CN205741275U - 一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆 - Google Patents
一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，它包括晶杆本体（1），所述的晶杆本体（1）由一体式的连接端A（2）、连接杆（3）和连接端B（4）组成，所述的连接端A（2）和连接端B（4）分别位于连接杆（3）的两端，所述的连接端B（4）内开设有一T形卡槽（5），T形卡槽（5）内填充有籽晶（7），所述的连接端B（4）的侧壁上开设有一剖切面（6），且通过剖切面（6）可观察到T形卡槽（5）内的籽晶（7）。本实用新型的有益效果是：它具有可避免泡生法生长过程中因籽晶杆脱落或籽晶脱落造成的晶体生长失败，同时避免因籽晶杆变形而影响晶体的生长和质量问题和增加经济效益的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶体泡生法生长，特别是一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆。
背景技术
当前泡生法蓝宝石晶体生长方式是最普遍的生长工艺，晶体质量较高，全球用于LED衬底的蓝宝石基板70%以上为泡生法或各种改良型泡生法生长。泡生法设备的价值比较高，热场坩埚一套一般都在80万元左右，所以要尽可能的降低不良产品的比例和避免生长的失败。在泡生法生长过程中因高温（2050度以上）和晶体的逐步生长，晶体重量越来越大（50公斤以上）会出现籽晶杆变形、脱落或籽晶脱落的现象，影响晶体的生长和质量，严重的将会导致晶体生长失败。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种稳固性好、保证晶体生长质量和经济效益高的用于晶体泡生法生长的籽晶杆。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，它包括晶杆本体，所述的晶杆本体由一体式的连接端A、连接杆和连接端B组成，所述的连接端A和连接端B分别位于连接杆的两端，所述的连接端B内开设有一T形卡槽，T形卡槽内填充有籽晶，所述的连接端B的侧壁上开设有一剖切面，且通过剖切面可观察到T形卡槽内的籽晶。
所述的连接端B的外周上开设有多个捆绑槽。
所述的捆绑槽为两个，且两个捆绑槽相互平行。
所述的连接端A上开设有内螺纹。
本实用新型具有以下优点：本实用新型的籽晶杆，避免了泡生法生长过程中因籽晶杆脱落或籽晶脱落造成的晶体生长失败，同时避免了因籽晶杆变形而影响晶体的生长和质量问题。解决了晶体生长的一个基础性问题，增加了经济效益。
附图说明
图1 为本实用新型的主视示意图；
图2 为本实用新型的左视示意图；
图中，1-晶杆本体，2-连接端A，3-连接杆，4-连接端B，5-T形卡槽，6-剖切面，7-籽晶，8-捆绑槽。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，本实用新型的保护范围不局限于以下所述：
如图1和图2所示，一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，它包括晶杆本体1，所述的晶杆本体1由一体式的连接端A2、连接杆3和连接端B4组成，晶体本体1采用一体式，可避免籽晶杆分段式脱落，大大的减少了提拉时因籽晶杆自身连接带来的形变旋转对晶体质量的影响，所述的连接端，A2和连接端B4分别位于连接杆3的两端，所述的连接端B4内开设有一T形卡槽5，T形卡槽5内填充有籽晶7，T形卡槽5增加了籽晶7与连接端B4之间的摩擦力，避免了籽晶7在晶体生长过程中与连接端B4脱落，所述的连接端B4的侧壁上开设有一剖切面6，且通过剖切面6可观察到T形卡槽5内的籽晶7，从而能够直观的看到籽晶的形状。
在本实施例中，所述的连接端B4的外周上开设有多个捆绑槽8，进一步的所述的捆绑槽8为两个，且两个捆绑槽8相互平行，在捆绑槽8内缠绕捆绑绳，从而进一步的增加了籽晶7的稳固性，保证了晶体生长的正常进行。
在本实施例中，所述的连接端A2上开设有内螺纹，通过螺纹连接，使得籽晶杆连接方便。
Claims (4)
1.一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，其特征在于：它包括晶杆本体（1），所述的晶杆本体（1）由一体式的连接端A（2）、连接杆（3）和连接端B（4）组成，所述的连接端A（2）和连接端B（4）分别位于连接杆（3）的两端，所述的连接端B（4）内开设有一T形卡槽（5），T形卡槽（5）内填充有籽晶（7），所述的连接端B（4）的侧壁上开设有一剖切面（6），且通过剖切面（6）可观察到T形卡槽（5）内的籽晶（7）。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，其特征在于：所述的连接端B（4）的外周上开设有多个捆绑槽（8）。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，其特征在于：所述的捆绑槽（8）为两个，且两个捆绑槽（8）相互平行。
4.根据权利要求1所述的一种用于晶体泡生法生长的籽晶杆，其特征在于：所述的连接端A（2）上开设有内螺纹。
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| CN113172777A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-07-27 | 深圳大学 | 一种探测器级高纯锗单晶籽晶及其制备方法和应用 |
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