CN204825115U - 一种成品率高的单晶炉 - Google Patents

一种成品率高的单晶炉 Download PDF

Info

Publication number
CN204825115U
CN204825115U CN201520569202.8U CN201520569202U CN204825115U CN 204825115 U CN204825115 U CN 204825115U CN 201520569202 U CN201520569202 U CN 201520569202U CN 204825115 U CN204825115 U CN 204825115U
Authority
CN
China
Prior art keywords
single crystal
crystal growing
growing furnace
crucible
furnace main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201520569202.8U
Other languages
English (en)
Inventor
林志高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
FUJIAN XINLEI CRYSTAL Co Ltd
Original Assignee
FUJIAN XINLEI CRYSTAL Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by FUJIAN XINLEI CRYSTAL Co Ltd filed Critical FUJIAN XINLEI CRYSTAL Co Ltd
Priority to CN201520569202.8U priority Critical patent/CN204825115U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204825115U publication Critical patent/CN204825115U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种成品率高的单晶炉,包括单晶炉主体,所述单晶炉主体内设有电熔炉、坩埚、保温棉板和提拉杆,电熔炉设置在单晶炉主体底部,坩埚置于电熔炉内,保温棉板放置在电熔炉上,且位于坩埚上方,保温棉板内开设共提拉杆及产品穿过的通孔,提拉杆位于单晶炉主体上端,且在驱动单元的带动下在单晶炉主体内上下移动,提拉杆底端设有籽晶;所述电熔炉包括外壳和内胆,内胆内开设有容纳坩埚的坩埚槽,外壳与内胆之间设有隔热层;该成品率高的单晶炉,其电熔炉的外壳与内胆之间增设隔热层,隔热层增强电熔炉的保温效果,从而提高成品率。

Description

一种成品率高的单晶炉
技术领域
本实用新型涉及单晶材料制备设备领域,具体是一种成品率高的单晶炉。
背景技术
导模法是从熔体人工制取单晶材料的方法之一,即边缘限定薄膜供料提拉生长技术。它是将留有毛细管狭缝的模具放在熔体中,熔液借毛细作用上升到模具顶部,形成一层薄膜并向四周扩散,同时受种晶诱导结晶,模具顶部的边缘可控制晶体呈片状、管状或所需的某种几何形状产出。这种方法用于定型生长单晶材料。导模法单晶炉就是利用导模法制备单晶材料的装置。导模法单晶炉内制备熔体的装置称为电熔炉,电熔炉通过加热的方式将原料加热为熔体。目前市场上的导模法单晶炉的电熔炉保温效果不佳,从而影响了单晶产品的成品率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种成品率高的单晶炉,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种成品率高的单晶炉,包括单晶炉主体,所述单晶炉主体内设有电熔炉、坩埚、保温棉板和提拉杆,电熔炉设置在单晶炉主体底部,坩埚置于电熔炉内,保温棉板放置在电熔炉上,且位于坩埚上方,保温棉板内开设共提拉杆及产品穿过的通孔,提拉杆位于单晶炉主体上端,且在驱动单元的带动下在单晶炉主体内上下移动,提拉杆底端设有籽晶;所述电熔炉包括外壳和内胆,内胆内开设有容纳坩埚的坩埚槽,外壳与内胆之间设有隔热层。
作为本实用新型进一步的方案:所述保温棉板共多个,且沿竖直方向依次层叠。
作为本实用新型再进一步的方案:所述隔热层的材质为隔热棉。
作为本实用新型再进一步的方案:所述单晶炉主体底端设有支撑架,单晶炉主体通过支撑架放置在地面上。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该成品率高的单晶炉,其电熔炉的外壳与内胆之间增设隔热层,隔热层增强电熔炉的保温效果,从而提高成品率,另外电熔炉上方设有多个层叠的保温棉板,保温棉板能够增强结晶过程中坩埚上方的保温效果,有利于结晶过程的顺利进行。
附图说明
图1为成品率高的单晶炉的结构示意图。
图2为成品率高的单晶炉中单晶炉主体的内部结构示意图。
图3为成品率高的单晶炉中电熔炉的结构示意图。
图中:1-单晶炉主体、2-支撑架、3-电熔炉、31-外壳、32-内胆、33-坩埚槽、34-隔热层、4-坩埚、5-保温棉板、6-籽晶、7-提拉杆。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1~3,本实用新型实施例中,一种成品率高的单晶炉,包括单晶炉主体1,所述单晶炉主体1底端设有支撑架2,单晶炉主体1通过支撑架2放置在地面上,单晶炉主体1内设有电熔炉3、坩埚4、保温棉板5和提拉杆7,电熔炉3设置在单晶炉主体1底部,坩埚4置于电熔炉3内,保温棉板5放置在电熔炉3上,且位于坩埚4上方,保温棉板5内开设共提拉杆7及产品穿过的通孔,保温棉板5能够增强提拉杆7作业区域内的保温隔热效果,优选的,所述保温棉板5共多个,且沿竖直方向依次层叠,提拉杆7位于单晶炉主体1上端,且在驱动单元的带动下在单晶炉主体1内上下移动,提拉杆7底端设有籽晶6;所述电熔炉3包括外壳31和内胆32,内胆32内开设有容纳坩埚4的坩埚槽33,外壳31与内胆32之间设有隔热层34,隔热层34增强电熔炉3的保温效果,从而提高成品率,优选的,所述隔热层34的材质为隔热棉。
所述成品率高的单晶炉,其电熔炉3的外壳31与内胆32之间增设隔热层34,隔热层34增强电熔炉3的保温效果,从而提高成品率,另外电熔炉3上方设有多个层叠的保温棉板5,保温棉板5能够增强结晶过程中坩埚4上方的保温效果,有利于结晶过程的顺利进行。
对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (4)

1.一种成品率高的单晶炉,包括单晶炉主体(1),其特征在于,所述单晶炉主体(1)内设有电熔炉(3)、坩埚(4)、保温棉板(5)和提拉杆(7),电熔炉(3)设置在单晶炉主体(1)底部,坩埚(4)置于电熔炉(3)内,保温棉板(5)放置在电熔炉(3)上,且位于坩埚(4)上方,保温棉板(5)内开设共提拉杆(7)及产品穿过的通孔,提拉杆(7)位于单晶炉主体(1)上端,且在驱动单元的带动下在单晶炉主体(1)内上下移动,提拉杆(7)底端设有籽晶(6);所述电熔炉(3)包括外壳(31)和内胆(32),内胆(32)内开设有容纳坩埚(4)的坩埚槽(33),外壳(31)与内胆(32)之间设有隔热层(34)。
2.根据权利要求1所述的成品率高的单晶炉,其特征在于,所述保温棉板(5)共多个,且沿竖直方向依次层叠。
3.根据权利要求1或2所述的成品率高的单晶炉,其特征在于,所述隔热层(34)的材质为隔热棉。
4.根据权利要求3所述的成品率高的单晶炉,其特征在于,所述单晶炉主体(1)底端设有支撑架(2),单晶炉主体(1)通过支撑架(2)放置在地面上。
CN201520569202.8U 2015-08-02 2015-08-02 一种成品率高的单晶炉 Expired - Fee Related CN204825115U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520569202.8U CN204825115U (zh) 2015-08-02 2015-08-02 一种成品率高的单晶炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520569202.8U CN204825115U (zh) 2015-08-02 2015-08-02 一种成品率高的单晶炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204825115U true CN204825115U (zh) 2015-12-02

Family

ID=54682734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520569202.8U Expired - Fee Related CN204825115U (zh) 2015-08-02 2015-08-02 一种成品率高的单晶炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204825115U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109537046A (zh) * 2018-11-30 2019-03-29 邢台晶龙新能源有限责任公司 一种大热场单晶炉

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109537046A (zh) * 2018-11-30 2019-03-29 邢台晶龙新能源有限责任公司 一种大热场单晶炉

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202558970U (zh) 一种类单晶硅铸锭炉
CN102732947B (zh) 一种生长纯净准单晶的铸锭热场
CN207109156U (zh) 一种碳化硅晶体生长装置
CN102776560B (zh) 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN102776554A (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN103806101A (zh) 一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN103014842A (zh) 一种用于泡生法生长蓝宝石晶体的旋转放肩工艺
CN102776555A (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN101338453A (zh) 大尺寸无核心yag系列激光晶体的生长装置及其生长方法
CN103422161A (zh) 一种n型太阳能硅单晶料的制备方法
CN206157273U (zh) 一种新型单晶炉
CN102560631A (zh) 蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN201183846Y (zh) 多晶硅铸锭炉的热场结构
CN204825115U (zh) 一种成品率高的单晶炉
CN102776556B (zh) 一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN101532172A (zh) 一种生长硅单晶的热装置
CN103255477A (zh) 一种成型蓝宝石晶体的生长方法及设备
CN203159740U (zh) 导模法生长多条晶体的生长装置
CN203530480U (zh) 生长蓝宝石单晶的设备
CN105369350A (zh) 一种多晶硅晶体的生长工艺
CN102433585A (zh) 准单晶铸锭炉热场结构
CN204825124U (zh) 一种能够制备大尺寸晶体成品的单晶炉
CN201395647Y (zh) 一种生长硅单晶的热装置
CN202187086U (zh) 单晶炉的梯度加热器
CN203653759U (zh) 一种蓝宝石单晶生长炉炉体冷却系统

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20151202

Termination date: 20200802

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee