第二接收器230b和第三接收器230c。第一发射器228a和第三接收器230c可被定位为使得只有当保持器214被定向在图3A的测试取向处(例如，沿着保持器214的背表面214k，否则保持器214可以被定向来阻挡这种辐射)时辐射(例如，激光)可从第一发射器228a(例如，激光二极管)传出并由第三接收器230c(例如，光电二极管)接收，第二发射器228b和第二接收器230b可被定位为使得只有当保持器214被定向在图3的测试取向处(例如，沿着保持器214的背表面214k，否则保持器214可以被定向来阻挡这种辐射)时辐射(例如，激光)可从第二发射器228b(例如，激光二极管)传出并由第二接收器230b(例如，光电二极管)接收，并且/或者第三发射器228c和第一接收器230a可被定位为使得只有当保持器214被定向在图3B的测试取向处(例如，沿着保持器214的背表面214k，否则保持器214可以被定向来阻挡这种辐射)时辐射(例如，激光)可从第三发射器228c(例如，激光二极管)传出并由第一接收器230a(例如，光电二极管)接收。如果对于与意图由保持器214保持的测试取向相关联的发射器/接收器没有适当地接收到辐射，则被测装置可能不被测试，直到适当地实现了预期的测试取向。测试站200的这种对准检测部件(例如，一个或多个光学发射器/接收器对)可操作用来校准保持器214的每个测试取向，使得可最少化或避免每个测试取向的角度误差。

可替换地或者另外，参考传感器232可被用来确定保持器214相对于线圈对C轴的当前取向。例如，参考传感器232可被配置为其输出受测试站200信任的理想的参考传感器232。参考传感器232可以任何合适的方式被保持器232保持，以便在测试期间以与要定位DUT的方式类似的方式相对于线圈对C轴定位传感器232。例如，如图2B所示，参考传感器232可相对于保持器214被保持为尽可能地靠近被测的DUT的传感器组件(例如，相对于保持器214，尽可能地靠近传感器组件中心115c的位置)，或者可以相对于保持器214被定位在与DUT相同的精确位置(例如，可互换地而非同时，如图2B的配置所示)。在任何情形下，参考传感器232可被用来确定保持器214是否相对于C轴被适当地定向，以便确保相对于DUT传感器组件进行的测试过程可以是充分的。例如，为了确定保持器214被适当地定向在图3的测试取向处，当保持器214意图处于该测试取向处时，参考传感器232可操作用来检测沿着C轴施加的磁场的幅度，并且测试站200可操作用来确定由参考传感器232的相应的三个传感器轴感测到的磁场的幅度是否相等，并且如果相等，则可以确定保持器214的当前测试取向的确是图3的预想的测试取向。又例如，为了确定保持器214被适当地定向在图3A的测试取向处，当保持器214意图处于该测试取向处时，参考传感器232可操作用来检测沿着C轴施加的磁场的幅度，并且测试站200可操作用来确定由参考传感器232的Z传感器轴感测到的磁场的幅度是否等于0，并且如果等于0，则可以确定保持器214的当前测试取向的确是图3A的预想的测试取向。再例如，为了确定保持器214被适当地定向在图3B的测试取向处，当保持器214意图处于该测试取向处时，参考传感器232可操作用来检测沿着C轴施加的磁场的幅度，并且测试站200可操作用来确定由参考传感器232的X传感器轴感测到的磁场的幅度是否等于0，并且如果等于0，则可以确定保持器214的当前测试取向的确是图3B的预想的测试取向。可以在任何合适的时刻(例如，每天一次，每几个小时，在测试任何特定DUT之前等等)这样利用参考传感器232用于确认保持器214相对于C轴的适当取向。作为对对准检测支撑体228/230的补充或替换，可这样利用参考传感器232用于确认保持器214相对于C轴的适当取向。而且，参考传感器232可被用于常规地检查和/或校准测试站200的任何其他方面，例如确认线圈对的期望特性(例如，NMS等)，以便确保测试站200的适当性能(例如，使用参考理想磁力计)。通过对于测试站200的测试过程只利用一个线圈对，可以只需要测试或校准一个线圈对，并且这种线圈对可被制成得具有比由于受特定预算限制的单个测试站中需要使用多个线圈对的情况更高的质量。因此，测试站200可以在工厂子系统20的主线上实现高效的、可重复的且可靠的DUT传感器测试。

虽然图3、图3A和图3B的三个特定测试取向被用来描述可由测试站200对DUT传感器组件实现的测试过程的一些例子，但是应当理解，保持器214相对于C轴的一组任何三个不同测试取向可被用来进行本公开的测试(例如，用于计算传感器轴灵敏度性能矩阵M2的灵敏度性能元素并因此验证或拒绝DUT)。可以使用多于三个的取向来校准固定装置对准问题和/或校准系统内的灵敏度失真的非理想性。但是，图3、图3A和图3B的特定测试取向可以使这种测试的某些部分更高效(例如，在C轴和每个DUT传感器轴之间具有相等角度的图3的测试取向可使得通过检测每个传感器轴上的相等的磁场而能够高效地利用参考传感器232确认保持器214相对于C轴的这种取向，具有与第一特定DUT传感器轴垂直的C轴的图3A的测试取向可使得通过检测该特定传感器轴上的零磁场而能够高效地利用参考传感器232确认保持器214相对于C轴的这种取向，具有与第二特定DUT传感器轴垂直的C轴的图3B的测试取向可使得通过检测该特定传感器轴上的零磁场而能够高效地利用参考传感器232确认保持器214相对于C轴的这种取向)。通过利用三个不同的测试取向，其中在通过将保持器214从第一测试取向绕特定轴但在相反的相应方向上旋转45°(例如，R1θ和R2θ可以均为关于轴R在相反方向上的45°)来实现所述测试取向中的第二测试取向和第三测试取向，不仅可以使得第二取向和第三取向中的每个能够将C轴与由DUT传感器组件的传感器轴中的两个共享的特定相应平面对准，还可以将保持器214的总旋转最小化至90°，这可以使测试站200能够更紧凑和/或用户友好，并且/或者能够利用更简单的电机216(例如，利用可使其两个最大测试旋转角硬编码的简单电机来减少成本)。在一些实施例中，如图所示，测试取向或利用的测试取向之间的保持器214的取向可操作用来使得能够容易地将DUT定位在保持器214内。例如，如图2至3的测试取向所示，DUT的Xs,Ys和Zs传感器轴可与测试站200的Xt,Yt和Zt测试站轴对准，其中这种Zt轴可与地球重力大致对准，使得装置100的DUT可被容易地放置在保持器214中的装置100的Xd-Yd平面背表面101k上，这可在线圈208和210之间容易进入(例如，在–Zt方向上)。在一些实施例中，对于由测试站200进行的传感器组件115的测试，可以利用传感器组件115相对于C轴的任何三个不同的取向，其可把传感器组件中心115c包括在C轴上。

测试站200可操作用来同时测试磁力计传感器组件114与DUT传感器组件115的其他传感器组件。例如，尽管加速度计传感器组件116可以在工厂子系统20的另一个测试站处被校准(例如，IMU测试仪可以在测试站200处利用传感器组件115之前对加速度计传感器组件116进行偏移校准)，但是当保持器214以及由此加速度计传感器组件116被定向在测试站200的三个不同的测试取向中的每个测试取向处时(例如，当组件116被静态地定向在每一个测试取向处而不是被移动通过每个测试取向时)，测试站200可操作用来测量由加速度计传感器组件116的每个轴加速度计传感器模块感测到的重力分量。然后，工厂子系统20(例如，测试站200)可操作用来利用这种测量的重力分量进行用于确定该早先校准是否充分的功能检查。

对用于测试站200的测试过程的数据的所有处理(例如，所有的数据推导、计算、比较等)可由任何合适的处理器或如与任何合适的应用103(例如，使装置100可访问的任何合适的测试和/或校准应用)协作的装置100的处理器102和/或测试站200的任何合适的处理器234的处理器的组合来执行，所述处理器可经由测试站200的任何合适的总线235(可被耦接到装置100的I/O接口11b)或者经由与装置100的通信部件106的任何无线通信而可通信地耦接到保持器214内的DUT传感器组件115。这种处理器也可以与电机216通信地耦接，以便引导电机216操控保持器214在其相对于C轴的各种测试取向之间进行测试站200的测试过程。另外或者可替换地，这种处理器可与电荷部件212通信地耦合，以便引导电荷部件212操控电流通过线圈208和210来进行测试站200的测试过程。

测试站200可以在工厂子系统20的主线上实现高效的、可重复的且可靠的DUT传感器测试。与可操作用来测试DUT传感器组件的类似方面以确保高性能磁力计传感器组件的其他测试站(例如，执行复杂的磁场扫描测试的亥姆霍兹线圈站)相比，测试站200由于只需要单个线圈对而可以更小，并且/或者由于只需要两次旋转电机216(例如，到三个取向)而可以更快。

图4的说明

图4是用于测试传感器组件(例如，用于测试传感器组件115的传感器组件114)的示例性过程400的流程图，该传感器组件可包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块。在步骤402，过程400可包括相对于在第一电磁体和第二电磁体之间延伸的电磁体轴将传感器组件定向在三个不同的测试取向中的每个测试取向处。例如，如关于图2至图3B所述，传感器组件115可相对于C轴被定向在图3、图3A和图3B的测试取向中的每个测试取向处。在步骤404和406，当传感器组件被定向在所述三个不同的测试取向中的每个测试取向处时，过程400可包括在第一方向上沿着电磁体轴施加第一磁场和在与第一方向相反的第二方向上沿着电磁体轴施加第二磁场。例如，如关于图2至图3B所述，当传感器组件115被定向在图3、图3A和图3B的测试取向中的每个测试取向处时，可沿着C轴在+C方向上施加第一磁场NF，然后，可沿着C轴在-C方向上施加第二磁场SF。在步骤408，过程400可包括，对于当被定向在三个不同的测试取向中的每个测试取向处时第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴，确定在施加第一磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场和在施加第二磁场期间由该传感器轴感测到的任何磁场之间的差，并且在步骤410，过程400可包括，定义第一矩阵的矩阵元素以包括在步骤408确定的差。例如，如关于图2至图3B所述，3x3传感器轴NMS输出矩阵M1可被定义为包括当被保持在第一测试取向O1、第二测试取向O2和第三测试取向O3中的每个测试取向处时磁力计组件114的传感器轴Xs、Ys和Zs的NMS平均值。在步骤412，过程400可包括，定义第二矩阵的矩阵元素以包括第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的主轴灵敏度性能和两个交叉轴灵敏度性能中的每个，并且在步骤414，过程400可包括，定义第三矩阵的矩阵元素以包括在所述三个不同的测试取向中的每个测试取向处电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴上的向量分量。例如，如关于图2至图3B所述，3x3传感器轴灵敏度性能矩阵M2可被定义为包括第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的主轴灵敏度性能和两个交叉轴灵敏度性能中的每个，3x3传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵M3可被定义为包括基于在每个特定测试取向处由C轴和每个特定传感器轴形成的角度的元素。在步骤416，过程400可包括，通过利用将第一矩阵设置为等于第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和、第三矩阵和第二矩阵之积的方程式来确定第二矩阵的每个矩阵元素的值。例如，如关于图2至图3B所述，方程式E1可被用来计算磁力计传感器组件114的每个传感器轴模块的主轴和交叉轴灵敏度性能(例如，以求解矩阵M2的元素)。

应当理解，图4的过程400中所示的步骤仅仅示例性的，并且可以修改或省略已有的步骤，可以添加附加步骤，并且可以改变某些步骤的顺序。

图5的说明

图5是用于相对于电磁体轴测试传感器组件(例如，用于测试传感器组件115的传感器组件114)的示例性过程500的流程图，其中，该传感器组件包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块。在步骤502，过程500可包括访问包括多个第一矩阵元素的第一矩阵，其中，每个第一矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在三个不同的测试取向中的相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第一方向上施加第一磁场期间由传感器组件的第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的特定传感器轴感测到的任何磁场、与当传感器组件相对于电磁体被定位在所述相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第二方向上施加第二磁场期间由所述相应的特定传感器轴感测到的任何磁场之间的差。例如，如关于图2至图3B所述，3x3传感器轴NMS输出矩阵M1可被定义为包括当被保持在第一测试取向O1、第二测试取向O2和第三测试取向O3中的每个测试取向处时磁力计组件114的传感器轴Xs、Ys和Zs的NMS平均值。在步骤504，过程500可包括访问包括多个第二矩阵元素的第二矩阵，其中，每个第二矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在所述三个不同的测试取向中的相应的测试取向处时电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的传感器轴上的向量分量。例如，如关于图2至图3B所述，3x3传感器轴上线圈磁场向量分量旋转矩阵M3可被定义为包括基于在每个特定测试取向处由C轴和每个特定传感器轴形成的角度的元素。在步骤506，过程500可包括，利用第一矩阵、第二矩阵、以及第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和来确定第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的灵敏度性能。例如，如关于图2至图3B所述，方程式E1可被用来计算磁力计传感器组件114的每个传感器轴模块的主轴和交叉轴灵敏度性能(例如，以求解矩阵M2的元素)。

应当理解，图5的过程500中所示的步骤仅仅示例性的，并且可以修改或省略已有的步骤，可以添加附加步骤，并且可以改变某些步骤的顺序。

所述构思的进一步应用

关于图1至图5描述的过程中的一个、一些或全部均可通过软件实现，还可以在硬件、固件，或者软件、硬件和固件的任何组合中实现。用于执行这些过程的指令也可被实施为在机器或计算机可读介质上记录的机器或计算机可读代码。在一些实施例中，计算机可读介质可以是非暂态计算机可读介质。这种非暂态计算机可读介质的例子包括但不限于，只读存储器、随机存取存储器、闪速存储器、CD-ROM、DVD、磁带、可移动存储卡和数据存储装置(例如，图1的存储器104)。在其他实施例中，计算机可读介质可以是暂态计算机可读介质。在这种实施例中，暂态计算机可读介质可以被分布在网络耦合的计算机系统中，使得计算机可读代码以分布式的方式被存储和执行。例如，这种暂态计算机可读介质可使用任何合适的通信协议从一个电子装置传送到另一个电子装置(例如，计算机可读介质可作为数据55经由通信部件106(例如，作为应用103的至少一部分)从远程装置传送到电子装置100)。这种暂态计算机可读介质可在调制的数据信号(例如，载波或其他传输机制)中实施计算机可读代码、指令、数据结构、程序模块或其他数据，并且可包括任何信息传送介质。调制的数据信号可以是以把信息编码在信号中的这种方式设置或改变其特性中的一种或多种的信号。

应当理解，系统1的任何、每个或至少一个合适的模块或部件或元件或子系统可被提供作为软件结构、固件结构、一个或多个硬件部件或其组合。例如，系统1的任何、每个或至少一个合适的模块或部件或元件或子系统可以在可由一个或多个计算机或其他装置执行的计算机可读指令(例如，程序模块)的一般上下文中描述。一般地，程序模块可包括可执行一个或多个特定任务或者可实现一个或多个特定抽象数据类型的一个或多个例程、程序、对象、部件和/或数据结构。也应当理解，系统1的模块和部件和元件及子系统的数量、配置、功能以及互连仅仅是示例性的，并且可修改或省略系统1的已有的模块、部件、元件和/或子系统的数量、配置、功能以及互连，并且/或者可添加系统1的附加模块、部件、元件和/或子系统，并且可以更改系统1的某些模块、部件、元件和/或子系统的互连。

系统1的模块或部件或元件或子系统中的一个或多个的至少一部分可以任何合适的方式被存储在系统1的实体(例如，装置100的存储器104(例如，作为应用103的至少一部分))中或者可由系统1的实体以其他方式访问，并且可以使用任何合适的技术(例如，作为一个或多个集成电路装置)来实现，并且不同的模块在结构、能力和操作方面可以相同，也可以不同。系统1的模块或其他部件中的任何一个或全部可被安装在扩展卡上，直接被安装在系统母板上，或者被集成到系统芯片组部件中(例如，集成到“北桥”芯片中)。

虽然已经描述了用于高效地测试传感器组件的系统、方法和计算机可读介质，但是应当理解，在不脱离本文中以任何方式描述的主题的精神和范围的情况下可以在此做出许多改变。无论是现在已知的还是以后设计的，被本领域的普通技术人员视为要求保护的主题的非实质变更均被明确地认为等同地落入权利要求的范围内。因此，本领域的普通技术人员现在或以后所知的明显替换被定义为在所定义的要素的范围内。

因此，本领域的技术人员将认识到，可通过除所述实施例之外的实施例来实践本实用新型，所述实施例是为了示例性目的而非限制性目的而提供的。

Claims

1.一种用于测试传感器组件的站，该传感器组件包括具有沿着第一传感器轴的磁场灵敏度的第一传感器模块、具有沿着与第一传感器轴垂直的第二传感器轴的磁场灵敏度的第二传感器模块、以及具有沿着与第一传感器轴和第二传感器轴都垂直的第三传感器轴的磁场灵敏度的第三传感器模块，其特征在于，所述站包括：

一对电磁体，包括第一电磁体和相对于第一电磁体以固定的关系保持的第二电磁体，其中该对电磁体操作用来沿着在第一电磁体和第二电磁体之间延伸的电磁体轴产生至少一个磁场；

保持器，操作用来相对于保持器以固定的关系保持传感器组件；以及

重新定向子组件，操作用来相对于电磁体轴在多个测试取向之间移动保持器，其中所述多个测试取向包括：

第一测试取向，在该第一测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场与第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴形成三个相等的角度；

第二测试取向，在该第二测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第一传感器轴，又处于包括第二传感器轴和第三传感器轴的第一平面中；以及

第三测试取向，在该第三测试取向处，当传感器组件被保持器保持时所述至少一个磁场既垂直于第三传感器轴，又处于包括第一传感器轴和第二传感器轴的第二平面中。

2.根据权利要求1所述的站，其特征在于，重新定向子组件操作用来绕旋转轴旋转保持器，以便在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何两个测试取向之间移动保持器。

3.根据权利要求2所述的站，其特征在于，当传感器组件被保持器保持时所述旋转轴与第二传感器轴对准。

4.根据权利要求2所述的站，其特征在于，重新定向子组件操作用来：

绕所述旋转轴在第一方向把保持器旋转第一旋转角，用于将保持器从第一测试取向移动到第二测试取向；以及

绕所述旋转轴在第二方向上把保持器旋转第二旋转角，用于将保持器从第一测试取向移动到第三测试取向。

5.根据权利要求4所述的站，其特征在于，第一旋转角的大小等于第二旋转角的大小。

6.根据权利要求5所述的站，其特征在于，第一旋转角和第二旋转角中的每个旋转角的大小是45°。

7.根据权利要求1所述的站，其特征在于，当传感器组件被保持器保持并且保持器处于第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何一个测试取向处时，第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴的相交处位于电磁体轴上。

8.根据权利要求1所述的站，其特征在于，当传感器组件被保持器保持并且保持器处于第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的任何一个测试取向处时，第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴的相交处位于沿着电磁体轴离第一电磁体和第二电磁体中的每个电磁体等距离的位置处。

9.根据权利要求1所述的站，其特征在于，该站还包括处理器，该处理器操作用来：

访问包括多个第一矩阵元素的第一矩阵，其中每个第一矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体轴被定位在第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第一方向上施加所述至少一个磁场中的第一磁场期间由传感器组件的第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的特定传感器轴感测到的任何磁场、与当传感器组件相对于电磁体被定位在所述相应的特定测试取向处时沿着电磁体轴在第二方向上施加所述至少一个磁场中的第二磁场期间由所述相应的特定传感器轴感测到的任何磁场之间的差；

访问包括多个第二矩阵元素的第二矩阵，其中每个第二矩阵元素指示当传感器组件相对于电磁体被定位在所述第一测试取向、第二测试取向和第三测试取向中的相应的测试取向处时电磁体轴在第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的相应的传感器轴上的向量分量；以及

利用第一矩阵、第二矩阵、以及第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和来确定第一传感器轴、第二传感器轴和第三传感器轴中的每个传感器轴的灵敏度性能。

10.根据权利要求1所述的站，其特征在于，该站还包括处理器，其中：

第二矩阵包括以下第二矩阵元素：

第三矩阵包括以下第三矩阵元素：

1/√3；

√2/√3；

1/√3；

0；

1/√3；和

√2/√3；并且

处理器操作用来通过利用将第一矩阵设置为等于下述因子的乘积的方程式来确定第二矩阵的每个第二矩阵元素的值：

第一磁场的幅度和第二磁场的幅度之和；

第三矩阵；以及

第二矩阵。