CN205688003U - 一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本实用新型将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。

Description

一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置

技术领域

本申请涉及真空卷绕镀膜技术领域，尤其涉及一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置。

背景技术

随着科技的进步和市场的需求，镀膜柔性卷材料得到快速发展，也推动了镀膜技术和镀膜机的迅猛发展。

真空卷绕镀膜技术，就是在真空室内通过热蒸发或者磁控溅射等方法在卷料基材表面制备一层或者多层具有一定功能的薄膜的技术，其主要具有以下几个特点：镀膜基材为柔性基材，可卷绕；可进行连续镀膜，即在一个工作周期内镀膜是连续进行的；另外，镀膜的环境为高真空环境。

基材在放卷和收卷过程中，表面被镀上薄膜。镀膜的结构位于基材的收放卷之间，其工作原理可以是电阻蒸发、感应蒸发、电子束蒸发、磁控溅射或者是其它真空镀膜方法中的任意一种。

以磁控溅射技术为例，其已经在我国的建材、装饰、光学、工磨具强化、集成电路等领域得到广泛应用，是各领域薄膜制备的重要技术手段。其工作过原理是：电子在电场的作用下加速飞向基材的过程中与溅射气体氩气碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基材薄膜，在此过程中不断地与氩原子碰撞，产生更多的氩原子和电子；氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子(或分子)沉积在基材薄膜表面成膜。

近年来随着对柔性基底镀膜材料的广泛需求和柔性基材上磁控溅射技术本身的飞速发展，各种高性能光学膜在大面积柔性基底上镀制成功。

由于柔性基材具有连续生产简单、容易运输、可方便裁切成任意形状、可弯曲包裹等优势一直是磁控溅射技术发展的一个重要方向。

在对阴极溅射成膜装置中，卷对卷磁控溅射真空镀膜设备以其可以连续生产而明显的提高了成膜的效率。尽管如此，目前市面上的卷对卷磁控溅射真空镀膜设备仍然普遍存在镀膜效率较低，并且所镀膜牢固度较低，这难以满足社会对高质量镀膜柔性材料日益增长的需求。这是因为，在磁控溅射镀膜设备领域里，影响镀膜工艺流程因素诸多，比如温度，镀膜气压，镀膜时间，以及靶材与基材距离(又称靶基距)等。靶基距的大小将影响膜层的沉积速率，膜层均匀性，膜层的质量，以及基材沉积温度等。

传统的卷绕式磁控溅射镀膜设备，通常将溅射阴极直接放置在真空溅射室的内腔壁上。虽然内腔壁较大，可以提供足够的空间以设置较多溅射阴极，但是，由于卷绕式磁控溅射镀膜设备的溅射室的体积往往很大，内腔壁与卷绕于冷辊上的基材距离很远，这就造成了溅射靶材与基材之间距离(靶基距)很大，并且通常还不可以进行调节，因此不利于提高溅射效率和控制溅射镀膜的质量，进而会影响膜层质量和镀膜效率。

实用新型内容

本实用新型了提供了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，以解决现有镀膜设备膜层质量不好、镀膜效率不高的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：

真空腔室，所述真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊，所述冷却辊处于所述放卷辊、所述收卷辊之间的下方；

定位支架，设置在所述真空腔室底部且处于所述冷却辊的下方；

所述定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；

所述支撑机构可随意调整所述内陷机构和所述冷却辊的距离；

所述内陷机构的内陷面和所述冷却辊的圆周面相对应；所述内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材。

优选的，所述支撑机构包括：移动平台，调节结构；

所述移动平台设置在所述真空腔室的底部，且可在所述真空腔室底部移动；

所述调节结构位于所述内陷机构和所述移动平台之间。

优选的，所述靶基距的范围是：50mm～150mm。

优选的，所述真空腔室内设置有隔离板，将所述真空腔室隔成第一真空小室和第二真空小室；

其中，所述第一真空小室中设置有：所述放卷辊、所述收卷辊；其中，所述放卷辊和所述收卷辊中还各设置了一组用于改变待镀膜的基材的方向的换向辊；

所述第二真空小室中设置有所述定位支架和所述冷却辊；

所述隔离板上设置有供所述待镀膜的基材穿过的开口。

优选的，所述第一真空小室中设置有离子轰击器。

优选的，所述内陷机构呈中空型；

所述内陷机构的内部至少设置有冷却管道、气体管道；其中，所述冷却管道设置于各个溅射阴极下方，所述气体管道设置在所述各个溅射阴极之间；

所述真空腔室的壁上设置第一引入口与第二引入口；

利用所述第一引入口将冷却液引入所述冷却通道中；

利用所述第二引入口将反应气体引入所述气体管道。

优选的，所述多个溅射阴极可以是单轨道溅射阴极和/或双轨道溅射阴极。

优选的，所述双轨道溅射阴极的最大数目为4个。

优选的，所述内陷机构的内陷面材质为金属。

优选的，每个溅射靶材之间设置有挡板。

通过本实用新型的一个或者多个技术方案，本实用新型具有以下有益效果或者优点：

在本实用新型实施例中，公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，该装置包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊，另外，定位支架，设置在真空腔室底部且处于冷却辊的下方，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面和冷却辊的圆周面相对应；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。由此可见，本实用新型将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。

进一步的，通过调节定位支架的位置，可使各靶材与待镀膜的基材之间的距离保持一致，从而提高镀膜的均匀性。

进一步的，在定位支架上设置了多个溅射阴极，每个溅射阴极可设置对应的溅射靶材，可同时在待镀膜的基材表面镀上多层不同功能的膜材料。

进一步的，将反应气体引入口设置于定位支架内部，可保证溅射工作区局部气压稳定，有利于提高溅射镀膜效率和提高镀膜的均匀性。

进一步的，双轨道溅射阴极的设置，提高了真空腔内的空间利用率，同时提高了大面积靶材的利用率并且增加了大面积靶材的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型实施例中一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置的结构示意图。

附图标记说明：放卷辊1、换向辊2、收卷辊3、冷却辊4、离子轰击器5、隔离板6、第一真空小室7、第二真空小室8、内陷机构9、移动平台10、可调螺母11、螺纹支撑杆12、溅射阴极13、挡板14、真空抽气口15、入口16、反应气体引入管17。

具体实施方式

为了使本申请所属技术领域中的技术人员更清楚地理解本申请，下面结合附图，通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。

参看图1，在本实用新型实施例中，提供了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置。

如图1所示，本实用新型提供的装置包括：真空腔室、放卷辊1、冷却辊4、收卷辊3。

真空腔室主要用作镀膜工作，而放卷辊1、冷却辊4、收卷辊3处于真空腔室的内部。

为了防止溅射对待镀膜的基材的污染，本实用新型实施例利用隔离板6将真空腔室分为两部分。为了便于区分，本实用新型将隔离出来的两个腔室分别命名为第一真空小室7和第二真空小室8。真空腔室的隔离比例本实用新型不做限制，可根据实际情况而定。

在本实用新型实施例中，将放卷辊1、收卷辊3、换向辊2设置于第一真空小室7中；而定位支架和冷却辊4设置在第二真空小室8中。

另外，从真空腔室的整体内部来说，放卷辊1和收卷辊3处于真控腔室的两侧，而冷却辊4处于放卷辊1和收卷辊3之间的下方，并且放卷辊1、收卷辊3各自和冷却辊4的距离相近，使得冷却辊4、放卷辊1、收卷辊3基本处于等腰三角形的三个顶点，结构紧凑，有利于合理利用空间。另外，放卷辊1和收卷辊3中各设置了一组用于改变待镀膜的基材的运动方向的换向辊2。当然，为了便于待镀膜的基材穿过隔离板6到达冷却辊4，在隔离板6上还设置有供待镀膜的基材穿过的开口。具体来说，待镀膜的基材的安装方式为：将待镀膜的基材套设于放卷辊1上，然后如图1所示绕过换向辊2、冷却辊4，然后固定在收卷辊3上，在安装的时候需要注意，在相应位置穿过隔离板6的开口。

利用放卷辊1、冷却辊4、收卷辊3的转动可使待镀膜的基材往复运动，而换向辊2则可以改变待镀膜的基材的卷绕方向。

另外，为了对待镀膜的基材表面进行清洗打磨，提高其清洁度和附着力，在第一真空小室7内还设置有离子轰击器5用来处理所述待镀膜的基材的表面，例如用来清洗打磨待镀膜的基材。

当然，离子轰击器5的具体可以设置在隔离板6上，且处于放卷辊1及其换向辊2之间。

定位支架，设置在真空腔室底部且处于冷却辊4的下方。由于真空腔室被分为了两个腔室，因此，定位支架的具体位置处于第二真空小室8中。

另外，第二真空小室8中设置有真空抽气口15。真空抽气口15可随意设置在第二真空小室8的任意位置。当然，最佳位置位于真空腔室的底部。

而关于定位支架的结构，其具体为高度可调的内凹形型支架。

定位支架主要包括两部分：支撑机构和内陷机构9。

支撑机构包括：移动平台10，调节机构。

支撑机构可随意调整内陷机构9和冷却辊4的距离，进而可随意改变靶基距，本实用新型的靶基距，指的是溅射阴极13上的溅射靶材与冷却辊4上卷绕的待镀膜的基材的距离。靶基距的范围是：50mm～150mm。

移动平台10设置在真空腔室的底部，且可在真空腔室底部移动。作为一种可选的结构，可在真空腔室底部固定设置两条平行滑轨，而在移动平台10下方设置可沿导轨滑动的滑块，相互配合使移动平台10在真空腔室底部来回移动。当然，在实际应用中还有其他结构可满足移动平台10在真空腔室底部来回移动的要求，在此本申请不做限制，能够满足上述要求的各类结构都应属于本申请的保护范围之内。

调节结构位于内陷机构和移动平台之间，具体来说，调节结构主要是用来调节内陷机构的高度，进而调节内陷机构和冷却辊的距离，进而改变靶基距。

在本实用新型中，调节结构可有多种调节形式。在一种可选的实施例中，调节结构包括螺纹支撑杆12，可调螺母11。

螺纹支撑杆12的一端设置在移动平台10上，螺纹支撑杆12的另一端插入内陷机构9的内部；可调螺母11套在螺纹支撑杆12上且处于内陷机构9和移动平台10之间。

在需要调节内陷机构9的高度时，利用螺纹支撑杆12调节内陷机构9和冷却辊4的距离，利用可调螺母11锁紧螺纹支撑杆12，以固定内陷机构9的高度。由于定位支架可以上下、左右移动，因此可根据不同的溅射靶材、待镀膜的基材以及其它条件，调节靶基距，寻求最佳的镀膜工艺条件。通过调节定位支架的位置，可使各溅射靶材与卷绕在冷却辊4上的待镀膜的基材之间的距离在要求的范围内调整，从而提高了所镀膜的均匀性。

而对于内陷机构9来说，其是镀膜的最重要的结构部件。

为了更加贴合冷却辊4的形状，内陷机构9的内陷面和冷却辊4的圆周面相对应。内陷机构9的内陷面由多个和水平面呈现不同角度的表面构成，对冷却辊4形成包裹状。

当然，内陷机构9的内陷面的个数本实用新型并未做严格限制。内陷面的个数越多，则越接近和冷却辊4同心的圆弧状。

作为一种可选的实施例，为了防止溅射过程中溅射物质的掉落而污染支架内部，除安装溅射阴极13以及安装反应气体引入管17的部分，内陷机构9的内陷面的其他部分都使用金属类板材覆盖，诸如金属板(如铁板)、合金板(如不锈钢)等等。即内陷机构9的内陷面实际上是一块弯折成多个表面的金属板，每个表面都设置有开口用来安装溅射阴极13。

内陷机构9的内陷面上设置有多个溅射阴极13(即至少两个溅射阴极13)。而每个溅射阴极13上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极13中的溅射靶材可以相同或者不同，不同的溅射靶材可以在待镀膜的基材上镀不同的膜，因此本实用新型的结构可以一次性在待镀膜的基材上镀多层膜，镀膜的层数由溅射靶材决定。

另外，内陷机构9的内陷面上的多个溅射阴极13可以是单轨道溅射阴极和/或双轨道溅射阴极。

即：内陷机构9的内陷面上的溅射阴极13可以全部是单轨道溅射阴极，也可以全部是双轨道溅射阴极。当然，内陷机构9的内陷面上的溅射阴极13也可以同时包括单轨道溅射阴极和双轨道溅射阴极。溅射阴极13主要用来安装溅射靶材。每个单轨道溅射阴极上只能设置一个溅射靶材，而双轨道溅射阴极上可以设置两个相同或者不同的溅射靶材。

应当注意的是，为了更加合理的利用空间，若内陷机构9的内陷面上的溅射阴极13设置有双轨道溅射阴极时，双轨道溅射阴极的数目设置在1～4个之间，即最少设置1个，最多设置4个。

下面请继续参看图1，是本实用新型例举的内陷机构9可能出现的一种结构。其中，内陷机构9设置有5个内陷面，分别为：左侧面、内陷底面、右侧面。左车门包含了两个侧面，每个侧面设置有一个溅射阴极13，内陷底面设置有一个溅射阴极13，右侧面也包含了两个侧面，分别设置有一个溅射阴极13。其中，左侧面、右侧面上设置的都是单轨道溅射阴极，且安装有各自的溅射靶材。而内陷底面设置有双轨道溅射阴极，其上设置有两个溅射靶材。设置双轨道溅射阴极，可以大大地提高了大面积靶材的利用率和使用寿命，减少了镀膜成本，提高了镀膜效率。

每个溅射阴极13除了可以放置相同的溅射靶材配合待镀膜的基材往复运动镀厚膜外，每个溅射阴极13上还可放置不同的溅射靶材，从而实现同时镀不同功能的薄膜，而每个溅射靶材之间设置有挡板14，用来防止各个溅射靶材之间的污染。

相比于传统的‘将靶材设置于真空墙壁上’的结构来说，本实用新型的这种设计在很大程度上减少了溅射靶材和冷却辊4上的待镀膜的基材的距离(即靶基距)，使靶基距在50mm～150mm内可调，以满足不同的溅射作业。靶基距的减少可增加磁控溅射镀膜过程中的沉积速率，这就在很大程度上提高了镀膜效率和镀膜质量。

而由于定位支架的内陷机构9实际上是中空型机构，因此在内陷机构9的内部，还设置有其他部件，以合理利用空间。

在内陷机构9的内部，至少设置有冷却管道、气体管道。除此之外，为了合理利用空间，还可将电源线放置于内陷机构9的内部。

冷却管道设置于各个溅射阴极13下方，用于通入冷却液对溅射阴极13进行降温。冷却液可使用冷却水，当然也可以使用其他，主要是冷却溅射阴极13用的，因此冷却管道设置于各个溅射阴极13下方，可以使冷却液通入阴极小室内部，此处应当注意的是，溅射阴极13内设置的磁钢并未浸入冷却液中。

气体管道设置在各个溅射阴极13之间，并延伸出内陷机构9的内陷面到真空腔中，为了区分内陷机构9内部的气体管道，本实用新型将延伸到真空腔中的气体管道这部分称作反应气体引入管17，管上设置有很多小开口可出气，气体为氩气也可以为其他，反应溅射根据不同反应气体而有所不同。为了使真空腔内气压稳定，在内陷机构9的内陷面均匀分布有反应气体引入管17，例如内陷机构9的内陷面对称分布有反应气体引入管17，反应气体从内陷机构9的内陷面引入，经过定位支架和真空腔室之间较狭窄的空隙流入真空腔下部。均匀分布的反应气体引入管17可以使溅射工作区的气体压力更加稳定很均匀，从而提高镀膜效率和镀膜质量。

本实用新型实施例先利用位于真空墙壁上的引入口16(法兰)将冷却水、电、气体都引入定位支架中，实现冷却水循环、装置供电以及气体管道的联通。引入口可以是一个，同时将冷却水、电、气体都引入定位支架中。当然，还可以设置多个入口，分别将冷却水、电、气体都引入定位支架中。例如，真空腔室的壁上设置第一引入口与第二引入口。

利用设置在真空腔室的壁上的第一引入口将冷却液引入冷却通道中，利用设置在真空腔室的壁上的第二引入口将反应气体引入气体管道。

以上便是本实用新型涉及的卷对卷磁控溅射镀膜装置的具体结构，下面介绍该结构的镀膜的过程。

工艺要求：在PE基材(聚乙烯基材)上镀银膜，使用的溅射靶材为银靶材。

1、开启真空腔室，将卷绕辊装置退出溅射工作腔，将PE基材卷绕在工作辊(放卷辊1、冷却辊4、换向辊2、收卷辊3)上，并拉紧使其充分张开。

2、放置溅射靶材，将溅射靶材放置于对应的溅射阴极13上。

3、根据溅射靶材和镀膜需要，调节靶基距，并通过调节定位支架(上下、左右移动)，使各靶与冷却辊4上的PE基材的距离保持一致。

4、关闭真空腔室，将卷绕辊装置推进溅射工作腔，使用机械泵和分子泵抽真空达到10^-4torr。

5、利用气体管道充入反应气体，调节气流大小为260sccm，检测气体压力稳定于10～30Pa，达到起辉所需要的气体压力。

6、打开磁控溅射电源，通入循环冷却水，调节设定每个靶溅射功率为大于5～7KW。

7、同时开始卷绕PE基材行走，速度为700mm/min，进行溅射镀膜。

8、溅射镀膜完成，关闭设备。

通过本实用新型的一个或者多个实施例，本实用新型具有以下有益效果或者优点：

在本实用新型实施例中，公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，该装置包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊，另外，定位支架，设置在真空腔室底部且处于冷却辊的下方，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离；内陷机构的内陷面和冷却辊的圆周面相对应；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。由此可见，本实用新型将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀膜质量。

进一步的，通过调节定位支架的位置，可使各靶材与待镀膜的基材之间的距离保持一致，从而提高镀膜的均匀性。

进一步的，在定位支架上设置了多个溅射阴极，每个溅射阴极可设置对应的溅射靶材，可同时在待镀膜的基材表面镀上多层不同功能的膜材料。

进一步的，将反应气体引入口设置于定位支架内部，可保证溅射工作区局部气压稳定，有利于提高溅射镀膜效率和提高镀膜的均匀性。

进一步的，双轨道溅射阴极的设置，提高了真空腔内的空间利用率，同时提高了大面积靶材的利用率并且增加了大面积靶材的使用寿命。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的普通技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，包括：真空腔室，所述真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊，所述冷却辊处于所述放卷辊、所述收卷辊之间的下方；

定位支架，设置在所述真空腔室底部且处于所述冷却辊的下方；

所述定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构和内陷机构；

所述支撑机构可随意调整所述内陷机构和所述冷却辊的距离；

所述内陷机构的内陷面和所述冷却辊的圆周面相对应；所述内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材。

2.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，

所述支撑机构包括：移动平台，调节结构；

所述移动平台设置在所述真空腔室的底部，且可在所述真空腔室底部移动；

所述调节结构位于所述内陷机构和所述移动平台之间。

3.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述溅射阴极上的溅射靶材与所述冷却辊上卷绕的待镀膜的基材的距离称为靶基距，所述靶基距的范围是：50mm～150mm。

4.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述真空腔室内设置有隔离板，将所述真空腔室隔成第一真空小室和第二真空小室；

其中，所述第一真空小室中设置有：所述放卷辊、所述收卷辊；其中，所述放卷辊和所述收卷辊中还各设置了一组用于改变待镀膜的基材的运动方向的换向辊；

所述第二真空小室中设置有所述定位支架和所述冷却辊；

所述隔离板上设置有供所述待镀膜的基材穿过的开口。

5.如权利要求4所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述第一真空小室中设置有离子轰击器。

6.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述内陷机构呈中空型；

所述内陷机构的内部至少设置有冷却管道、气体管道；其中，所述冷却管道设置于各个溅射阴极下方，所述气体管道设置在所述各个溅射阴极之间；

所述真空腔室的壁上设置第一引入口与第二引入口；

利用所述第一引入口将冷却液引入所述冷却通道中；

利用所述第二引入口将反应气体引入所述气体管道。

7.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述多个溅射阴极可以是单轨道溅射阴极和/或双轨道溅射阴极。

8.如权利要求7所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，所述双轨道溅射阴极的最大数目为4个。

9.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，

所述内陷机构的内陷面材质为金属。

10.如权利要求1所述的一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，其特征在于，

每个溅射靶材之间设置有挡板。